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Transistoren (1307)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id | Strom - Sammler Cutoff (max) | Ausfluss - rds (on) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang | Strom Abfluss (ID) - Maximal |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | CP206-2N4856-CT | - - - |  | 7349 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | * | Tablett | Veraltet | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1514-CP206-2N4856-CT | Veraltet | 400 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP216-2N4392-WN | - - - | | 3637 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Sterben | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1514-CP216-2N4392-WN | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 40 v | 20pf @ 20V | 40 v | 25 mA @ 20 V | 2 V @ 1 na | 60 Ohm | 50 ma | |||||||||||||||||||
| CP206-2N4856-cm | - - - | | 7831 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | * | Tablett | Veraltet | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1514-CP206-2N4856-cm | Veraltet | 400 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP216-2N4393-CT20 | - - - | | 3462 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Tablett | Veraltet | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Sterben | Sterben | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1514-CP216-2N4393-CT20 | Veraltet | 20 | N-Kanal | 40 v | 20pf @ 20V | 40 v | 5 ma @ 20 v | 500 mV @ 1 na | 100 Ohm | 50 ma | |||||||||||||||||||||
| CP147-MJ11016-CT | - - - | | 1277 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Sterben | 200 w | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1514-CP147-MJ11016-tr | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 120 v | 30 a | 1ma | NPN - Darlington | 4v @ 300 mA, 30a | 1000 @ 20a, 5V | 4MHz | ||||||||||||||||||||
| CP147-MJ11016-WN | - - - | | 8628 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Sterben | 200 w | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1514-CP147-MJ11016-Wn | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 120 v | 30 a | 1ma | NPN - Darlington | 4v @ 300 mA, 30a | 1000 @ 20a, 5V | 4MHz | ||||||||||||||||||||
| CP398X-CPDM303NH-CT | - - - | | 9768 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Sterben | CP398 | MOSFET (Metalloxid) | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 30 v | 3.6a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 78mohm @ 1,8a, 2,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 13 NC @ 4,5 V. | 12V | 590 PF @ 10 V. | - - - | - - - | |||||||||||||||
| CP373-CMPDM303NH-CT | - - - | | 1779 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Sterben | MOSFET (Metalloxid) | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0040 | 1 | N-Kanal | 30 v | 3.6a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 78mohm @ 1,8a, 2,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 13 NC @ 4,5 V. | 12V | 590 PF @ 10 V. | - - - | - - - | |||||||||||||||||
| CP373-CTLDM303N-CT | - - - | | 5293 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Sterben | MOSFET (Metalloxid) | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0040 | 1 | N-Kanal | 30 v | 3.6a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 78mohm @ 1,8a, 2,5 V. | 1,2 V @ 250 ähm | 13 NC @ 4,5 V. | 12V | 590 PF @ 10 V. | - - - | - - - | |||||||||||||||||
| MPS4992 | - - - | | 8958 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Kasten | Veraltet | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Veraltet | 0000.00.0000 | 2.500 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPS4992 APM | - - - | | 4525 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Band & Box (TB) | Veraltet | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | MPS4992APM | Veraltet | 0000.00.0000 | 2.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPS4992 TRE | - - - | | 5617 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | MPS4992TRE | Veraltet | 0000.00.0000 | 2.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| CP307-MPSA27-CT | - - - | | 2451 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Tablett | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Sterben | 625 MW | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1514-CP307-MPSA27-CT | Ear99 | 8541.21.0075 | 400 | 60 v | 500 mA | 500NA | NPN - Darlington | 1,5 V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100 mA, 5V | 125 MHz | ||||||||||||||||||||
| CP327V-MPSA13-WN | - - - | | 8515 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Sterben | CP327 | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1514-CP327V-MPSA13-WN | Ear99 | 8541.21.0040 | 1 | 30 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1,5 V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100 mA, 5V | 125 MHz | |||||||||||||||||||
| CP307V-MPSA13-WN | - - - | | 5933 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Sterben | 625 MW | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1514-CP307V-MPSA13-WN | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 30 v | 500 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1,5 V @ 100 µA, 100 mA | 10000 @ 100 mA, 5V | 125 MHz | ||||||||||||||||||||
| CP188-BC546B-WR | - - - | | 1061 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1514-CP188-BC546B-WR | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | 600mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | ||||||||||||||||||||||
| CP588-BC556B-WR | - - - | | 7550 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | CP588 | Schüttgut | Veraltet | - - - | Oberflächenhalterung | Sterben | Sterben | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1514-CP588-BC556B-WR | Veraltet | 1 | - - - | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||||||||
| CP788X-2N2605-CT | - - - | | 9324 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Tablett | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Sterben | 400 MW | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1514-CP788X-2N2605-CT | Ear99 | 8541.29.0040 | 400 | 45 V | 30 ma | 10na | 500 mV @ 500 µA, 10 mA | 150 @ 500 µA, 5 V | |||||||||||||||||||||
| CP188-BC546B-CT | - - - | | 6414 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Tablett | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Sterben | 500 MW | Sterben | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1514-CP188-BC546B-CT | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 65 V | 100 ma | 15NA (ICBO) | 600mv @ 5ma, 100 mA | 200 @ 2MA, 5V | ||||||||||||||||||||||
| CJD2955 TR13 Zinn/Blei | - - - | | 7515 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 1,75 w | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1514-CJD2955TR13Tin/Leadtr | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 60 v | 10 a | 50 µA | PNP | 8v @ 3,3a, 10a | 20 @ 4a, 4V | 2MHz | ||||||||||||||||||||
| CJD50 BK PBFREE | - - - | | 8450 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | 1,56 w | Dpak | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | 1514-cjd50bkpbfree | Ear99 | 8541.29.0095 | 150 | 400 V | 1 a | 200 µA | Npn | 1v @ 200 Ma, 1a | 30 @ 300 mA, 10V | 10 MHz | ||||||||||||||||||||
| CP101-BSS52-CT | - - - | | 1667 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Sterben | 800 MW | Sterben | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 1514-CP101-BSS52-CT | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 1 a | 50na (ICBO) | NPN - Darlington | 1,6 V @ 4ma, 1a | 2000 @ 500 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||||||
| BSS52 | - - - | | 7117 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-205ad, bis 39-3 Metall Kann | 800 MW | To-39 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | 1514-BSS52 | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 80 v | 1 a | 50na (ICBO) | NPN - Darlington | 1,6 V @ 4ma, 1a | 2000 @ 500 mA, 10V | - - - | |||||||||||||||||||||
| CMLM8205 Tr | - - - | | 1810 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-563 | Herunterladen | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 50 v | 280 Ma (TA) | 5v, 10V | 2,5OHM @ 500 mA, 10 V. | 2,5 V @ 250 ähm | 20V | 70 PF @ 25 V. | Schottky Diode (Isolier) | 150 MW (TA) | |||||||||||||||||||
| Mmpq6502 bk | - - - | | 4516 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) | MMPQ6502 | 1W | 16-soic | - - - | 1514-mmpq6502bk | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 30V | 1a | 30NA (ICBO) | 2 NPN, 2 PNP | 1,4 V @ 30 mA, 300 mA | 100 @ 150 mA, 10V | 200 MHz | |||||||||||||||||||||
| Cyta44d tr | - - - | | 6550 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-228 | Cyta44 | 2W | SOT-228 | Herunterladen | 1514-cyta44dtr | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V | 300 ma | 500NA | 2 NPN (Dual) | 750 mv @ 5ma, 50 mA | 50 @ 10 ma, 10V | 20MHz | |||||||||||||||||||||
| CTLT853-M833 BK | - - - | | 5417 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-VDFN Exposed Pad | 2,5 w | TLM833 | Herunterladen | 1514-CTLT853-M833BK | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 110 v | 6 a | 10na | Npn | 340mv @ 500 mA, 5a | 100 @ 2a, 2v | 190 MHz | ||||||||||||||||||||||
| CTLT7410-M521 BK | - - - | | 8000 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 5-Powertfdfn | 900 MW | TLM521 | Herunterladen | 1514-CTLT7410-M521BK | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 25 v | 1 a | 100NA (ICBO) | PNP | 450 mv @ 100 mA, 1a | 100 @ 500 mA, 1V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||
| CTLT3410-M521 TR | - - - | | 9636 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 5-Powertfdfn | 900 MW | TLM521 | Herunterladen | 1514-CTLT3410-M521TR | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 25 v | 1 a | 100NA (ICBO) | Npn | 450 mv @ 100 mA, 1a | 100 @ 500 mA, 1V | 100 MHz | ||||||||||||||||||||||
| CTLM8110-M832D BK | - - - | | 7330 | 0.00000000 | Central Semiconductor Corp | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TDFN Exponierte Pad | MOSFET (Metalloxid) | TLM832d | Herunterladen | 1514-CTLM8110-M832DBK | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | P-Kanal | 20 v | 860 mA (TA) | 1,8 V, 4,5 V. | 240MOHM @ 200 Ma, 1,8 V. | 1V @ 250 ähm | 3,56 NC @ 4,5 V. | 8v | 200 PF @ 16 V | Schottky Diode (Isolier) | 1,65W (TA) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
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