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Diskrete Halbleiterprodukte(324)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Technologie	Leistung – max	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	Andere Namen	ECCN	HTSUS	Standardpaket	Konfiguration	FET-Typ	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)
G2305	0,0350	Anfrage	30	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-3	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	3.000		P-Kanal	20 V	4,8A (Ta)	2,5 V, 4,5 V	50 mOhm bei 4,1 A, 4,5 V	1 V bei 250 µA	7,8 nC bei 4,5 V	±12V		-	1,7 W (Ta)
G60N10T	1.5700	Anfrage	186	Goford Semiconductor	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3		MOSFET (Metalloxid)		TO-220	herunterladen		3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	50		N-Kanal	100 V	60A (Tc)	4,5 V, 10 V	25 mOhm bei 20 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	146 nC bei 10 V	±20V	3970 pF bei 50 V	-	160 W (Tc)
GC11N65D5	0,6760	Anfrage	10	Goford Semiconductor	G	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerTDFN		MOSFET (Metalloxid)		8-DFN (4,9 x 5,75)	herunterladen	ROHS3-konform		REACH Unberührt		EAR99		5.000		N-Kanal	650 V	11A (Tc)	10V	360 mOhm bei 5,5 A, 10 V	4 V bei 250 µA		±30V	901 pF bei 50 V	-	78W (Tc)
G030N06M	1.8900	Anfrage	800	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB		MOSFET (Metalloxid)		TO-263	herunterladen	RoHS-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	800		N-Kanal	60 V	223A (Tc)	4,5 V, 10 V	3 mOhm bei 30 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	101 nC bei 4,5 V	±20V	12432 pF bei 30 V	-	240 W (Tc)
630A	0,8000	Anfrage	2	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63		MOSFET (Metalloxid)		TO-252	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal	200 V	11A	10V	280 mOhm bei 4,5 A, 10 V	3 V bei 250 µA	11,8 nC bei 10 V	±20V	509 pF bei 25 V	-	83W
G3401L	0,4500	Anfrage	2	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-3	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	3.000		P-Kanal	30 V	4,2A		60 mOhm bei 2 A, 10 V	1,3 V bei 250 µA	8,5 nC bei 4,5 V	±12V	880 pF bei 15 V		1,2 W
G09N06S2	0,4557	Anfrage	9668	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)		MOSFET (Metalloxid)	2,6 W (Tc)	8-SOP	-	RoHS-konform		REACH Unberührt	3141-G09N06S2TR	EAR99	8541.29.0000	4.000	2 N-Kanal		60V	9A (Tc)		18 mOhm bei 9 A, 10 V	2,2 V bei 250 µA	47 nC bei 10 V		2180pF bei 30V	Standard
G33N03D52	0,6600	Anfrage	4	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	DFN5*6		MOSFET (Metalloxid)		DFN5*6	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	5.000		N-Kanal	30 V	33A (Tc)	4,5 V, 10 V	13 mOhm bei 16 A, 10 V	3 V bei 250 µA	17,5 nC bei 10 V	±20V	782 pF bei 15 V		29W (Tc)
G60N04D52	0,8700	Anfrage	5	Goford Semiconductor	TrenchFET®	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerTDFN	G60	MOSFET (Metalloxid)	20W (Tc)	8-DFN (4,9 x 5,75)	herunterladen	RoHS-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	5.000			40V	35A (Tc)		9 mOhm bei 20 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	27 nC bei 10 V		1998pF bei 20V	Standard
GT009N04D5	0,7705	Anfrage	1870	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerTDFN		MOSFET (Metalloxid)		8-DFN (4,9 x 5,75)	-	RoHS-konform		REACH Unberührt	3141-GT009N04D5TR	EAR99	8541.29.0000	5.000		N-Kanal	45 V	100A (Tc)	4,5 V, 10 V	1,3 mOhm bei 20 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	86 nC bei 10 V	±20V	6864 pF bei 20 V	-	125 W (Tc)
G15P04K	0,6200	Anfrage	4	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Tab), SC-63		MOSFET (Metalloxid)		TO-252 (DPAK)	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	2.500		P-Kanal	40 V	15A		39 mOhm bei 10 A, 10 V	3 V bei 250 µA	25 nC bei 10 V	±20V	930 pF bei 20 V		50W
18N20F	0,4150	Anfrage	6	Goford Semiconductor	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3 Komplettpaket		MOSFET (Metalloxid)		TO-220F	herunterladen	ROHS3-konform		REACH Unberührt		EAR99		50		N-Kanal	200 V	18A (Tc)	10V	190 mOhm bei 9 A, 10 V	3 V bei 250 µA	17,7 nC bei 10 V	±20V	836 pF bei 25 V	-	110 W (Tc)
G7P03D2	0,1141	Anfrage	5430	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	6-WDFN freiliegendes Pad		MOSFET (Metalloxid)		6-DFN (2x2)	-	RoHS-konform		REACH Unberührt	3141-G7P03D2TR	EAR99	8541.29.0000	3.000		P-Kanal	30 V	7A (Tc)	4,5 V, 10 V	20,5 mOhm bei 1 A, 10 V	1,1 V bei 250 µA	19 nC bei 4,5 V	±20V	1900 pF bei 15 V	-	1,3 W (Tc)
GT025N06AD5	1.8300	Anfrage	4	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerTDFN		MOSFET (Metalloxid)		8-DFN (4,9 x 5,75)	herunterladen	RoHS-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	5.000		N-Kanal	60 V	170A (Tc)	4,5 V, 10 V	2,2 mOhm bei 20 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	81 nC bei 10 V	±20V	5044 pF bei 30 V	-	104W (Tc)
G160N04K	0,4900	Anfrage	4	Goford Semiconductor	TrenchFET®	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Tab), SC-63		MOSFET (Metalloxid)		TO-252	herunterladen	RoHS-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	2.500		N-Kanal	40 V	25A (Tc)	4,5 V, 10 V	15 mOhm bei 8 A, 10 V	2V bei 250µA	20 nC bei 10 V	±20V	1010 pF bei 20 V	Standard	43W (Tc)
G45P02D3	0,6100	Anfrage	4	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerVDFN		MOSFET (Metalloxid)		8-DFN (3,15 x 3,05)	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	5.000		P-Kanal	20 V	45A		9,5 mOhm bei 10 A, 4,5 V	1 V bei 250 µA	55 nC bei 4,5 V	±12V	3500 pF bei 10 V		80W
60N06	0,7200	Anfrage	3	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Tab), SC-63		MOSFET (Metalloxid)		TO-252 (DPAK)	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal	60 V	50A		17 mOhm bei 5 A, 10 V	2V bei 250µA	50 nC bei 10 V	±20V	2050 pF bei 30 V		85W
5P40	0,0440	Anfrage	90	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-3	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	3.000		P-Kanal	40 V	5,3A (Ta)	4,5 V, 10 V	85 mOhm bei 5 A, 10 V	3 V bei 250 µA	14 nC bei 10 V	±20V	650 pF bei 20 V	-	2W (Ta)
G16P03D3	0,6100	Anfrage	9	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerVDFN		MOSFET (Metalloxid)		8-DFN (3,15 x 3,05)	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	5.000		P-Kanal	30 V	16A (Tc)	4,5 V, 10 V	12 mOhm bei 10 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	35 nC bei 10 V	±20V	1995 pF bei 15 V	-	3W (Tc)
GT700P08D3	0,7400	Anfrage	5	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerVDFN		MOSFET (Metalloxid)		8-DFN (3,15 x 3,05)	herunterladen	RoHS-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	5.000		P-Kanal	80 V	16A (Tc)	10V	75 mOhm bei 2 A, 10 V	3,5 V bei 250 µA	75 nC bei 10 V	±20V	1591 pF bei 40 V	-	69W (Tc)
GT700P08K	0,8200	Anfrage	2	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Tab), SC-63		MOSFET (Metalloxid)		TO-252	herunterladen	RoHS-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	2.500		P-Kanal	60 V	20A (Tc)	10V	72 mOhm bei 2 A, 10 V	3,5 V bei 250 µA	75 nC bei 10 V	±20V	1615 pF bei 40 V	-	125 W (Tc)
G800N06H	0,4400	Anfrage	2	Goford Semiconductor	TrenchFET®	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-261-4, TO-261AA		MOSFET (Metalloxid)		SOT-223	herunterladen	RoHS-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	2.500		N-Kanal	60 V	3A (Tc)	4,5 V, 10 V	80 mOhm bei 3 A, 10 V	1,2 V bei 250 µA	6 nC bei 4,5 V	±20V	457 pF bei 30 V	Standard	1,2 W (Tc)
G6N02L	0,4100	Anfrage	4	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-3	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-Kanal	20 V	6A (Tc)	2,5 V, 4,5 V	11,3 mOhm bei 3 A, 4,5 V	900 mV bei 250 µA	12,5 nC bei 10 V	±12V	1140 pF bei 10 V	Standard	1,8 W (Tc)
G160P03KI	0,4900	Anfrage	4	Goford Semiconductor	TrenchFET®	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Tab), SC-63		MOSFET (Metalloxid)		TO-252	herunterladen	RoHS-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	2.500		P-Kanal	30 V	30A (Tc)	4,5 V, 10 V	16 mOhm bei 10 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	31,2 nC bei 10 V	±20V	1811 pF bei 15 V	Standard	60 W (Tc)
GT080N10M	1.5200	Anfrage	788	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB		MOSFET (Metalloxid)		TO-263	herunterladen	RoHS-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	800		N-Kanal	100 V	70A (Tc)	4,5 V, 10 V	7,5 mOhm bei 20 A, 10 V	3 V bei 250 µA	35 nC bei 10 V	±20V	2125 pF bei 50 V	-	100 W (Tc)
G1K3N10LL	0,4000	Anfrage	3	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SOT-23-6		MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-6L	herunterladen	RoHS-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	3.000		N-Kanal	100 V	3,4A (Tc)	4,5 V, 10 V	130 mOhm bei 1 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	22 nC bei 10 V	±20V	808 pF bei 50 V	-	2,28 W (Tc)
G2312	0,4300	Anfrage	2	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (Metalloxid)		SOT-23	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-Kanal	20 V	5A		18 mOhm bei 4,2 A, 10 V	1 V bei 250 µA	11 nC bei 4,5 V	±12V	780 pF bei 10 V		1,25 W
G65P06T	0,4530	Anfrage	10	Goford Semiconductor	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3		MOSFET (Metalloxid)		TO-220	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	50		P-Kanal	60 V	65A (Tc)	10V	18 mOhm bei 20 A, 10 V	3,5 V bei 250 µA	75 nC bei 10 V	±20V	5814 pF bei 25 V	-	130 W (Tc)
G1K2C10S2	0,1990	Anfrage	4	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)		MOSFET (Metalloxid)	2 W (Tc), 3,1 W (Tc)	8-SOP	herunterladen	RoHS-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	4.000	-		100V	3A (Tc), 3,5A (Tc)		130 mOhm bei 5 A, 10 V, 200 mOhm bei 3 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	22 nC bei 10 V, 23 nC bei 10 V		668 pF bei 50 V, 1732 pF bei 50 V	Standard
G4953S	0,0970	Anfrage	4	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)	G4953	MOSFET (Metalloxid)	2,5 W (Tc)	8-SOP	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	4.000	2 P-Kanal (Dual)		30V	5A (Tc)		60 mOhm bei 5 A, 10 V	3 V bei 250 µA	11 nC bei 10 V		520pF bei 15V	-