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Transistoren (1872)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	Kraft - Max	Eingang	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Strom - Sammler Cutoff (max)	NTC Thermistor	Eingabekapazität (cies) @ vce	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang	Ausflussbasis (R1)	Ausfluss - Emitterbasis (R2)
DTC143XUA-TP	0,0336	RFQ	3519	Micro Commercial co	- - -	Schüttgut	Aktiv		Oberflächenhalterung	SC-70, SOT-323	DTC143		200 MW		SOT-323	Herunterladen	353-DTC143XUA-TP	Ear99	8541.21.0095	1														50 v	100 ma		500NA			NPN - VORGEPANNT	300 mV @ 500 µA, 10 mA	30 @ 10ma, 5v	250 MHz	4.7 Kohms
PXT8050-C-TP	0,1433	RFQ	4058	Micro Commercial co	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-243aa	PXT8050		500 MW		SOT-89	Herunterladen	353-PXT8050-C-TP	Ear99	8541.21.0075	1														25 v	1,5 a		100na			Npn	500mv @ 80 mA, 800 mA	120 @ 100 mA, 1V	100 MHz
Fmmt449-tp	0,1399	RFQ	8770	Micro Commercial co	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	Fmmt449		200 MW		SOT-23	Herunterladen	353-FMMT449-TP	Ear99	8541.21.0075	1														30 v	1 a		100NA (ICBO)			Npn	1v @ 200 Ma, 2a	100 @ 500 mA, 2V	150 MHz
MC3541-TP	0,0213	RFQ	5072	Micro Commercial co	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	SOT-723	MC3541	MOSFET (Metalloxid)			SOT-723	Herunterladen	353-MC3541-TP	Ear99	8541.21.0095	1		N-Kanal	30 v	100 ma	2,5 V, 4 V.	8ohm @ 10 ma, 4V	1,5 V @ 100 µA		± 20 V	13 PF @ 5 V.	- - -	150 MW
SI2302A-TP-HF	- - -	RFQ	1724	Micro Commercial co	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	SI2302	MOSFET (Metalloxid)			SOT-23	Herunterladen	353-SI2302A-TP-HF	Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal	20 v	3a	2,5 V, 4,5 V.	72mohm @ 3,6a, 4,5 V.	1,2 V @ 50 µA	10 NC @ 4,5 V.	± 8 v	237 PF @ 10 V	- - -	1.25W
BSS138-13p	0,0301	RFQ	3806	Micro Commercial co	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	BSS138	MOSFET (Metalloxid)			SOT-23	Herunterladen	353-BSS138-13p	Ear99	8541.21.0095	1		N-Kanal	50 v	220 Ma (TA)	4,5 V, 10 V.	2,5OHM @ 300 mA, 10 V.	1,5 V @ 1ma	1,65 NC @ 10 V.	± 20 V	60 PF @ 25 V	- - -	350 MW
DTA123YUA-TP	0,0488	RFQ	5830	Micro Commercial co	- - -	Schüttgut	Aktiv		Oberflächenhalterung	SC-70, SOT-323	Dta123		200 MW		SOT-323	Herunterladen	353-dta123yua-tp	Ear99	8541.21.0095	1														50 v	100 ma		500NA			PNP - VoreInensmen	300 mV @ 500 µA, 10 mA	33 @ 10ma, 5v	250 MHz	2.2 Kohms
BC847PN-TPQ2	0,0592	RFQ	7824	Micro Commercial co	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	BC847		200 MW		SOT-363	Herunterladen	353-BC847PN-TPQ2	Ear99	8541.21.0075	1														45 V	100 ma		15NA (ICBO)			NPN, PNP	600mv @ 5 mA, 100 mA / 650 mV @ 5 mA, 100 mA	200 @ 2MA, 5V / 220 @ 2MA, 5V	100 MHz
MCG40N03-TP	0,2169	RFQ	9752	Micro Commercial co	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-VDFN Exposed Pad	MCG40	MOSFET (Metalloxid)			DFN3333	Herunterladen	353-MCG40N03-TP	Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal	30 v	40a	4,5 V, 10 V.	7mohm @ 20a, 10V	2v @ 250 ähm	13 NC @ 10 V	± 20 V	722 PF @ 15 V	- - -	20.8W
DTA123JM-TP	0,0649	RFQ	7446	Micro Commercial co	- - -	Schüttgut	Aktiv		Oberflächenhalterung	SOT-723	Dta123		100 MW		SOT-723	Herunterladen	353-DTA123JM-TP	Ear99	8541.21.0095	1														50 v	100 ma		500NA			PNP - VoreInensmen	300 mV @ 250 ua, 5 mA	80 @ 10ma, 5V	250 MHz	2.2 Kohms
2SA1774-TP	0,0519	RFQ	1802	Micro Commercial co	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-523	2SA1774		150 MW		SOT-523	Herunterladen	353-2SA1774-R-TP	Ear99	8541.21.0075	1														50 v	150 Ma		100NA (ICBO)			PNP	500mv @ 5ma, 5 mA	120 @ 1ma, 6v	140 MHz
2SB1188-Q-TP	0,2049	RFQ	2287	Micro Commercial co	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-243aa	2SB1188		500 MW		SOT-89	Herunterladen	353-2SB1188-Q-TP	Ear99	8541.21.0095	1														32 v	2 a		1 µA (ICBO)			PNP	800mv @ 200 Ma, 2a	82 @ 500 mA, 3V	80MHz
2SC2412-S-TP	0,0315	RFQ	3795	Micro Commercial co	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	2SC2412		200 MW		SOT-23	Herunterladen	353-2SC2412-S-TP	Ear99	8541.21.0075	1														50 v	150 Ma		100NA (ICBO)			Npn	400mv @ 5ma, 50 mA	120 @ 1ma, 6v	150 MHz
2SC2412-R-TP	0,0315	RFQ	9433	Micro Commercial co	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	2SC2412		200 MW		SOT-23	Herunterladen	353-2SC2412-R-TP	Ear99	8541.21.0075	1														50 v	150 Ma		100NA (ICBO)			Npn	400mv @ 5ma, 50 mA	120 @ 1ma, 6v	150 MHz
MSJB06N80A-TP	1.0276	RFQ	6038	Micro Commercial co	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	MSJB06	MOSFET (Metalloxid)			D2pak	Herunterladen	353-MSJB06N80A-TP	Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal	800 V	6a	10V	1,2OHM @ 2,5a, 10 V.	4,5 V @ 250 ähm	10.6 NC @ 10 V	± 30 v	349 PF @ 100 V	- - -	35W (TC)
BC817-40-13p	0,0247	RFQ	7185	Micro Commercial co	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	BC817		300 MW		SOT-23	Herunterladen	353-BC817-40-13p	Ear99	8541.21.0075	1														45 V	500 mA		100NA (ICBO)			Npn	700 mv @ 50 mA, 500 mA	250 @ 100 mA, 1V	100 MHz
MCQ20N03HE3-TP	0,2306	RFQ	5366	Micro Commercial co	Automobil, AEC-Q101	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit)	MCQ20	MOSFET (Metalloxid)			8-Sop	Herunterladen	353-MCQ20N03HE3-TP	Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal	30 v	20a (ta)	4,5 V, 10 V.	6,3 Mohm @ 18a, 10V	2,5 V @ 250 ähm	46,3 NC @ 10 V.	± 20 V	2191 PF @ 15 V	- - -	3W
DTC123YCA-TP	0,0488	RFQ	4706	Micro Commercial co	- - -	Schüttgut	Aktiv		Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	DTC123		200 MW		SOT-23	Herunterladen	353-DTC123YCA-TP	Ear99	8541.21.0095	1														50 v	100 ma		500NA			NPN - VORGEPANNT	300 mV @ 500 µA, 10 mA	33 @ 10ma, 5v	250 MHz	2.2 Kohms
MS8050-H-TP	0,0257	RFQ	2252	Micro Commercial co	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	MS8050		200 MW		SOT-23	- - -	353-MS8050-H-TP	Ear99	8541.21.0075	1														40 v	800 mA		100na			Npn	500mv @ 80 mA, 800 mA	80 @ 100 mA, 1V	150 MHz
DTC123ECA-TP	0,0488	RFQ	2896	Micro Commercial co	- - -	Schüttgut	Aktiv		Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	DTC123		200 MW		SOT-23	Herunterladen	353-DTC123ECA-TP	Ear99	8541.21.0095	1														50 v	100 ma		500NA			NPN - VORGEPANNT	300 mV @ 500 µA, 10 mA	20 @ 20 Ma, 5V	250 MHz	2.2 Kohms	2.2 Kohms
UMD12N-TP	0,0954	RFQ	2168	Micro Commercial co	- - -	Schüttgut	Aktiv		Oberflächenhalterung	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	Umd12		150 MW		SOT-363	Herunterladen	353-umd12n-tp	Ear99	8541.21.0075	1														50V	100 ma		100 ma			NPN - VORGEPANNT	300 mV @ 500 µA, 10 mA	68 @ 5ma, 5v	250 MHz	47kohm	47kohm
SI5618A-TP	0,4100	RFQ	3676	Micro Commercial co	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	SI5618	MOSFET (Metalloxid)			SOT-23	Herunterladen	353-Si5618a-tp	Ear99	8541.29.0095	1		P-Kanal	60 v	1,6a (ta)	4,5 V, 10 V.	160 MOHM @ 1,5A, 10V	2,5 V @ 250 ähm	12 NC @ 10 V	± 20 V	380 PF @ 30 V	- - -	1,5W
McACl120n10y-tp	1.0939	RFQ	9641	Micro Commercial co	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	8-Powertdfn	McACl120	MOSFET (Metalloxid)			DFN5060	Herunterladen	353-MCACl120N10Y-TP	Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal	100 v	120a	10V	4.2mohm @ 60a, 10V	4v @ 250 ähm	70 nc @ 10 v	± 20 V	4400 PF @ 50 V	- - -	108W
DTA114YM-TP	0,0649	RFQ	7520	Micro Commercial co	- - -	Schüttgut	Aktiv		Oberflächenhalterung	SOT-723	Dta114		100 MW		SOT-723	Herunterladen	353-DTA114YM-TP	Ear99	8541.21.0095	1														50 v	70 Ma		500NA			PNP - VoreInensmen	300 mV @ 250 ua, 5 mA	68 @ 5ma, 5v	250 MHz	10 Kohms
BC858CL3-TP	0,0375	RFQ	5740	Micro Commercial co	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SC-101, SOT-883	BC858		150 MW		DFN1006-3	Herunterladen	353-BC858CL3-TP	Ear99	8541.21.0075	1														30 v	100 ma		15na			PNP	650 mv @ 5ma, 100 mA	420 @ 2MA, 5V	100 MHz
MCT03N06-TP	0,1645	RFQ	7983	Micro Commercial co	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-261-4, to-261aa	MCT03	MOSFET (Metalloxid)			SOT-223	Herunterladen	353-MCT03N06-TP	Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal	60 v	3a	4,5 V, 10 V.	105mohm @ 3a, 10V	2v @ 250 ähm	6 NC @ 4,5 V.	± 20 V	247 PF @ 30 V	- - -	1.2W
BC817-25W-TP	0,0318	RFQ	2439	Micro Commercial co	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SC-70, SOT-323	BC817		200 MW		SOT-323	Herunterladen	353-BC817-25W-TP	Ear99	8541.21.0075	1														45 V	500 mA		100NA (ICBO)			Npn	700 mv @ 50 mA, 500 mA	160 @ 100 mA, 1V	100 MHz
MIF100R12C1PF-BP	- - -	RFQ	5447	Micro Commercial co	- - -	Schüttgut	Aktiv	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Chassis -berg	Modul	MIF100		675 MW	- - -	Modul	Herunterladen	353-MIF100R12C1PF-BP	Ear99	8541.29.0095	1	2 Unabhängig												Npt	1200 V	100 a	3v @ 15V, 100a	1 Ma	NEIN	6700 PF @ 25 V.
DTC143TUA-TP	0,0488	RFQ	2997	Micro Commercial co	- - -	Schüttgut	Aktiv		Oberflächenhalterung	SC-70, SOT-323	DTC143		200 MW		SOT-323	Herunterladen	353-DTC143TUA-TP	Ear99	8541.21.0095	1														50 v	100 ma		500NA			NPN - VORGEPANNT	300 mV @ 1ma, 10 mA	100 @ 1ma, 5V	250 MHz	4.7 Kohms
2SC2411-R-TP	0,0355	RFQ	7054	Micro Commercial co	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-236-3, sc-59, SOT-23-3	2SC2411		200 MW		SOT-23	Herunterladen	353-2SC2411-R-TP	Ear99	8541.21.0075	1														32 v	500 mA		1 µA			Npn	400 mv @ 50 mA, 500 mA	82 @ 100 mA, 3V	250 MHz

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Transistoren (1872)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²