Anfrage
Stückliste
Kontaktieren Sie uns

Tel: +86-0755-83501315

E-Mail:sales@sic-components.com

Anmelden

Deutsch

Diskrete Halbleiterprodukte(324)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Technologie	Leistung – max	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	Andere Namen	ECCN	HTSUS	Standardpaket	Konfiguration	FET-Typ	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)
GT180P08T	1.7100	Anfrage	5202	Goford Semiconductor	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3		MOSFET (Metalloxid)		TO-220	herunterladen	RoHS-konform		REACH Unberührt	3141-GT180P08T	EAR99	8541.29.0000	50		P-Kanal	40 V	89A (Tc)	4,5 V, 10 V	17 mOhm bei 20 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	62 nC bei 10 V	±20V	6040 pF bei 40 V	-	245 W (Tc)
G58N06K	0,6400	Anfrage	2	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63		MOSFET (Metalloxid)		TO-252	herunterladen	RoHS-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	2.500		N-Kanal	60 V	58A (Tc)	4,5 V, 10 V	13 mOhm bei 30 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	36 nC bei 10 V	±20V	2841 pF bei 30 V	-	71W (Tc)
G075N06MI	1.4000	Anfrage	757	Goford Semiconductor	TrenchFET®	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB		MOSFET (Metalloxid)		TO-263	herunterladen	RoHS-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	1.600		N-Kanal	60 V	110A (Tc)	10V	7 mOhm bei 20 A, 10 V	4 V bei 250 µA	90 nC bei 10 V	±20V	6443 pF bei 30 V	Standard	160 W (Tc)
G450N10D52	0,8700	Anfrage	4	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerTDFN	G450		80 W (Tc)	8-DFN (4,9 x 5,75)	herunterladen	RoHS-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	5.000			100V	35A (Tc)		45 mOhm bei 10 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	26 nC bei 10 V		2196pF bei 50V	Standard
6706A	0,4600	Anfrage	4	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)		MOSFET (Metalloxid)	2W (Tc)	8-SOP	herunterladen	RoHS-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	4.000	-		30V	6,5A (Ta), 5A (Ta)		30 mOhm bei 5 A, 10 V, 60 mOhm bei 4 A, 10 V		5,2 nC bei 10 V, 9,2 nC bei 10 V		255 pF bei 15 V, 520 pF bei 15 V	Standard
GT100N12D5	1.5600	Anfrage	9365	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerVDFN		MOSFET (Metalloxid)		8-DFN (5x6)	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	5.000		N-Kanal	120 V	70A		10 mOhm bei 35 A, 10 V	3,5 V bei 250 µA	50 nC bei 10 V	±20V	3050 pF bei 60 V		120W
G48N03D3	0,6100	Anfrage	5	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerVDFN		MOSFET (Metalloxid)		8-DFN (3,15 x 3,05)	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	5.000		N-Kanal	30 V	48A (Tc)	4,5 V, 10 V	6 mOhm bei 20 A, 10 V	2,4 V bei 250 µA	38 nC bei 10 V	±20V	1784 pF bei 15 V	-	45W (Tc)
GT080N10TI	1.3440	Anfrage	9530	Goford Semiconductor	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3		MOSFET (Metalloxid)		TO-220	-	RoHS-konform		REACH Unberührt	3141-GT080N10TI	EAR99	8541.29.0000	50		N-Kanal	100 V	65A (Tc)	4,5 V, 10 V	8 mOhm bei 20 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	35 nC bei 10 V	±20V	2328 pF bei 50 V	-	100 W (Tc)
G800P06LL	0,1040	Anfrage	8171	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SOT-23-6		MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-6L	-	RoHS-konform		REACH Unberührt	3141-G800P06LLTR	EAR99	8541.29.0000	3.000		P-Kanal	60 V	3,5 A (Tc)	4,5 V, 10 V	80 mOhm bei 3,1 A, 10 V	3 V bei 250 µA	12 nC bei 4,5 V	±20V	650 pF bei 30 V	-	2W (Tc)
G08N06S	0,4600	Anfrage	7	Goford Semiconductor	G	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)		MOSFET (Metalloxid)		8-SOP	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	4.000		N-Kanal	60 V	6A (Ta)	4,5 V, 10 V	30 mOhm bei 3 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	22 nC bei 10 V	±20V	979 pF bei 30 V	-	2W (Ta)
G75P04D5I	0,3673	Anfrage	2339	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerTDFN		MOSFET (Metalloxid)		8-DFN (4,9 x 5,75)	-	RoHS-konform		REACH Unberührt	3141-G75P04D5ITR	EAR99	8541.29.0000	5.000		P-Kanal	40 V	70A (Tc)	4,5 V, 10 V	6,5 mOhm bei 20 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	106 nC bei 10 V	±20V	6414 pF bei 20 V	-	150 W (Tc)
G50N03J	0,6000	Anfrage	3	Goford Semiconductor	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-251-3 Stichleitungen, IPak		MOSFET (Metalloxid)		TO-251	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	75		N-Kanal	30 V	65A (Tc)	4,5 V, 10 V	7 mOhm bei 20 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	16,6 nC bei 10 V	±20V	1255 pF bei 15 V	-	48W (Tc)
G080P06M	1.8900	Anfrage	301	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB		MOSFET (Metalloxid)		TO-263	herunterladen	RoHS-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	800		P-Kanal	60 V	195A (Tc)	10V	7,5 mOhm bei 20 A, 10 V	4 V bei 250 µA	186 nC bei 10 V	±20V	15870 pF bei 30 V	-	294 W (Tc)
GT52N10T	1.6700	Anfrage	186	Goford Semiconductor	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3 Komplettpaket		MOSFET (Metalloxid)		TO-220	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	50		N-Kanal	100 V	80A		9 mOhm bei 50 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	44,5 nC bei 10 V	±20V	2626 pF bei 50 V		227W
G230P06T	1.0300	Anfrage	3	Goford Semiconductor	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3		MOSFET (Metalloxid)		TO-220	herunterladen	RoHS-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	50		P-Kanal	60 V	60A (Tc)	10V	20 mOhm bei 10 A, 10 V	4 V bei 250 µA	62 nC bei 10 V	±20V	4499 pF bei 30 V	-	115 W (Tc)
G12P10KE	0,1620	Anfrage	50	Goford Semiconductor	G	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63		MOSFET (Metalloxid)		TO-252	herunterladen	ROHS3-konform		REACH Unberührt		EAR99		2.500		P-Kanal	100 V	12A (Tc)	4,5 V, 10 V	200 mOhm bei 6 A, 10 V	3 V bei 250 µA	33 nC bei 10 V	±20V	1720 pF bei 50 V	-	57W (Tc)
G5N02L	0,0771	Anfrage	4824	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-3	-	RoHS-konform		REACH Unberührt	3141-G5N02LTR	EAR99	8541.29.0000	3.000		N-Kanal	20 V	5A (Tc)	2,5 V, 10 V	18 mOhm bei 4,2 A, 10 V	1 V bei 250 µA	11 nC bei 4,5 V	±12V	780 pF bei 10 V	-	1,25 W (Tc)
18N10	0,7200	Anfrage	2	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63		MOSFET (Metalloxid)		TO-252 (DPAK)	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal	100 V	25A		53 mOhm bei 10 A, 10 V	3 V bei 250 µA	28 nC bei 10 V	±20V	1318 pF bei 50 V		62,5 W
G75P04D5	0,9200	Anfrage	5	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerTDFN		MOSFET (Metalloxid)		8-DFN (4,9 x 5,75)	herunterladen	RoHS-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	5.000		P-Kanal	40 V	70A (Tc)	4,5 V, 10 V	6 mOhm bei 20 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	106 nC bei 10 V	±20V	6697 pF bei 20 V	-	150 W (Tc)
G110N06K	0,3400	Anfrage	40	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63		MOSFET (Metalloxid)		TO-252	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal	60 V	110A (Tc)	4,5 V, 10 V	6,4 mOhm bei 4 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	113 nC bei 10 V	±20V	5538 pF bei 25 V	-	160 W (Tc)
G2012	0,4000	Anfrage	2	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	6-WDFN freiliegendes Pad		MOSFET (Metalloxid)		6-DFN (2x2)	herunterladen	ROHS3-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-Kanal	20 V	12A (Tc)	2,5 V, 4,5 V	12 mOhm bei 5 A, 4,5 V	1 V bei 250 µA	29 nC bei 10 V	±10V	1255 pF bei 10 V	-	1,5 W (Tc)
G9435S	0,4400	Anfrage	4	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)		MOSFET (Metalloxid)		8-SOP	herunterladen	RoHS-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0000	4.000		P-Kanal	30 V	5,1A (Ta)	4,5 V, 10 V	55 mOhm bei 5,1 A, 10 V	3 V bei 250 µA	12 nC bei 10 V	±20V	1040 pF bei 15 V	-	2,5 W (Ta)
03N06L	0,4700	Anfrage	6	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (Metalloxid)		SOT-23-3L	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-Kanal	60 V	3A		100 mOhm bei 2 A, 10 V	1,2 V bei 250 µA	14,6 nC bei 30 V	±20V	510 pF bei 30 V		1,7 W
G10N06	0,2305	Anfrage	6785	Goford Semiconductor	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)		MOSFET (Metalloxid)		8-SOP	-	RoHS-konform		REACH Unberührt	3141-G10N06TR	EAR99	8541.29.0000	4.000		N-Kanal	60 V	10A (Tc)	4,5 V, 10 V	16 mOhm bei 9 A, 10 V	2,2 V bei 250 µA	58 nC bei 10 V	±20V	2180 pF bei 30 V	-	2,6 W (Tc)