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Transistoren (201)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CEZ6R86L-HF | - - - |  | 6338 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-dfn (5x6) | - - - | 641-CEZ6R86L-HF | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 60 v | 56a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6.4mohm @ 25a, 10V | 2,6 V @ 250 ähm | 42,8 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1619 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 83W (TC) | ||||||||||||||||
 | 2N7002-g | - - - | | 4716 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 2N7002 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 250 mA (TA) | 4,5 V, 10 V. | 3OHM @ 250 mA, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 1 nc @ 10 v | - - - | 25 PF @ 25 V. | - - - | 350 MW (TA) | |||||||||||||
| Fmmt619-g | 0,4200 | | 260 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Fmmt619 | 350 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 2 a | 100NA (ICBO) | Npn | 220 mv @ 100 mA, 2a | 100 @ 2a, 2v | 100 MHz | |||||||||||||||||
| CMSBN4616-HF | 0,3169 | | 8224 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | CMSBN4616 | MOSFET (Metalloxid) | 1,5 W (TA) | CSPB1515-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 N-Kanal (dual) gemeinsame Abfluss | 8a (ta) | 18mohm @ 3a, 4,5 V. | 1,3 V @ 250 ähm | 8,8nc @ 4,5V | - - - | - - - | |||||||||||||||||
| BC857B-HF | 0,0529 | | 2766 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC857 | 250 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 125 @ 2,2 Ma, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||
 | CMS40N03V8-HF | - - - | | 6137 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | CMS40 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFN (SPR-PAK) (3,3 x 3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-CMS40N03V8-HFTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 25a (TA), 40a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,8 MOHM @ 19A, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 12 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1750 PF @ 15 V | - - - | 3,8 W (TA), 52W (TC) | |||||||||||||
 | CJ3139KDW-G | 0,4200 | | 2 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | CJ3139 | MOSFET (Metalloxid) | 150 MW | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 660 Ma (TA) | 520mohm @ 1a, 4,5 V. | 1,1 V @ 250 ähm | - - - | 170pf @ 16v | - - - | |||||||||||||||
| BC857CW-HF | 0,0598 | | 8254 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC857 | 150 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-BC857CW-HFTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||
| MMBT3906-G | 0,2100 | | 84 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBT3906 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 200 ma | 100 µA | PNP | 400mv @ 5ma, 50 mA | 100 @ 10 Ma, 1V | 300 MHz | |||||||||||||||||
| CMS70N10H8-HF | - - - | | 5525 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CMS70 | MOSFET (Metalloxid) | DFN5X6 (PR-PAK) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-CMS70N10H8-HFTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 70a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6,5 MOHM @ 20A, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 58.2 NC @ 10 V | +20V, -12v | 4570 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 142W (TC) | |||||||||||||
| BC858BW-HF | 0,0517 | | 4840 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC858 | 150 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-BC858BW-HFTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 220 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||
 | CMS70N04H8-HF | - - - | | 3274 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CMS70 | MOSFET (Metalloxid) | DFN5X6 (PR-PAK) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 70a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8.5Mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 19.7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1278 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 72,3W (TC) | ||||||||||||||
| BC856BW-HF | 0,0517 | | 9250 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC856 | 150 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-BC856BW-HFTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 220 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||
 | ASS8050-H-HF | 0,0682 | | 6511 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ASS8050 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-Ass8050-H-Hftr | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 25 v | 1,5 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 80 mA, 800 mA | 200 @ 100ma, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||
| MMBT4401-HF | 0,2600 | | 8 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | MMBT4401 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-MMBT4401-Hftr | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 40 v | 600 mA | 100na | Npn | 750 MV @ 50 Ma, 500 mA | 100 @ 150 mA, 1V | 250 MHz | |||||||||||||||||
| CMSBN6601-HF | 0,5241 | | 7242 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 6-smd, Keine Frotung | CMSBN6601 | MOSFET (Metalloxid) | 2W (TA) | CSPB2718-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 13a (ta) | 11,5 MOHM @ 3A, 4,5 V. | 1,3 V @ 1ma | 25.4nc @ 10v | - - - | - - - | ||||||||||||||||
| ASS8050-L-HF | 0,0682 | | 5190 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ASS8050 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-Ass8050-H-Hftr | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 25 v | 1,5 a | 100NA (ICBO) | Npn | 500mv @ 80 mA, 800 mA | 120 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||
| AS9013-J-HF | 0,0640 | | 9735 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Lets Kaufen | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | AS9013 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-as9013-J-Hftr | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 25 v | 500 mA | 100na | Npn | 600mv @ 50 mA, 500 mA | 300 @ 50 Ma, 1V | 150 MHz | |||||||||||||||||
 | ABC858BW-HF | 0,0800 | | 8852 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | ABC858 | 200 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-ABC858BW-HFTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 220 @ 2MA, 5V | 250 MHz | |||||||||||||||||
| DTA123YCA-HF | 0,0529 | | 8320 | 0.00000000 | Comchip -technologie | DTA123YCA-HF | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | Dta123 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-DTA123YCA-HFTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | PNP - VoreInensmen | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 10ma, 5v | 250 MHz | 2.2 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||
| CMS03P06T6-HF | 0,2077 | | 5296 | 0.00000000 | Comchip -technologie | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| CMS42N06V8-HF | - - - | | 9043 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFN (SPR-PAK) (3,3 x 3,3) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-CMS42N06V8-HFTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 42a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 12mohm @ 10a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 39,2 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2100 PF @ 25 V | - - - | 2W (TA), 52W (TC) | ||||||||||||||
| CMS11N10Q8-HF | - - - | | 7891 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-cms11n10q8-hftr | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 11a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 14mohm @ 10a, 10V | 2,4 V @ 250 ähm | 75 NC @ 10 V | ± 20 V | 4708 PF @ 25 V. | - - - | 3.1W (TA) | ||||||||||||||
| CMSP2011A6-HF | 0,2494 | | 3243 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-WDFN Exponierte Pad | MOSFET (Metalloxid) | DFNWB2X2-6L-J | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-CMSP2011A6-Hftr | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 11a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 24MOHM @ 7.2A, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 35 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 1580 PF @ 6 V | - - - | 750 MW (TA) | ||||||||||||||
| MMBTA14-HF | 0,0732 | | 8034 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-MMBTA14-HFTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 30 v | 300 ma | 100na | NPN - Darlington | 1,5 V @ 100 µA, 100 mA | 20000 @ 100ma, 5V | 125 MHz | ||||||||||||||||||
| BSS138-HF | 0,0628 | | 8418 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BSS138 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-BSS138-Hftr | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 50 v | 200 Ma (TA) | 10V | 3,5 Ohm @ 220a, 10 V | 1,6 V @ 250 ähm | ± 20 V | 50 PF @ 10 V | - - - | 300 MW (TA) | ||||||||||||||
| CMS35N04V8-HF | - - - | | 8792 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | CMS35 | MOSFET (Metalloxid) | 8-PDFN (SPR-PAK) (3,3 x 3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-CMS35N04V8-HFTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 35a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 9mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 19.7 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1220 PF @ 25 V. | - - - | 2W (TA), 44W (TC) | |||||||||||||
| CMS25NN03V8-HF | - - - | | 5883 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 8-Powerwdfn | CMS25 | - - - | 1,7W (TA), 20,8 W (TC) | 8-PDFN (SPR-PAK) (3,3 x 3,3) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-CMS25NN03V8-HFTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 30V | 25a | 20mohm @ 10a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 7.2nc @ 4.5V | 572PF @ 15V | - - - | |||||||||||||||
 | CMS02P06T6-HF | - - - | | 6880 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 | CMS02 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-CMS02P06T6-HFTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 2.4a (TA) | 4,5 V, 10 V. | 175mohm @ 2a, 10V | 3v @ 250 ähm | 4,6 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 531 PF @ 15 V | - - - | 1.1W (TA) | |||||||||||||
| CMS07P10V8-HF | 0,2183 | | 1816 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | CMS07 | MOSFET (Metalloxid) | PR-Pak (3x3) | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-CMS07P10V8-HFTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | P-Kanal | 100 v | 2,2a (TA), 7a (TC) | 260Mohm @ 4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 16 NC @ 10 V | ± 20 V | 680 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA), 25 W (TC) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
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