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Transistoren (201)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Ausflussbasis (R1) | Ausfluss - Emitterbasis (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CMS06NP03Q8-HF | - - - |  | 8242 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | CMS06 | MOSFET (Metalloxid) | 1,5 W (TA) | 8-soic | - - - | 641-CMS06NP03Q8-HF | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N und p-kanal | 30V | 6,9a (TA), 6,3a (TA) | 28mohm @ 6a, 10V, 36mohm @ 6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||
 | CMS09N10D-HF | - - - | | 5221 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak (to-252) | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 641-CMS09N10D-HFTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 100 v | 9,6a (TC) | 10V | 140Mohm @ 6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 15,5 NC @ 10 V. | ± 20 V | 690 PF @ 25 V. | - - - | 30W (TC) | |||||||||||||||
 | CMS12P03Q8-HF | - - - | | 6390 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | 641-CMS12P03Q8-HFTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 4.000 | P-Kanal | 30 v | 12a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 15mohm @ 10a, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 44,4 NC @ 10 V. | ± 20 V | 2419 PF @ 15 V | - - - | 3W (TC) | |||||||||||||||
| AMMBT2222A-HF | 0,3200 | | 2 | 0.00000000 | Comchip -technologie | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 v | 600 mA | 10na | Npn | 1v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 300 MHz | |||||||||||||||||||
| ABC807-16-HF | 0,3200 | | 3 | 0.00000000 | Comchip -technologie | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 200na | PNP | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||||
| ABC807-40-HF | 0,3200 | | 2 | 0.00000000 | Comchip -technologie | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 200na | PNP | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 250 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||||
| ABC817-25-HF | 0,3200 | | 3 | 0.00000000 | Comchip -technologie | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 160 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||||
| ADTC114ECA-HF | 0,0515 | | 6868 | 0.00000000 | Comchip -technologie | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | ADTC114 | 200 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-attc114eca-hftr | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 v | 100 ma | 500NA | NPN - VoreInenememen + Diode | 300 mV @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5ma, 5v | 250 MHz | 10 Kohms | 10 Kohms | ||||||||||||||||
| CEZ6R40SL-HF | 0,8647 | | 2476 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | MOSFET (Metalloxid) | P-Pak (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-CEZ6R40SL-HFTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 65 V | 27a (TA), 93a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 4,5 MOHM @ 20A, 10V | 3v @ 250 ähm | 26 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1790 PF @ 30 V | - - - | 73W (TC) | ||||||||||||||
| CMS23N06H8-HF | 2.1700 | | 5 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-dfn (5x6) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-CMS23N06H8-HFTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 5.000 | N-Kanal | 60 v | 23a (TA), 125A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 3.1Mohm @ 20a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 64 NC @ 10 V | ± 20 V | 3467 PF @ 25 V. | - - - | 86W (TC) | ||||||||||||||
| AMJD31C-HF | 0,4060 | | 7387 | 0.00000000 | Comchip -technologie | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 1,25 w | To-252-2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-amjd31c-hftr | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 100 v | 3 a | 50 µA | 1,2 V @ 375 Ma, 3a | 25 @ 1a, 4V | 3MHz | |||||||||||||||||||
| CMS13N06H8-HF | - - - | | 1757 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powervdfn | MOSFET (Metalloxid) | 8-dfn (5x6) | Herunterladen | 641-CMS13N06H8-HF | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 60 v | 56a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6.4mohm @ 25a, 10V | 2,6 V @ 250 ähm | 42,8 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1619 PF @ 25 V. | - - - | 2,5 W (TA), 83W (TC) | ||||||||||||||||
| CMSBN4612-HF | 0,2539 | | 6193 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C. | Oberflächenhalterung | 4-smd, Keine Frotung | CMSBN4612 | MOSFET (Metalloxid) | 1.4W (TA) | CSPB1313-4 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 22V | 6a (ta) | 36mohm @ 3a, 4,5 V. | 1,3 V @ 250 ähm | 7.2nc @ 10v | - - - | - - - | ||||||||||||||||
| CMS50P04D-HF | 0,4607 | | 2065 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | CMS50P04 | MOSFET (Metalloxid) | D-Pak (to-252) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-CMS50P04D-HFTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | P-Kanal | 40 v | 11A (TA), 50A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 13mohm @ 25a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 40 nc @ 10 v | ± 20 V | 3987 PF @ 20 V | - - - | 2,5 W (TA), 69W (TC) | |||||||||||||
| BC857BW-HF | 0,0598 | | 9251 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC857 | 150 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-BC857BW-HFTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 220 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||
| BC858CW-HF | 0,0517 | | 4393 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC858 | 150 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-BC858CW-HFTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 420 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||
| BC856AW-HF | 0,0517 | | 5760 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC856 | 150 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-BC856AW-HFTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 125 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||
| SS8050-HF | 0,0506 | | 4704 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SS8050 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-ss8050-Hftr | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 25 v | 1,5 a | 100na | Npn | 500mv @ 80 mA, 800 mA | 200 @ 100ma, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||
 | BC857AW-G | 0,0450 | | 7072 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC857 | 150 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 125 @ 2MA, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||
| ABC817-16-HF | 0,3200 | | 3 | 0.00000000 | Comchip -technologie | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||||
| BC858AW-G | 0,0450 | | 5623 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC858 | 150 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 125 @ 2,2 Ma, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||
 | BC858B-HF | 0,0434 | | 7669 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BC858 | 250 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 30 v | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 220 @ 2,2 Ma, 5V | 100 MHz | ||||||||||||||||||
| CMS3402-HF | - - - | | 2281 | 0.00000000 | Comchip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-CMS3402-Hftr | Veraltet | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BSS123T-HF | 0,0848 | | 4193 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | BSS123 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-BSS123T-Hftr | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 190 ma (ta) | 4,5 V, 10 V. | 5.6OHM @ 100 mA, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 2,8 nc @ 10 v | ± 20 V | 39 PF @ 25 V. | - - - | 300 MW (TA) | |||||||||||||
| BC856BW-G | 0,0450 | | 9191 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | BC856 | 150 MW | SOT-323 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | PNP | 650 mv @ 5ma, 100 mA | 220 @ 2,2 Ma, 5V | 100 MHz | |||||||||||||||||
| ABC817-40-HF | 0,3200 | | 1 | 0.00000000 | Comchip -technologie | Automobil, AEC-Q101 | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | 300 MW | SOT-23-3 | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 500 mA | 100NA (ICBO) | Npn | 700 mv @ 50 mA, 500 mA | 250 @ 100 mA, 1V | 100 MHz | |||||||||||||||||||
| CMS3401-HF | - - - | | 9278 | 0.00000000 | Comchip -technologie | * | Band & Rollen (TR) | Veraltet | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-CMS3401-Hftr | Veraltet | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N7002KDW-HF | 0,0807 | | 3 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Aktiv | 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 2N7002 | MOSFET (Metalloxid) | 150 MW (TA) | SOT-363 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 60 v | 340 Ma (TA) | 5ohm @ 500 mA, 10V | 2,5 V @ 1ma | - - - | 40pf @ 10v | - - - | ||||||||||||||||
| CMS07P03Q8-HF | - - - | | 3251 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | MOSFET (Metalloxid) | 8-Sop | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-CMS07P03Q8-HFTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 7.5a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 20mohm @ 6a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 12,6 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1345 PF @ 15 V | - - - | 2,5 W (TA) | ||||||||||||||
| CMS40N03H8-HF | - - - | | 3664 | 0.00000000 | Comchip -technologie | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Powertdfn | CMS40 | MOSFET (Metalloxid) | DFN5X6 (PR-PAK) | Herunterladen | ROHS -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 641-CMS40N03H8-HFTR | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 31a (TA), 40A (TC) | 4,5 MOHM @ 19A, 10V | 2,2 V @ 250 ähm | 12 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 1750 PF @ 15 V | - - - | 4.2W (TA), 36W (TC) |
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