SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Technologie LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket FET -Typ ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max)
IV1Q12050T3 Inventchip IV1Q12050T3 37.4900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Inventchip - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Sicfet (Silziumkarbid) To-247-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 4084-IV1Q12050T3 Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 1200 V 58a (TC) 20V 65mohm @ 20a, 20V 3,2 V @ 6ma 120 NC @ 20 V +20V, -5 V. 2770 PF @ 800 V - - - 327W (TC)
IV1Q12050T4 Inventchip IV1Q12050T4 38.5000
RFQ
ECAD 4491 0.00000000 Inventchip - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-4 Sicfet (Silziumkarbid) To-247-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 4084-IV1Q12050T4 Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 1200 V 58a (TC) 20V 65mohm @ 20a, 20V 3,2 V @ 6ma 120 NC @ 20 V +20V, -5 V. 2750 PF @ 800 V - - - 344W (TC)
IV1Q12160T4 Inventchip IV1Q12160T4 18.7400
RFQ
ECAD 106 0.00000000 Inventchip - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-4 Sicfet (Silziumkarbid) To-247-4 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) 4084-IV1Q12160T4 Ear99 30 N-Kanal 1200 V 20A (TC) 20V 195mohm @ 10a, 20V 2,9 V @ 1,9 Ma 43 NC @ 20 V +20V, -5 V. 885 PF @ 800 V - - - 138W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus