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Diskette HalblerProdukte (191)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Montagetyp | Paket / Herbst | Technologie | LEEFERANTENGERATEPAKET | Status Erreichen | Andere Namen | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung - DC Reverse (VR) (max) | Strom - Dieschnittlich Behaben (IO) (Pro -Diode) | Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if | Reverse Recovery Time (TRR) | Strom - reverse -lockage @ vr | Biebstemperatur - übergang | Strom - Dassche Anitt Buhben (IO) | Kapazität @ vr, f |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | G3S06503C | - - - |  | 3687 | 0.00000000 | Global Power Technology Co. Ltd. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-252 | Verkäfer undefiniert | 4436-G3S06503C | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 3 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 11.5a | 181pf @ 0V, 1 MHz | |||
 | G5S12015 UHR | - - - | | 8703 | 0.00000000 | Global Power Technology Co. Ltd. | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247ac | Verkäfer undefiniert | 4436-G5S12015 UHR | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 15 a | 0 ns | 50 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 55a | 1370pf @ 0v, 1 MHz | |||
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 | G3S06510d | - - - | | 2278 | 0.00000000 | Global Power Technology Co. Ltd. | - - - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-263 | Verkäfer undefiniert | 4436-g3S06510d | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 650 V | 1,7 V @ 10 a | 0 ns | 50 µa @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 34a | 690pf @ 0v, 1 MHz | |||
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 | G3S12030b | - - - | | 4934 | 0.00000000 | Global Power Technology Co. Ltd. | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-247-3 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247ab | Verkäfer undefiniert | 4436-g3S12030b | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1 Paar Gemeinsamer Kathode | 1200 V | 42a (DC) | 1,7 V @ 15 a | 0 ns | 50 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | |||
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| G5S12008PM | - - - | | 2245 | 0.00000000 | Global Power Technology Co. Ltd. | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247ac | Verkäfer undefiniert | 4436-G5S12008Pm | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 8 a | 0 ns | 50 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 27.9a | 550pf @ 0V, 1 MHz | |||
| G3S12015p | - - - | | 5432 | 0.00000000 | Global Power Technology Co. Ltd. | - - - | Schüttgut | Aktiv | K. Loch | To-247-2 | SIC (Silicon Carbide) Schottky | To-247ac | Verkäfer undefiniert | 4436-G3S12015p | 1 | Keine Erholungszeit> 500 mA (IO) | 1200 V | 1,7 V @ 15 a | 0 ns | 50 µa @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C. | 42a | 1379pf @ 0V, 1MHz |
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