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Diskrete Halbleiterprodukte(31)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Typ | Basisproduktnummer | Technologie | Leistung – max | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Konfiguration | FET-Typ | Aktuell | Stromspannung | Spannung – Isolation | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Max) @ Id | Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | Vgs (Max) | Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | FET-Funktion | Verlustleistung (max.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FBG20N04ASH | 408.3100 |  | 1476 | 0,00000000 | EPC Space, LLC | e-GaN® | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 4-SMD, kein Anschlusskabel | GaNFET (Galliumnitrid) | 4-SMD | - | 1 (Unbegrenzt) | 4107-FBG20N04ASH | 0000.00.0000 | 1 | N-Kanal | 200 V | 4A (Tc) | 5V | 130 mOhm bei 4 A, 5 V | 2,8 V bei 1 mA | 3 nC bei 5 V | +6V, -4V | 150 pF bei 100 V | - | - | ||||||||||
 | EPC7014UBC | 199.9600 | | 2 | 0,00000000 | EPC Space, LLC | e-GaN® | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 4-SMD, kein Anschlusskabel | EPC7014 | GaNFET (Galliumnitrid) | 4-SMD | - | 1 (Unbegrenzt) | 4107-EPC7014UBC | 0000.00.0000 | 169 | N-Kanal | 60 V | 1A (Tc) | 5V | 580 mOhm bei 1 A, 5 V | 2,5 V bei 140 µA | +7V, -4V | 22 pF bei 30 V | - | - | |||||||||
 | FBG30N04CC | 330.6400 | | 99 | 0,00000000 | EPC Space, LLC | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 4-SMD, kein Anschlusskabel | GaNFET (Galliumnitrid) | 4-SMD | - | Nicht zutreffend | 4107-FBG30N04CC | 0000.00.0000 | 169 | N-Kanal | 300 V | 4A (Tc) | 5V | 404 mOhm bei 4 A, 5 V | 2,8 V bei 600 µA | 2,6 nC bei 5 V | +6V, -4V | 450 pF bei 150 V | - | - | |||||||||
| FBG30N04CSH | 421.3000 | | 50 | 0,00000000 | EPC Space, LLC | eGaN® | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 4-SMD, kein Anschlusskabel | GaNFET (Galliumnitrid) | - | 4-SMD | - | 1 (Unbegrenzt) | 4107-FBG30N04CSH | 9A515E1 | 8541.29.0095 | 1 | 2 N-Kanal | 300V | 4A (Tc) | 404 mOhm bei 4 A, 5 V | 2,8 V bei 600 µA | 2,6 nC bei 5 V | 450pF bei 150V | - | ||||||||||
| FBG04N08ASH | 408.3100 | | 4502 | 0,00000000 | EPC Space, LLC | e-GaN® | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 4-SMD, kein Anschlusskabel | GaNFET (Galliumnitrid) | 4-SMD | - | 1 (Unbegrenzt) | 4107-FBG04N08ASH | 0000.00.0000 | 1 | N-Kanal | 40 V | 8A (Tc) | 5V | 24 mOhm bei 8 A, 5 V | 2,5 V bei 2 mA | 2,8 nC bei 5 V | +6V, -4V | 312 pF bei 20 V | - | - | |||||||||
 | FBG10N30BC | 299.1500 | | 149 | 0,00000000 | EPC Space, LLC | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 4-SMD, kein Anschlusskabel | GaNFET (Galliumnitrid) | 4-SMD | - | Nicht zutreffend | 4107-FBG10N30BC | 0000.00.0000 | 154 | N-Kanal | 100 V | 30A (Tc) | 5V | 9 mOhm bei 30 A, 5 V | 2,5 V bei 5 mA | 11 nC bei 5 V | +6V, -4V | 1000 pF bei 50 V | - | - | |||||||||
 | FBS-GAM01-P-C100 | 554.4000 | | 5232 | 0,00000000 | EPC Space, LLC | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | 9-SMD-Modul | MOSFET | - | 3 (168 Stunden) | 4107-FBS-GAM01-P-C100 | 0000.00.0000 | 24 | 3 Phasen | 12 A | 100 V | - | ||||||||||||||||||
| FBG20N18BSH | 408.3100 | | 25 | 0,00000000 | EPC Space, LLC | e-GaN® | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 4-SMD, kein Anschlusskabel | GaNFET (Galliumnitrid) | 4-SMD | - | 1 (Unbegrenzt) | 4107-FBG20N18BSH | 0000.00.0000 | 1 | N-Kanal | 200 V | 18A (Tc) | 5V | 28 mOhm bei 18 A, 5 V | 2,5 V bei 3 mA | 7 nC bei 5 V | +6V, -4V | 900 pF bei 100 V | - | - | |||||||||
| EPC7004BC | 329.3500 | | 137 | 0,00000000 | EPC Space, LLC | - | Tablett | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 4-SMD, kein Anschlusskabel | EPC7004 | GaNFET (Galliumnitrid) | 4-SMD | - | 1 (Unbegrenzt) | 4107-EPC7004BC | 0000.00.0000 | 1 | N-Kanal | 100 V | 30A (Tc) | 5V | 13 mOhm bei 30 A, 5 V | 2,5 V bei 7 mA | 7 nC bei 5 V | +6V, -4V | 797 pF bei 50 V | - | - | ||||||||
 | FBS-GAM02-P-C50 | 702.2400 | | 59 | 0,00000000 | EPC Space, LLC | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | 18-SMD-Modul | MOSFET | - | 3 (168 Stunden) | 4107-FBS-GAM02-P-C50 | 0000.00.0000 | 12 | 3 Phasen | 10 A | 50 V | - | ||||||||||||||||||
| EPC7003AC | 329.3500 | | 150 | 0,00000000 | EPC Space, LLC | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 4-SMD, kein Anschlusskabel | GaNFET (Galliumnitrid) | 4-SMD | - | 1 (Unbegrenzt) | 0000.00.0000 | 1 | N-Kanal | 100 V | 10A (Tc) | 10V | 1,5 nC bei 5 V | +6V, -4V | 168 pF bei 50 V | - | - | ||||||||||||
| EPC7014UBSH | 265.8900 | | 5001 | 0,00000000 | EPC Space, LLC | e-GaN® | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 4-SMD, kein Anschlusskabel | GaNFET (Galliumnitrid) | 4-SMD | - | 1 (Unbegrenzt) | 4107-EPC7014UBSH | 0000.00.0000 | 1 | N-Kanal | 60 V | 1A (Tc) | 5V | 580 mOhm bei 1 A, 5 V | 2,5 V bei 140 µA | - | 22 pF bei 30 V | - | - | ||||||||||
 | FBS-GAM04-P-C100 | 792.0000 | | 15 | 0,00000000 | EPC Space, LLC | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | 18-SMD-Modul | MOSFET | - | 3 (168 Stunden) | 4107-FBS-GAM04-P-C100 | 0000.00.0000 | 12 | 3 Phasen | 10 A | 100 V | - | ||||||||||||||||||
 | EPC7018GC | 329.3500 | | 146 | 0,00000000 | EPC Space, LLC | eGaN® | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 5-SMD, kein Anschlusskabel | GaNFET (Galliumnitrid) | 5-SMD | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | 0000.00.0000 | 1 | N-Kanal | 100 V | 80A (Tc) | 5V | 6 mOhm bei 40 A, 5 V | 2,5 V bei 12 mA | 11,7 nC bei 5 V | +6V, -4V | 1240 pF bei 50 V | - | - | ||||||||||
 | FBG20N18BC | 299.1500 | | 157 | 0,00000000 | EPC Space, LLC | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 4-SMD, kein Anschlusskabel | GaNFET (Galliumnitrid) | 4-SMD | - | Nicht zutreffend | 4107-FBG20N18BC | 0000.00.0000 | 154 | N-Kanal | 200 V | 18A (Tc) | 5V | 26 mOhm bei 18 A, 5 V | 2,5 V bei 3 mA | 6 nC bei 5 V | +6V, -4V | 900 pF bei 100 V | - | - | |||||||||
 | FBG04N08AC | 299.1500 | | 80 | 0,00000000 | EPC Space, LLC | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 4-SMD, kein Anschlusskabel | GaNFET (Galliumnitrid) | 4-SMD | - | Nicht zutreffend | 4107-FBG04N08AC | 0000.00.0000 | 169 | N-Kanal | 40 V | 8A (Tc) | 5V | 24 mOhm bei 8 A, 5 V | 2,5 V bei 2 mA | 2,8 nC bei 5 V | +6V, -4V | 312 pF bei 20 V | - | - | |||||||||
| FBG20N04AC | 299.1500 | | 5695 | 0,00000000 | EPC Space, LLC | eGaN® | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 4-SMD, kein Anschlusskabel | FBG20 | MOSFET (Metalloxid) | - | 4-SMD | herunterladen | Nicht zutreffend | 4107-FBG20N04AC | 0000.00.0000 | 169 | - | 200V | 4A (Tc) | 130 mOhm bei 4 A, 5 V | 2,8 V bei 1 mA | 3nC bei 5V | 150pF bei 100V | Logikpegel-Gate | ||||||||||
| FBG10N05ASH | 408.3100 | | 25 | 0,00000000 | EPC Space, LLC | eGaN® | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 4-SMD, kein Anschlusskabel | GaNFET (Galliumnitrid) | 4-SMD | - | 1 (Unbegrenzt) | 4107-FBG10N05ASH | 0000.00.0000 | 1 | N-Kanal | 100 V | 5A (Tc) | 5V | 45 mOhm bei 5 A, 5 V | 2,5 V bei 1,2 mA | 2,2 nC bei 5 V | +6V, -4V | 233 pF bei 50 V | - | - | |||||||||
| FBG04N30BSH | 408.3100 | | 25 | 0,00000000 | EPC Space, LLC | e-GaN® | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 4-SMD, kein Anschlusskabel | GaNFET (Galliumnitrid) | 4-SMD | - | 1 (Unbegrenzt) | 4107-FBG04N30BSH | 0000.00.0000 | 1 | N-Kanal | 40 V | 30A (Tc) | 5V | 9 mOhm bei 30 A, 5 V | 2,5 V bei 9 mA | 11,4 nC bei 5 V | +6V, -4V | 1300 pF bei 20 V | - | - | |||||||||
 | FBS-GAM04-P-C50 | 792.0000 | | 15 | 0,00000000 | EPC Space, LLC | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | 18-SMD-Modul | MOSFET | - | 3 (168 Stunden) | 4107-FBS-GAM04-P-C50 | 0000.00.0000 | 12 | 3 Phasen | 10 A | 50 V | - | ||||||||||||||||||
 | FBG10N05AC | 299.1500 | | 169 | 0,00000000 | EPC Space, LLC | - | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 4-SMD, kein Anschlusskabel | GaNFET (Galliumnitrid) | 4-SMD | herunterladen | Nicht zutreffend | 4107-FBG10N05AC | 0000.00.0000 | 169 | N-Kanal | 100 V | 5A (Tc) | 5V | 44 mOhm bei 5 A, 5 V | 2,5 V bei 1,2 mA | 2,2 nC bei 5 V | +6V, -4V | 233 pF bei 50 V | - | - | |||||||||
| EPC7019GC | 329.3500 | | 138 | 0,00000000 | EPC Space, LLC | eGaN® | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 5-SMD, kein Anschlusskabel | GaNFET (Galliumnitrid) | 5-SMD | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | 0000.00.0000 | 1 | N-Kanal | 40 V | 80A (Tc) | 5V | 4 mOhm bei 50 A, 5 V | 2,5 V bei 18 mA | +6V, -4V | 2830 pF bei 20 V | - | - | |||||||||||
| EPC7020GC | 329.3500 | | 50 | 0,00000000 | EPC Space, LLC | eGaN® | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 5-SMD, kein Anschlusskabel | GaNFET (Galliumnitrid) | 5-SMD | herunterladen | 1 (Unbegrenzt) | 0000.00.0000 | 1 | N-Kanal | 200 V | 80A (Tc) | 5V | 14,5 mOhm bei 30 A, 5 V | 2,5 V bei 7 mA | +6V, -4V | 1313 pF bei 100 V | - | - | |||||||||||
 | FBS-GAM01-P-C50 | 554.4000 | | 25 | 0,00000000 | EPC Space, LLC | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | 9-SMD-Modul | MOSFET | - | 3 (168 Stunden) | 4107-FBS-GAM01-P-C50 | 0000.00.0000 | 24 | 3 Phasen | 12 A | 50 V | - | ||||||||||||||||||
| FBS-GAM02-P-R50 | 894.3100 | | 8760 | 0,00000000 | EPC Space, LLC | eGaN® | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | 18-SMD-Modul | - | 1 (Unbegrenzt) | 4107-FBS-GAM02-P-R50 | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||
| EPC7020GSH | 470.2100 | | 4166 | 0,00000000 | EPC Space, LLC | eGaN® | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 5-SMD, kein Anschlusskabel | GaNFET (Galliumnitrid) | 5-SMD | - | 1 (Unbegrenzt) | 4107-EPC7020GSH | 0000.00.0000 | 1 | N-Kanal | 200 V | 80A (Tc) | 5V | 14,5 mOhm bei 30 A, 5 V | 2,5 V bei 7 mA | 13,5 nC bei 100 V | +6V, -4V | 1313 pF bei 100 V | - | - | |||||||||
 | FBS-GAM02P-C-PSE | 633.6000 | | 6378 | 0,00000000 | EPC Space, LLC | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | 18-SMD-Modul | - | - | 3 (168 Stunden) | 4107-FBS-GAM02P-C-PSE | 0000.00.0000 | 12 | 3 Phasen | 50 V | - | |||||||||||||||||||
 | FBG04N30BC | 299.1500 | | 54 | 0,00000000 | EPC Space, LLC | FSMD-B | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 4-SMD, kein Anschlusskabel | GaNFET (Galliumnitrid) | 4-SMD | herunterladen | Nicht zutreffend | 4107-FBG04N30BC | 0000.00.0000 | 154 | N-Kanal | 40 V | 30A (Tc) | 5V | 9 mOhm bei 30 A, 5 V | 2,5 V bei 9 mA | 11,4 nC bei 5 V | +6V, -4V | 1300 pF bei 20 V | - | - | |||||||||
 | FBS-GAM01P-C-PSE | 396.0000 | | 25 | 0,00000000 | EPC Space, LLC | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | 9-SMD-Modul | - | - | 3 (168 Stunden) | 4107-FBS-GAM01P-C-PSE | 0000.00.0000 | 48 | 3 Phasen | - | ||||||||||||||||||||
| FBG10N30BSH | 408.3100 | | 7903 | 0,00000000 | EPC Space, LLC | eGaN® | Schüttgut | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 4-SMD, kein Anschlusskabel | GaNFET (Galliumnitrid) | 4-SMD | - | 1 (Unbegrenzt) | 4107-FBG10N30BSH | 0000.00.0000 | 1 | N-Kanal | 100 V | 30A (Tc) | 5V | 12 mOhm bei 30 A, 5 V | 2,5 V bei 5 mA | 11 nC bei 5 V | +6V, -4V | 1000 pF bei 50 V | - | - |
2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
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