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Transistoren(8)

Bild	Produktnummer	Preis (USD)	Menge	ECAD	Verfügbare Menge	Gewicht (kg)	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Technologie	Leistung – max	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	ECCN	HTSUS	Standardpaket	FET-Typ	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)	Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (Max)	Strom – Kollektorabschaltung (max.)	Transistortyp	Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	Häufigkeit – Übergang
	S2M0040120K	24.9100	Anfrage		128	0,00000000	SMC-Diodenlösungen	-	Rohr	Aktiv	-	Durchgangsloch	TO-247-4		SiCFET (Siliziumkarbid)		TO-247-4	-	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.10.0080	30	N-Kanal	1200 V	-	-	-	-		-		-	-
	S2M0040120D	24.5300	Anfrage		247	0,00000000	SMC-Diodenlösungen	-	Rohr	Aktiv	-	Durchgangsloch	TO-247-3		SiCFET (Siliziumkarbid)		TO-247-3	-	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.10.0080	25	N-Kanal	1200 V	-	-	-	-		-		-	-
	S2M0080120D	14.9200	Anfrage		276	0,00000000	SMC-Diodenlösungen	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3		SiCFET (Siliziumkarbid)		TO-247AD	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH betroffen	EAR99	8541.29.0095	25	N-Kanal	1200 V	41A (Tc)	20V	100 mOhm bei 20 A, 20 V	4V bei 10mA	54 nC bei 20 V	+25V, -10V	1324 pF bei 1000 V	-	231W (Tc)
	SSTX404S	0,2600	Anfrage		67	0,00000000	SMC-Diodenlösungen	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SSTX404		350 mW	SOT-23-3	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH betroffen	EAR99	8541.21.0095	3.000												40 V	600 mA	10nA (ICBO)	NPN	1 V bei 50 mA, 500 mA	100 bei 150 mA, 10 mV	-
	S2M0025120D	44.4500	Anfrage		5528	0,00000000	SMC-Diodenlösungen	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3		SiCFET (Siliziumkarbid)		TO-247AD	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH betroffen	EAR99	8541.29.0095	25	N-Kanal	1200 V	63A (Tj)	20V	34 mOhm bei 50 A, 20 V	4V bei 15mA	130 nC bei 20 V	+25V, -10V	4402 pF bei 1000 V	-	446W (Tc)
	S2M0080120K	15.3500	Anfrage		260	0,00000000	SMC-Diodenlösungen	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-4		SiCFET (Siliziumkarbid)		TO-247-4	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH betroffen	EAR99	8541.29.0095	30	N-Kanal	1200 V	41A (Tc)	20V	100 mOhm bei 20 A, 20 V	4V bei 10mA	54 nC bei 20 V	+25V, -10V	1324 pF bei 1000 V	-	231W (Tc)
	SSTX304S	0,2600	Anfrage		2	0,00000000	SMC-Diodenlösungen	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SSTX304		350 mW	SOT-23-3	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH betroffen	EAR99	8541.21.0095	3.000												60 V	600 mA	10nA (ICBO)	PNP + Diode (isoliert)	1,6 V bei 50 mA, 500 mA	100 bei 150 mA, 10 mV	-
	S2M0025120K	44.8100	Anfrage		5161	0,00000000	SMC-Diodenlösungen	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-4		SiCFET (Siliziumkarbid)		TO-247-4	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH betroffen	EAR99	8541.29.0095	30	N-Kanal	1200 V	63A (Tc)	20V	34 mOhm bei 50 A, 20 V	4V bei 15mA	130 nC bei 20 V	+25V, -10V	4402 pF bei 1000 V	-	446W (Tc)

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