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Diskrete Halbleiterprodukte(324)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Technologie	Leistung – max	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	Andere Namen	ECCN	HTSUS	Standardpaket	Konfiguration	FET-Typ	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)
G700P06T	0,6800	Anfrage	4406	Goford Semiconductor	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3		MOSFET (Metalloxid)		TO-220	herunterladen	ROHS3-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	50		P-Kanal	60 V	25A (Tc)	4,5 V, 10 V	70 mOhm bei 4 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	23 nC bei 10 V	±20V	1428 pF bei 30 V	-	100 W (Tc)
G1K8P06S2	0,0970	Anfrage	4	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)		MOSFET (Metalloxid)	2W (Tc)	8-SOP	herunterladen	RoHS-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	4.000	2 P-Kanal		60V	3,2A (Tc)		170 mOhm bei 1 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	11,3 nC bei 10 V		594pF bei 30V	Standard
G130N06M	0,3210	Anfrage	4	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB		MOSFET (Metalloxid)		TO-263	herunterladen	RoHS-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	800		N-Kanal	60 V	90A (Tc)	4,5 V, 10 V	12 mOhm bei 20 A, 10 V	2,4 V bei 250 µA	36,6 nC bei 10 V	±20V	2867 pF bei 30 V	-	85W (Tc)
GT080N10K	1.5700	Anfrage	2	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63		MOSFET (Metalloxid)		TO-252	herunterladen	RoHS-konform	3 (168 Stunden)			EAR99	8541.29.0000	2.500		N-Kanal	100 V	75A (Tc)	4,5 V, 10 V	8 mOhm bei 50 A, 10 V	3 V bei 250 µA	70 nC bei 10 V	±20V	2056 pF bei 50 V	-	100 W (Tc)
G05NP04S	0,1527	Anfrage	1938	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)		MOSFET (Metalloxid)	2W (Tc)	8-SOP	-	RoHS-konform		REACH Unberührt	3141-G05NP04STR	EAR99	8541.29.0000	4.000	-		40V	4,5 A (Tc), 10 A (Tc)		41 mOhm bei 1 A, 10 V, 37 mOhm bei 10 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	8,9 nC bei 10 V, 13 nC bei 10 V		516 pF bei 20 V, 520 pF bei 20 V	Standard
GT013N04D5	0,5251	Anfrage	4507	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerTDFN		MOSFET (Metalloxid)		8-DFN (4,9 x 5,75)	-	RoHS-konform		REACH Unberührt	3141-GT013N04D5TR	EAR99	8541.29.0000	5.000		N-Kanal	40 V	195A (Tc)	10V	1,7 mOhm bei 30 A, 10 V	4 V bei 250 µA	50 nC bei 10 V	±20V	3927 pF bei 20 V	-	78W (Tc)
G300P06D5	0,9100	Anfrage	5140	Goford Semiconductor	G	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerTDFN		MOSFET (Metalloxid)		8-DFN (4,9 x 5,75)	herunterladen	ROHS3-konform		REACH Unberührt		EAR99		5.000		P-Kanal	60 V	40A (Tc)	10V	30 mOhm bei 10 A, 10 V	3 V bei 250 µA	49 nC bei 10 V	±20V	2705 pF bei 30 V	-	50 W (Tc)
2002A	0,1098	Anfrage	8180	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SOT-23-6		MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-6L	-	RoHS-konform		REACH Unberührt	3141-2002ATR	EAR99	8541.29.0000	3.000		N-Kanal	190 V	5A (Tc)	4,5 V, 10 V	540 mOhm bei 1 A, 10 V	3 V bei 250 µA	16 nC bei 10 V	±20V	733 pF bei 100 V	-	1,4 W (Tc)
G16N03S	0,1160	Anfrage	4	Goford Semiconductor	G	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)		MOSFET (Metalloxid)		8-SOP	herunterladen	ROHS3-konform		REACH Unberührt		EAR99		4.000		N-Kanal	30 V	16A (Tc)	5V, 10V	10 mOhm bei 10 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	16,6 nC bei 10 V	±20V	950 pF bei 15 V	-	2,5 W (Tc)
6703	0,0777	Anfrage	7826	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SOT-23-6		MOSFET (Metalloxid)	1,1 W (Ta)	SOT-23-6L	-	RoHS-konform		REACH Unberührt	3141-6703TR	EAR99	8541.29.0000	3.000	-		20V	2,9 A (Ta), 3 A (Ta)		59 mOhm bei 2,5 A, 2,5 V, 110 mOhm bei 3 A, 4,5 V	1,2 V bei 250 µA, 1 V bei 250 µA	-		300 pF bei 10 V, 405 pF bei 10 V	Standard
GT060N04D3	0,6600	Anfrage	13	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerVDFN		MOSFET (Metalloxid)		8-DFN (3,15 x 3,05)	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	5.000		N-Kanal	40 V	40A (Tc)	4,5 V, 10 V	6,5 mOhm bei 30 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	32 nC bei 10 V	±20V	1282 pF bei 20 V	-	36W (Tc)
G45P40T	0,9400	Anfrage	399	Goford Semiconductor	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3		MOSFET (Metalloxid)		TO-220	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	50		P-Kanal	40 V	45A (Tc)	4,5 V, 10 V	16 mOhm bei 30 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	42 nC bei 10 V	±20V	3269 pF bei 20 V	-	80 W (Tc)
GT065P06T	1.6800	Anfrage	25	Goford Semiconductor	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3		MOSFET (Metalloxid)		TO-220	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	50		P-Kanal	60 V	82A (Tc)	4,5 V, 10 V	7,5 mOhm bei 20 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	62 nC bei 10 V	±20V	5335 pF bei 30 V	-	150 W (Tc)
G75P04F	1.2000	Anfrage	48	Goford Semiconductor	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3 Komplettpaket		MOSFET (Metalloxid)		TO-220F	herunterladen	RoHS-konform	Nicht anwendbar	REACH Unberührt	3141-G75P04F	EAR99	8541.29.0000	50		P-Kanal	40 V	54A (Tc)	4,5 V, 10 V	7 mOhm bei 10 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	106 nC bei 10 V	±20V	6768 pF bei 20 V	-	35,7 W (Tc)
G085P02TS	0,5900	Anfrage	5	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-TSSOP (0,173", 4,40 mm Breite)		MOSFET (Metalloxid)		8-TSSOP	herunterladen	RoHS-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	5.000		P-Kanal	20 V	8,2A (Tc)	1,8 V, 4,5 V	8,5 mOhm bei 4,2 A, 4,5 V	900 mV bei 250 µA	29 nC bei 10 V	±8V	1255 pF bei 10 V	-	1,05 W (Tc)
G33N03S	0,4000	Anfrage	3	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)		MOSFET (Metalloxid)		8-SOP	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	4.000		N-Kanal	30 V	13A (Tc)	4,5 V, 10 V	12 mOhm bei 8 A, 10 V	1,1 V bei 250 µA	13 nC bei 5 V	±20V	1550 pF bei 15 V	-	2,5 W (Tc)
G230P06F	0,9800	Anfrage	50	Goford Semiconductor	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3 Komplettpaket		MOSFET (Metalloxid)		TO-220F	herunterladen	RoHS-konform	Nicht anwendbar	REACH Unberührt	3141-G230P06F	EAR99	8541.29.0000	50		P-Kanal	60 V	42A (Tc)	10V	23 mOhm bei 10 A, 10 V	4 V bei 250 µA	62 nC bei 10 V	±20V	4669 pF bei 30 V	-	67,57 W (Tc)
G06N06S2	0,2669	Anfrage	4744	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)		MOSFET (Metalloxid)	2,1 W (Tc)	8-SOP	-	RoHS-konform		REACH Unberührt	3141-G06N06S2TR	EAR99	8541.29.0000	4.000	2 N-Kanal		60V	6A (Tc)		25 mOhm bei 6 A, 10 V	2,4 V bei 250 µA	46 nC bei 10 V		1600pF bei 30V	Standard
G06NP06S2	0,8300	Anfrage	11	Goford Semiconductor	TrenchFET®	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOP	G06N	MOSFET (Metalloxid)	2W (Tc), 2,5W (Tc)	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	4.000	N- und P-Kanal			6A (Tc)		35 mOhm bei 6 A, 10 V, 45 mOhm bei 5 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA, 3,5 V bei 250 µA	22 nC bei 10 V, 25 nC bei 10 V			Standard
G75P04T	-	Anfrage	4272	Goford Semiconductor	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3		MOSFET (Metalloxid)		TO-220	herunterladen	RoHS-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	50		P-Kanal	40 V	70A (Tc)	4,5 V, 10 V	7 mOhm bei 20 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	106 nC bei 10 V	±20V	6985 pF bei 20 V	-	277W (Tc)
G2304	0,4400	Anfrage	8	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-3	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-Kanal	30 V	3,6A (Ta)	4,5 V, 10 V	58 mOhm bei 3,6 A, 10 V	2,2 V bei 250 µA	4 nC bei 10 V	±20V	230 pF bei 15 V	Standard	1,7 W (Ta)
GT045N10T	1.8300	Anfrage	91	Goford Semiconductor	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3		MOSFET (Metalloxid)		TO-220	herunterladen	RoHS-konform		REACH Unberührt	3141-GT045N10T	EAR99	8541.29.0000	50		N-Kanal	100 V	150A (Tc)	10V	4,8 mOhm bei 20 A, 10 V	4 V bei 250 µA	73 nC bei 10 V	±20V	4198 pF bei 50 V	-	156 W (Tc)
G1003B	0,3700	Anfrage	9	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-3L	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-Kanal	100 V	3A		130 mOhm bei 1 A, 10 V	2V bei 250µA	30 nC bei 10 V	±20V	760 pF bei 50 V		3,3 W
G15N10C	0,6200	Anfrage	463	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63		MOSFET (Metalloxid)		TO-252	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal	100 V	15A (Tc)	4,5 V, 10 V	110 mOhm bei 8 A, 10 V	3 V bei 250 µA	22 nC bei 10 V	±20V		-	42W (Tc)
G2K8P15K	0,7500	Anfrage	2	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63		MOSFET (Metalloxid)		TO-252	herunterladen	RoHS-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	2.500		P-Kanal	150 V	12A (Tc)	10V	310 mOhm bei 1 A, 10 V	3,5 V bei 250 µA	11 nC bei 10 V	±20V	953 pF bei 75 V	-	59W (Tc)
G2014	0,4200	Anfrage	2	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	6-WDFN freiliegendes Pad		MOSFET (Metalloxid)		6-DFN (2x2)	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-Kanal	20 V	14A (Tc)	2,5 V, 10 V	7 mOhm bei 5 A, 10 V	900 mV bei 250 µA	17,5 nC bei 4,5 V	±12V	1710 pF bei 10 V	-	3W (Tc)
G700P06D3	0,5200	Anfrage	4	Goford Semiconductor	G	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerVDFN		MOSFET (Metalloxid)		8-DFN (3,15 x 3,05)	herunterladen	ROHS3-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	5.000		P-Kanal	60 V	18A (Tc)	4,5 V, 10 V	70 mOhm bei 4 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	25 nC bei 10 V	±20V	1446 pF bei 30 V	-	32W (Tc)
GT023N10T	3.4200	Anfrage	100	Goford Semiconductor	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3		MOSFET (Metalloxid)		TO-220	herunterladen	RoHS-konform		REACH Unberührt	3141-GT023N10T	EAR99	8541.29.0000	50		N-Kanal	100 V	140A (Tc)	10V	2,7 mOhm bei 20 A, 10 V	4,3 V bei 250 µA	90 nC bei 10 V	±20V	8086 pF bei 50 V	-	500 W (Tc)
G1K1P06LL	0,3900	Anfrage	2	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SOT-23-6		MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-6L	herunterladen	RoHS-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	3.000		P-Kanal	60 V	3A (Tc)	4,5 V, 10 V	110 mOhm bei 2 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	25 nC bei 10 V	±20V	1035 pF bei 30 V	-	1,5 W (Tc)
G050P03T	1.1700	Anfrage	26	Goford Semiconductor	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3		MOSFET (Metalloxid)		TO-220	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	50		P-Kanal	30 V	85A (Tc)	4,5 V, 10 V	5 mOhm bei 20 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	111 nC bei 10 V	±20V	6922 pF bei 15 V	-	100 W (Tc)