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Diskrete Halbleiterprodukte(191)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Montageart | Paket/Koffer | Technologie | Gerätepaket des Lieferanten | REACH-Status | Andere Namen | Standardpaket | Geschwindigkeit | Diodenkonfiguration | Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode) | Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If | Reverse Recovery Time (trr) | Strom – Rückwärtsleckage bei Vr | Betriebstemperatur – Verbindungsstelle | Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | Kapazität @ Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | G3S06502A | - |  | 1195 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-220-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220AC | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S06502A | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V bei 2 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 9A | 123 pF bei 0 V, 1 MHz | |||
 | G3S06550P | - | | 8226 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247AC | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S06550P | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V bei 50 A | 0 ns | 100 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 105A | 4400pF bei 0V, 1MHz | |||
 | G3S06508D | - | | 3784 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-263 | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S06508D | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V bei 8 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 25,5A | 550pF bei 0V, 1MHz | |||
 | G3S06008J | - | | 4839 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S06008J | 1 | |||||||||||||||
 | G5S06505CT | - | | 6152 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-252 | Anbieter nicht definiert | 4436-G5S06505CT | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,5 V bei 5 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 24A | 395 pF bei 0 V, 1 MHz | |||
 | G51XT | - | | 3988 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | SOD-123F | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | SOD-123FL | Anbieter nicht definiert | 4436-G51XT | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,6 V bei 1 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 1,84A | 57,5 pF bei 0 V, 1 MHz | |||
| G3S06508C | - | | 2651 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-252 | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S06508C | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V bei 8 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 25,5A | 550pF bei 0V, 1MHz | |||
| G3S06502D | - | | 9151 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-263 | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S06502D | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V bei 2 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 9A | 123 pF bei 0 V, 1 MHz | |||
 | G3S06506H | - | | 2953 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-220-2 Komplettpaket | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220F | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S06506H | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V bei 6 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 15,4A | 424 pF bei 0 V, 1 MHz | |||
| G3S06505C | - | | 6424 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-252 | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S06505C | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V bei 5 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 22,5A | 424 pF bei 0 V, 1 MHz | |||
 | G5S12020BM | - | | 5996 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-3 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247AB | Anbieter nicht definiert | 4436-G5S12020BM | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 1200 V | 33A (DC) | 1,7 V bei 10 A | 0 ns | 30 µA bei 1200 V | -55 °C ~ 175 °C | |||
| G3S06502C | - | | 7907 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-252 | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S06502C | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V bei 2 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 9A | 123 pF bei 0 V, 1 MHz | |||
| G3S17005C | - | | 5575 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-252 | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S17005C | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1700 V | 1,7 V bei 5 A | 0 ns | 50 µA bei 1700 V | -55 °C ~ 175 °C | 27A | 780pF bei 0V, 1MHz | |||
| G3S12015H | - | | 9480 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-220-2 Komplettpaket | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220F | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S12015H | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V bei 15 A | 0 ns | 50 µA bei 1200 V | -55 °C ~ 175 °C | 21A | 1700pF bei 0V, 1MHz | |||
| G3S06508B | - | | 7094 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-3 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247AB | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S06508B | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 650 V | 14A (DC) | 1,7 V bei 8 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | |||
| G5S12002A | - | | 7926 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-220-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220AC | Anbieter nicht definiert | 4436-G5S12002A | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V bei 2 A | 0 ns | 50 µA bei 1200 V | -55 °C ~ 175 °C | 10A | 170 pF bei 0 V, 1 MHz | |||
| G3S12005C | - | | 6880 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-252 | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S12005C | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V bei 5 A | 0 ns | 50 µA bei 1200 V | -55 °C ~ 175 °C | 34A | 475 pF bei 0 V, 1 MHz | |||
| GAS06520L | - | | 2459 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-3 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247AB | Anbieter nicht definiert | 4436-GAS06520L | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V bei 20 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 66,5A | 1390pF bei 0V, 1MHz | |||
| G5S06505AT | - | | 3018 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-220-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220AC | Anbieter nicht definiert | 4436-G5S06505AT | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,5 V bei 5 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 24,5A | 395 pF bei 0 V, 1 MHz | |||
| G3S17005P | - | | 4173 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247AC | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S17005P | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1700 V | 1,7 V bei 5 A | 0 ns | 50 µA bei 1700 V | -55 °C ~ 175 °C | 29,5A | 780pF bei 0V, 1MHz | |||
| G3S17020B | - | | 7595 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-3 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247AB | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S17020B | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 1700 V | 24A (DC) | 1,7 V bei 10 A | 0 ns | 100 µA bei 1700 V | -55 °C ~ 175 °C | |||
| G3S06504C | - | | 9021 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-252 | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S06504C | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V bei 4 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 11,5A | 181 pF bei 0 V, 1 MHz | |||
| G3S12015L | - | | 4372 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-3 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247AB | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S12015L | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V bei 15 A | 0 ns | 50 µA bei 1200 V | -55 °C ~ 175 °C | 55A | 1700pF bei 0V, 1MHz | |||
| G3S12010D | - | | 7559 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-263 | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S12010D | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V bei 10 A | 0 ns | 50 µA bei 1200 V | -55 °C ~ 175 °C | 33,2A | 765 pF bei 0 V, 1 MHz | |||
| G4S06510DT | - | | 7817 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-263 | Anbieter nicht definiert | 4436-G4S06510DT | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V bei 10 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 32A | 550pF bei 0V, 1MHz | |||
| G3S12020B | - | | 4697 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-247-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-247AC | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S12020B | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1 Paar gemeinsame Kathode | 1200 V | 37A (DC) | 1,7 V bei 10 A | 0 ns | 50 µA bei 1200 V | -55 °C ~ 175 °C | |||
| G3S06530A | - | | 5431 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-220-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220AC | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S06530A | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,7 V bei 30 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 110A | 2150pF bei 0V, 1MHz | |||
| G5S12020H | - | | 6564 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-220-2 Komplettpaket | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220F | Anbieter nicht definiert | 4436-G5S12020H | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V bei 20 A | 0 ns | 50 µA bei 1200 V | -55 °C ~ 175 °C | 24,6A | 1320pF bei 0V, 1MHz | |||
| G3S12002C | - | | 5481 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-252 | Anbieter nicht definiert | 4436-G3S12002C | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 1200 V | 1,7 V bei 2 A | 0 ns | 50 µA bei 1200 V | -55 °C ~ 175 °C | 8,8A | 170 pF bei 0 V, 1 MHz | |||
| G4S06506AT | - | | 7515 | 0,00000000 | Global Power Technology Co. Ltd | - | Schüttgut | Aktiv | Durchgangsloch | TO-220-2 | SiC (Siliziumkarbid) Schottky | TO-220AC | Anbieter nicht definiert | 4436-G4S06506AT | 1 | Keine Erholungszeit > 500 mA (Io) | 650 V | 1,8 V bei 6 A | 0 ns | 50 µA bei 650 V | -55 °C ~ 175 °C | 11,6A | 181 pF bei 0 V, 1 MHz |
2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
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