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Diskrete Halbleiterprodukte(324)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Technologie	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	Andere Namen	ECCN	HTSUS	Standardpaket	FET-Typ	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)
G75P04KI	0,3822	Anfrage	3046	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63	MOSFET (Metalloxid)	TO-252	-	RoHS-konform		REACH Unberührt	3141-G75P04KITR	EAR99	8541.29.0000	2.500	P-Kanal	40 V	70A (Tc)	4,5 V, 10 V	6,5 mOhm bei 20 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	106 nC bei 10 V	±20V	6586 pF bei 20 V	-	130 W (Tc)
G40P03K	0,6300	Anfrage	2	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63	MOSFET (Metalloxid)	TO-252	herunterladen		3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	2.500	P-Kanal	30 V	40A (Tc)	4,5 V, 10 V	9,5 mOhm bei 15 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	30 nC bei 10 V	±20V		-	138 W (Tc)
G1003A	0,4300	Anfrage	1	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET (Metalloxid)	SOT-23-3	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	3.000	N-Kanal	100 V	3A (Tc)	4,5 V, 10 V	210 mOhm bei 3 A, 10 V	3 V bei 250 µA	18,2 nC bei 10 V	±20V	622 pF bei 25 V	-	5W (Tc)
GT045N10M	1.8200	Anfrage	754	Goford Semiconductor	SGT	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB	MOSFET (Metalloxid)	TO-263	herunterladen	RoHS-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	800	N-Kanal	100 V	120A (Tc)	10V	4,5 mOhm bei 30 A, 10 V	4 V bei 250 µA	60 nC bei 10 V	±20V	4198 pF bei 50 V	Standard	180 W (Tc)
G230P06S	0,8300	Anfrage	3	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)	MOSFET (Metalloxid)	8-SOP	herunterladen	RoHS-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	4.000	P-Kanal	60 V	9A (Tc)	10V	23 mOhm bei 5 A, 10 V	4 V bei 250 µA	62 nC bei 10 V	±20V	4784 pF bei 30 V	-	3W (Tc)
1216D2	0,1085	Anfrage	9958	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	6-WDFN freiliegendes Pad	MOSFET (Metalloxid)	6-DFN (2x2)	-	RoHS-konform		REACH Unberührt	3141-1216D2TR	EAR99	8541.29.0000	3.000	P-Kanal	12 V	16A (Tc)	2,5 V, 4,5 V	21 mOhm bei 1 A, 4,5 V	1,2 V bei 250 µA	48 nC bei 4,5 V	±8V	2700 pF bei 10 V	-	18W (Tc)
GC11N65M	1.7300	Anfrage	778	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB	MOSFET (Metalloxid)	TO-263	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	800	N-Kanal	650 V	11A (Tc)	10V	360 mOhm bei 5,5 A, 10 V	4 V bei 250 µA	21 nC bei 10 V	±30V	768 pF bei 50 V	-	78W (Tc)
GT52N10D5I	0,3840	Anfrage	2219	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerTDFN	MOSFET (Metalloxid)	8-DFN (4,9 x 5,75)	-	RoHS-konform		REACH Unberührt	3141-GT52N10D5ITR	EAR99	8541.29.0000	5.000	N-Kanal	100 V	65A (Tc)	4,5 V, 10 V	8 Ohm bei 20 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	35 nC bei 10 V	±20V	2428 pF bei 50 V	-	79W (Tc)
GT080N10T	-	Anfrage	9542	Goford Semiconductor	GT	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3	MOSFET (Metalloxid)	TO-220	herunterladen	ROHS3-konform		REACH Unberührt		EAR99		50	N-Kanal	100 V	70A (Tc)	4,5 V, 10 V	8 mOhm bei 50 A, 10 V	3 V bei 250 µA	35 nC bei 10 V	±20V	2257 pF bei 50 V	-	100 W (Tc)
G02P06	0,4100	Anfrage	6	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET (Metalloxid)	SOT-23	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	3.000	P-Kanal	60 V	1,6A		190 mOhm bei 1 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	11,3 nC bei 10 V	±20V	573 pF bei 30 V		1,5 W
GT025N06AM	1.7000	Anfrage	791	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB	MOSFET (Metalloxid)	TO-263	herunterladen	RoHS-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	800	N-Kanal	60 V	170A (Tc)	4,5 V, 10 V	2,5 mOhm bei 20 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	70 nC bei 10 V	±20V	5119 pF bei 30 V	-	215 W (Tc)
GT6K2P10KH	-	Anfrage	7588	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63	MOSFET (Metalloxid)	TO-252	herunterladen	RoHS-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	2.500	P-Kanal	100 V	4,3A (Tc)	10V	670 mOhm bei 1 A, 10 V	3 V bei 250 µA	10 nC bei 10 V	±20V	247 pF bei 50 V	-	25W (Tc)
GT100N12T	1.5500	Anfrage	198	Goford Semiconductor	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3	MOSFET (Metalloxid)	TO-220	herunterladen	ROHS3-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	50	N-Kanal	120 V	70A (Tc)	10V	10 mOhm bei 35 A, 10 V	3,5 V bei 250 µA	50 nC bei 10 V	±20V	3050 pF bei 60 V	-	120 W (Tc)
GT060N04K	0,7900	Anfrage	2	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63	MOSFET (Metalloxid)	TO-252	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt	3141-GT060N04KTR	EAR99	8541.29.0095	2.500	N-Kanal	40 V	54A (Tc)	4,5 V, 10 V	5,5 mOhm bei 30 A, 10 V	2,3 V bei 250 µA	19 nC bei 10 V	±20V	1279 pF bei 20 V	-	44W (Tc)
G2003A	0,0740	Anfrage	9	Goford Semiconductor	G	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET (Metalloxid)	SOT-23-3	herunterladen	ROHS3-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	3.000	N-Kanal	190 V	3A (Ta)	4,5 V, 10 V	540 mOhm bei 2 A, 10 V	3 V bei 250 µA	12 nC bei 10 V	±20V	580 pF bei 25 V	-	1,8 W (Ta)
G08N02H	0,1141	Anfrage	1671	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-261-4, TO-261AA	MOSFET (Metalloxid)	SOT-223	-	RoHS-konform		REACH Unberührt	3141-G08N02HTR	EAR99	8541.29.0000	2.500	N-Kanal	20 V	12A (Tc)	2,5 V, 4,5 V	11,3 mOhm bei 1 A, 4,5 V	900 mV bei 250 µA	12,5 nC bei 4,5 V	±12V	1255 pF bei 10 V	-	1,7 W (Tc)
G80N03K	0,8300	Anfrage	2	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63	MOSFET (Metalloxid)	TO-252	herunterladen	RoHS-konform	3 (168 Stunden)			EAR99	8541.29.0000	2.500	N-Kanal	30 V	80A (Tc)	4,5 V, 10 V	6,5 mOhm bei 25 A, 10 V	2V bei 250µA	42 nC bei 10 V	±20V	1950 pF bei 15 V	-	69W (Tc)
GT060N04T	0,8700	Anfrage	343	Goford Semiconductor	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3	MOSFET (Metalloxid)	TO-220	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	50	N-Kanal	40 V	60A (Tc)	4,5 V, 10 V	6 mOhm bei 30 A, 10 V	2,3 V bei 250 µA	19 nC bei 10 V	±20V	1301 pF bei 20 V	-	48W (Tc)
G1002L	0,4700	Anfrage	2	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET (Metalloxid)	SOT-23-3L	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	3.000	N-Kanal	100 V	2A		250 mOhm bei 2 A, 10 V	2V bei 250µA	10 nC bei 10 V	±20V	413 pF bei 50 V		1,3 W
GT110N06D3	0,7200	Anfrage	7051	Goford Semiconductor	SGT	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerVDFN	MOSFET (Metalloxid)	8-DFN (3,15 x 3,05)	herunterladen	ROHS3-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	5.000	N-Kanal	60 V	35A (Tc)	4,5 V, 10 V	11 mOhm bei 14 A, 10 V	2,4 V bei 250 µA	24 nC bei 10 V	±20V	1059 pF bei 30 V	Standard	25W (Tc)
G06P01E	0,4300	Anfrage	9	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MOSFET (Metalloxid)	SOT-23-3	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	3.000	P-Kanal	12 V	4A (Tc)	1,8 V, 4,5 V	28 mOhm bei 3 A, 4,5 V	1 V bei 250 µA	14 nC bei 4,5 V	±10V	1087 pF bei 6 V	-	1,8 W (Tc)
20N06	0,1969	Anfrage	2629	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63	MOSFET (Metalloxid)	TO-252	-	RoHS-konform		REACH Unberührt	3141-20N06TR	EAR99	8541.29.0000	2.500	N-Kanal	60 V	25A (Tc)	4,5 V, 10 V	24 mOhm bei 20 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	25 nC bei 10 V	±20V	1609 pF bei 30 V	-	41W (Tc)
G130N06S	0,1950	Anfrage	8	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)	MOSFET (Metalloxid)	8-SOP	herunterladen	RoHS-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	4.000	N-Kanal	60 V	9A (Tc)	4,5 V, 10 V	12 mOhm bei 10 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	67 nC bei 10 V	±20V	3068 pF bei 30 V	-	2,6 W (Tc)
G050N06LL	0,0750	Anfrage	120	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SOT-23-6	MOSFET (Metalloxid)	SOT-23-6L	herunterladen	RoHS-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	3.000	N-Kanal	60 V	5A (Tc)	4,5 V, 10 V	45 mOhm bei 5 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	26,4 nC bei 10 V	±20V	1343 pF bei 30 V	-	1,25 W (Tc)
G700P06LL	0,0750	Anfrage	9	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SOT-23-6	MOSFET (Metalloxid)	SOT-23-6L	herunterladen	ROHS3-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	3.000	P-Kanal	60 V	5A (Tc)	4,5 V, 10 V	75 mOhm bei 3,2 A, 10 V	3 V bei 250 µA	15,8 nC bei 10 V	±20V	1456 pF bei 30 V	-	3,1 W (Tc)
G65P06D5	1.1300	Anfrage	3	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerTDFN	MOSFET (Metalloxid)	8-DFN (4,9 x 5,75)	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	5.000	P-Kanal	60 V	60A (Tc)	10V	18 mOhm bei 20 A, 10 V	3,5 V bei 250 µA	75 nC bei 10 V	±20V	5814 pF bei 25 V	-	130 W (Tc)
GT130N10M	1.0400	Anfrage	800	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB	MOSFET (Metalloxid)	TO-263	herunterladen	RoHS-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	800	N-Kanal	100 V	60A (Tc)	10V	12 mOhm bei 20 A, 10 V	4 V bei 250 µA	18 nC bei 10 V	±20V	1222 pF bei 50 V	-	73,5 W (Tc)
18N20J	0,9300	Anfrage	141	Goford Semiconductor	TrenchFET®	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA	MOSFET (Metalloxid)	TO-251	herunterladen	RoHS-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	75	N-Kanal	200 V	18A (Tc)	10V	160 mOhm bei 9 A, 10 V	3 V bei 250 µA	17,7 nC bei 10 V	±30V	836 pF bei 25 V	Standard	65,8 W (Tc)
G08P06D3	0,6400	Anfrage	604	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerVDFN	MOSFET (Metalloxid)	8-DFN (3,15 x 3,05)	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	5.000	P-Kanal	60 V	8A (Tc)	10V	52 mOhm bei 6 A, 10 V	3,5 V bei 250 µA	25 nC bei 10 V	±20V	2972 pF bei 30 V	-	40 W (Tc)
GC120N65QF	6.5200	Anfrage	30	Goford Semiconductor	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3	MOSFET (Metalloxid)	TO-247	herunterladen	RoHS-konform	Nicht anwendbar	REACH Unberührt	3141-GC120N65QF	EAR99	8541.29.0000	30	N-Kanal	650 V	30A (Tc)	10V	120 mOhm bei 38 A, 10 V	5 V bei 250 µA	68 nC bei 10 V	±30V	3100 pF bei 275 V	-	96,1 W (Tc)