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Diskrete Halbleiterprodukte(324)
| Bild | Produktnummer | Preis (USD) | Menge | ECAD | Verfügbare Menge | Gewicht (kg) | Hersteller | Serie | Paket | Produktstatus | Betriebstemperatur | Montageart | Paket/Koffer | Basisproduktnummer | Technologie | Leistung – max | Gerätepaket des Lieferanten | Datenblatt | RoHS-Status | Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | REACH-Status | Andere Namen | ECCN | HTSUS | Standardpaket | Konfiguration | FET-Typ | Drain-Source-Spannung (Vdss) | Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | Rds On (Max) @ Id, Vgs | Vgs(th) (Max) @ Id | Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | Vgs (Max) | Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | FET-Funktion | Verlustleistung (max.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | G6P06 | 0,4200 |  | 4 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | MOSFET (Metalloxid) | 8-SOP | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | P-Kanal | 60 V | 6A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 96 mOhm bei 4 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 25 nC bei 10 V | ±20V | 930 pF bei 30 V | - | 4,1 W (Tc) | |||||
 | GT750P10K | 0,9700 | | 2 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | TO-252 | herunterladen | RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0000 | 2.500 | P-Kanal | 100 V | 24A (Tc) | 10V | 85 mOhm bei 20 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 40 nC bei 10 V | ±20V | 1940 pF bei 50 V | - | 79W (Tc) | |||||
 | GT035N10Q | 3.3000 | | 25 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-247-3 | MOSFET (Metalloxid) | TO-247 | herunterladen | RoHS-konform | Nicht anwendbar | REACH Unberührt | 3141-GT035N10Q | EAR99 | 8541.29.0000 | 30 | N-Kanal | 100 V | 190A (Tc) | 10V | 3,5 mOhm bei 30 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 68 nC bei 10 V | ±20V | 6516 pF bei 50 V | - | 277W (Tc) | ||||
 | G28N02T | 0,4942 | | 9545 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220 | - | RoHS-konform | REACH Unberührt | 3141-G28N02T | EAR99 | 8541.29.0000 | 50 | N-Kanal | 20 V | 28A (Tc) | 2,5 V, 4,5 V | 7,3 mOhm bei 12 A, 4,5 V | 900 mV bei 250 µA | 42 nC bei 10 V | ±12V | 2000 pF bei 10 V | - | 2,5 W (Tc) | |||||
| GT700P08S | 0,6800 | | 3 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | MOSFET (Metalloxid) | 8-SOP | herunterladen | RoHS-konform | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0000 | 4.000 | P-Kanal | 80 V | 6,5 A (Tc) | 10V | 72 mOhm bei 2 A, 10 V | 3,5 V bei 250 µA | 75 nC bei 10 V | ±20V | 1624 pF bei 40 V | - | 3W (Tc) | ||||||
 | GT100N04K | 0,1676 | | 9457 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | TO-252 | - | RoHS-konform | REACH Unberührt | 3141-GT100N04KTR | EAR99 | 8541.29.0000 | 2.500 | N-Kanal | 40 V | 50A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 10 mOhm bei 5 A, 10 V | 2,2 V bei 250 µA | 32 nC bei 10 V | ±20V | 644 pF bei 20 V | - | 80 W (Tc) | |||||
 | GT095N10D5 | 0,3100 | | 50 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-PowerTDFN | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFN (5x6) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 100 V | 55A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 11 mOhm bei 35 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 54 nC bei 10 V | ±20V | - | 74W (Tc) | ||||||
| GT095N10S | 0,9000 | | 4 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | MOSFET (Metalloxid) | 8-SOP | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-Kanal | 100 V | 11A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 9,5 mOhm bei 20 A, 10 V | 2,6 V bei 250 µA | 29,4 nC bei 10 V | ±20V | 2131 pF bei 50 V | 8W (Tc) | ||||||
| G50N03D5 | 0,6100 | | 5 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-PowerTDFN | MOSFET (Metalloxid) | 8-DFN (4,9 x 5,75) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 30 V | 50A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 4,5 mOhm bei 20 A, 10 V | 2,4 V bei 250 µA | 38,4 nC bei 10 V | ±20V | 1784 pF bei 15 V | - | 20W (Tc) | |||||
| G170P03D3 | 0,4400 | | 5 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | - | Oberflächenmontage | 8-PowerVDFN | MOSFET (Metalloxid) | 8-DFN (3,15 x 3,05) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | P-Kanal | 30 V | 20A | 4,5 V, 10 V | - | - | - | - | 28W | |||||||
| G20P10KE | 0,8700 | | 3 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | TO-252 | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 100 V | 20A (Tc) | 10V | 116 mOhm bei 16 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 70 nC bei 10 V | ±20V | 3354 pF bei 50 V | - | 69W (Tc) | |||||
 | G630J | 0,8000 | | 732 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | TrenchFET® | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA | MOSFET (Metalloxid) | TO-251 | herunterladen | ROHS3-konform | REACH Unberührt | EAR99 | 75 | N-Kanal | 200 V | 9A (Tc) | 10V | 280 mOhm bei 4,5 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 11,8 nC bei 10 V | ±20V | 509 pF bei 25 V | Standard | 83W (Tc) | |||||||
 | G400P06T | - | | 2550 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | G | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220 | herunterladen | ROHS3-konform | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 60 V | 32A (Tc) | 10V | 40 mOhm bei 12 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 46 nC bei 10 V | ±20V | 2598 pF bei 30 V | - | 110 W (Tc) | ||||||
 | GT060N04D5 | 0,6600 | | 5 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-PowerTDFN | MOSFET (Metalloxid) | 8-DFN (4,9 x 5,75) | herunterladen | RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0000 | 5.000 | N-Kanal | 40 V | 62A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 5,5 mOhm bei 30 A, 10 V | 2,3 V bei 250 µA | 44 nC bei 10 V | ±20V | 1276 pF bei 20 V | - | 39W (Tc) | |||||
| G26P04D5 | 0,6400 | | 12 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-PowerTDFN | MOSFET (Metalloxid) | 8-DFN (4,9 x 5,75) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | P-Kanal | 40 V | 26A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 18 mOhm bei 12 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 45 nC bei 10 V | ±20V | 2479 pF bei 20 V | - | 50 W (Tc) | |||||
 | G230P06D5 | 0,8100 | | 5 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-PowerTDFN | MOSFET (Metalloxid) | 8-DFN (4,9 x 5,75) | herunterladen | RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0000 | 5.000 | P-Kanal | 60 V | 48A (Tc) | 10V | 20 mOhm bei 10 A, 10 V | 4 V bei 250 µA | 62 nC bei 10 V | ±20V | 5002 pF bei 30 V | - | 105 W (Tc) | |||||
 | GT023N10M | 2.2195 | | 2797 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB | MOSFET (Metalloxid) | TO-263 | - | RoHS-konform | REACH Unberührt | 3141-GT023N10MTR | EAR99 | 8541.29.0000 | 800 | N-Kanal | 100 V | 140A (Tc) | 10V | 2,7 mOhm bei 20 A, 10 V | 4,3 V bei 250 µA | 90 nC bei 10 V | ±20V | 8050 pF bei 50 V | - | 500 W (Tc) | |||||
 | GT090N06S | 0,2619 | | 6601 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | MOSFET (Metalloxid) | 8-SOP | - | RoHS-konform | REACH Unberührt | 3141-GT090N06STR | EAR99 | 8541.29.0000 | 4.000 | N-Kanal | 60 V | 14A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 8 mOhm bei 8 A, 10 V | 2,4 V bei 250 µA | 24 nC bei 10 V | ±20V | 1378 pF bei 30 V | - | 3,1 W (Tc) | |||||
| G700P06J | 0,4900 | | 74 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | TrenchFET® | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA | MOSFET (Metalloxid) | TO-251 | herunterladen | RoHS-konform | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0000 | 75 | P-Kanal | 60 V | 23A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 70 mOhm bei 6 A, 10 V | 3 V bei 250 µA | 23 nC bei 10 V | ±20V | 1465 pF bei 30 V | Standard | 50 W (Tc) | ||||||
| GT013N04TI | 1.4800 | | 76 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | SGT | Rohr | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Durchgangsloch | TO-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | TO-220 | herunterladen | RoHS-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0000 | 50 | N-Kanal | 40 V | 220A (Tc) | 10V | 2,5 mOhm bei 30 A, 10 V | 5 V bei 250 µA | 50 nC bei 10 V | ±20V | 3986 pF bei 20 V | Standard | 90 W (Tc) | |||||
| GT100N04D3 | 0,1090 | | 10 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-PowerVDFN | MOSFET (Metalloxid) | 8-DFN (3,15 x 3,05) | herunterladen | RoHS-konform | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0000 | 5.000 | N-Kanal | 40 V | 13A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 10 mOhm bei 5 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 32 nC bei 10 V | ±20V | 642 pF bei 20 V | - | 23W (Tc) | ||||||
 | G220P02D2 | 0,0790 | | 6 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 6-UDFN freiliegendes Pad | MOSFET (Metalloxid) | 6-DFN (2x2) | herunterladen | RoHS-konform | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0000 | 3.000 | P-Kanal | 20 V | 8A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 20 mOhm bei 6 A, 10 V | 1,2 V bei 250 µA | 14 nC bei 10 V | ±12V | 1873 pF bei 10 V | - | 3,5 W (Tc) | ||||||
| G2K8P15S | 0,2280 | | 4 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite) | MOSFET (Metalloxid) | 8-SOP | herunterladen | RoHS-konform | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0000 | 4.000 | P-Kanal | 150 V | 2,2A (Tc) | 10V | 310 mOhm bei 500 mA, 10 V | 3,5 V bei 250 µA | 11 nC bei 10 V | ±20V | 966 pF bei 75 V | - | 2,5 W (Tc) | ||||||
 | G08N03D2 | 0,1018 | | 5517 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 6-WDFN freiliegendes Pad | MOSFET (Metalloxid) | 6-DFN (2x2) | - | RoHS-konform | REACH Unberührt | 3141-G08N03D2TR | EAR99 | 8541.29.0000 | 3.000 | N-Kanal | 30 V | 8A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 20 mOhm bei 4 A, 10 V | 2V bei 250µA | 15 nC bei 10 V | ±20V | 681 pF bei 15 V | - | 17W (Tc) | |||||
| G26P04K | 0,1710 | | 40 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | TO-252 | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 40 V | 26A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 18 mOhm bei 10 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 42 nC bei 10 V | ±20V | - | 80 W (Tc) | ||||||
 | G2K3N10G | 0,3900 | | 1 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-243AA | MOSFET (Metalloxid) | SOT-89 | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | N-Kanal | 100 V | 2,5 A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 220 mOhm bei 2 A, 10 V | 2V bei 250µA | 13 nC bei 10 V | ±20V | 436 pF bei 50 V | - | 1,5 W (Tc) | |||||
| G100N03D5 | 1.2700 | | 4 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-PowerTDFN | MOSFET (Metalloxid) | 8-DFN (4,9 x 5,75) | herunterladen | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 30 V | 100A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 3,5 mOhm bei 20 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 38 nC bei 10 V | ±20V | 5595 pF bei 50 V | - | 50 W (Tc) | |||||
 | G7K2N20HE | 0,4900 | | 1 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | TrenchFET® | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET (Metalloxid) | SOT-223 | herunterladen | RoHS-konform | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0000 | 2.500 | N-Kanal | 200 V | 2A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 700 mOhm bei 1 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 10,8 nC bei 10 V | ±20V | 568 pF bei 100 V | Standard | 1,8 W (Tc) | ||||||
| GT040N04D5I | 0,3119 | | 6687 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-PowerTDFN | MOSFET (Metalloxid) | 8-DFN (4,9 x 5,75) | herunterladen | RoHS-konform | REACH Unberührt | 3141-GT040N04D5ITR | EAR99 | 8541.29.0000 | 5.000 | N-Kanal | 40 V | 110A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 3,5 mOhm bei 10 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 50 nC bei 10 V | ±20V | 2298 pF bei 20 V | - | 160 W (Tc) | |||||
| G33N03D3 | 0,1420 | | 40 | 0,00000000 | Goford Semiconductor | - | Tape & Reel (TR) | Aktiv | -55°C ~ 150°C (TJ) | Oberflächenmontage | 8-PowerVDFN | G33N | MOSFET (Metalloxid) | 18,5 W (Tc) | 8-DFN (3x3) | - | ROHS3-konform | 3 (168 Stunden) | REACH Unberührt | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | 2 N-Kanal (Dual) | 30V | 30A (Tc) | 13 mOhm bei 18 A, 10 V | 2,5 V bei 250 µA | 15 nC bei 10 V | 1530pF bei 15V | - |
2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
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Weltweite Hersteller
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