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Transistoren(1307)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Technologie	Leistung – max	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	Andere Namen	ECCN	HTSUS	Standardpaket	Konfiguration	Spannung – Ausgang	FET-Typ	Gewinnen	Stromspannung	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)	Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (Max)	Strom – Entleerung (Idss) @ Vds (Vgs=0)	Spannung – Abschaltung (VGS aus) @ Id	Strom – Kollektorabschaltung (max.)	Widerstand – RDS(Ein)	Transistortyp	Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	Häufigkeit – Übergang	Rauschzahl (dB Typ @ f)	Strom - Tal (Iv)	Strom – Spitzenwert
BDW83B	-	Anfrage	4331	Central Semiconductor Corp	-	Schüttgut	Veraltet	-	Durchgangsloch	TO-218-3			130 W	TO-218	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	1																80 V	15 A			-		NPN	-	750 bei 6A, 3V	-
2N2907 PBFREE	1.1880	Anfrage	2578	Central Semiconductor Corp	-	Schüttgut	Aktiv	-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-206AA, TO-18-3 Metalldose			1,8 W	TO-18	herunterladen	ROHS3-konform	Nicht zutreffend	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0075	2.000																40 V	600 mA			20nA (ICBO)		PNP	1,6 V bei 50 mA, 500 mA	100 bei 150 mA, 10 V	200 MHz
CP396V-2N2369A-CT	-	Anfrage	4418	Central Semiconductor Corp	-	Tablett	Aktiv	-65°C ~ 200°C (TJ)	Oberflächenmontage	Sterben				Sterben	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.21.0040	1																15 V	200mA			400nA (ICBO)		NPN	500 mV bei 10 mA, 100 mA	40 bei 10 mA, 1 V	500 MHz
CEN867 TR PBFREE	-	Anfrage	9940	Central Semiconductor Corp	-	Tape & Reel (TR)	Veraltet								-	ROHS3-konform		REACH Unberührt	1514-CEN867TRPBFREETR	VERALTET		1
BSV80	-	Anfrage	2312	Central Semiconductor Corp	-	Schüttgut	Veraltet	-65°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-206AA, TO-18-3 Metalldose			350 mW	TO-18	herunterladen		Anbieter nicht definiert		BSV80CS	EAR99	8541.21.0095	2.000			N-Kanal			40 V							5pF bei 10V					10 mA bei 15 V	1 V bei 1 nA		60 Ohm
CDM22011-600LRFP SL	2.3400	Anfrage	580	Central Semiconductor Corp	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3 Komplettpaket	CDM22011	MOSFET (Metalloxid)		TO-220FP	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	50			N-Kanal			600 V	11A (Tc)	10V	360 mOhm bei 5,5 A, 10 V	4 V bei 250 µA	23,05 nC bei 10 V	30V	763 pF bei 100 V	-	25W (Tc)
CMPT5088 TR PBFREE	0,4400	Anfrage	11	Central Semiconductor Corp	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-65°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CMPT5088		350 mW	SOT-23	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.21.0095	3.000																30 V	50mA			50nA (ICBO)		NPN	500 mV bei 1 mA, 10 mA	300 bei 100 µA, 5 V	50 MHz
CMUDM8004 TR PBFREE	0,7900	Anfrage	903	Central Semiconductor Corp	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-65°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SOT-523	CMUDM8004	MOSFET (Metalloxid)		SOT-523	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.21.0095	3.000			P-Kanal			30 V	450mA (Ta)	1,8 V, 4,5 V	1,1 Ohm bei 430 mA, 4,5 V	1 V bei 250 µA	0,88 nC bei 4,5 V	8V	55 pF bei 25 V	-	250 mW (Ta)
CP245-MJE15030-CT	-	Anfrage	5280	Central Semiconductor Corp	CP245	Tablett	Veraltet	-65°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	Sterben				Sterben	-		1 (Unbegrenzt)		1514-CP245-MJE15030-CT	VERALTET		1																150 V	8 A			100µA			500 mV bei 100 mA, 1 A	40 @ 3A, 2V	30 MHz
2N2060	-	Anfrage	9030	Central Semiconductor Corp	-	Schüttgut	Veraltet	-	Durchgangsloch	TO-78-6 Metalldose	2N206		600 mW	TO-78-6	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.21.0095	1																60V	500mA			-		2 NPN (Dual)	-	50 bei 10 mA, 5 V	60 MHz
2N1131A PBFREE	4.1878	Anfrage	4505	Central Semiconductor Corp	-	Schüttgut	Aktiv	-	Durchgangsloch	TO-205AD, TO-39-3 Metalldose	2N1131			TO-39	herunterladen	ROHS3-konform	Nicht zutreffend	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0075	500																40 V				500nA (ICBO)		PNP	-	20 bei 150 mA, 10 V	90 MHz
CMPT3820 TR PBFREE	0,4400	Anfrage	8	Central Semiconductor Corp	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-65°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	CMPT3820		350 mW	SOT-23	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.21.0075	3.000																60 V	1 A			100nA (ICBO)		NPN	280 mV bei 100 mA, 1A	200 bei 500 mA, 5 V	150 MHz
MD5179	-	Anfrage	6183	Central Semiconductor Corp	-	Schüttgut	Veraltet	-	Durchgangsloch	TO-78-6 Metalldose	MD517		-	TO-78-6	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0075	1																12V	50mA			-		2 NPN (Dual)	-	25 bei 3 mA, 1 V	900 MHz
BDW84C	-	Anfrage	2980	Central Semiconductor Corp	-	Schüttgut	Veraltet	-	Durchgangsloch	TO-218-3			130 W	TO-218	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	BDW84CCS	EAR99	8541.29.0095	1																100 V	15 A			-		PNP	-	750 bei 6A, 3V	-
MPQ2222A PBFREE	3.7749	Anfrage	8149	Central Semiconductor Corp	-	Rohr	Aktiv	-65°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	14-DIP (0,300", 7,62 mm)	MPQ2222		650 mW	TO-116	herunterladen	Fordern Sie eine Bestandsüberprüfung an	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.21.0075	25																40V	500mA			10nA (ICBO)		4 NPN (Quad)	1 V bei 50 mA, 500 mA	100 bei 150 mA, 10 V	200 MHz
2N6422 PBFREE	-	Anfrage	9231	Central Semiconductor Corp	*	Schüttgut	Veraltet								herunterladen					VERALTET		30
2N3905 PBFREE	0,4400	Anfrage	7	Central Semiconductor Corp	-	Schüttgut	Aktiv	-65°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)				TO-92-3	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.21.0095	2.500																40 V				50nA (ICBO)		PNP	-	50 bei 10 mA, 1 V	200 MHz
BUV47A	-	Anfrage	1137	Central Semiconductor Corp	-	Schüttgut	Veraltet	-	Durchgangsloch	TO-218-3			100 W	TO-218	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	1																450 V	9 A			-		NPN	1,5 V bei 1 A, 5 A	-	-
2N5367 PBFREE	0,3551	Anfrage	1976	Central Semiconductor Corp	-	Schüttgut	Aktiv	-65°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			625 mW	TO-92	-	ROHS3-konform	Nicht zutreffend	REACH Unberührt		EAR99	8541.21.0075	2.500																40 V	300mA			100nA (ICBO)		PNP	1 V bei 30 mA, 300 mA	100 bei 50 mA, 1 V	250 MHz
2N4853	-	Anfrage	7315	Central Semiconductor Corp	-	Kasten	Veraltet			TO-206AA, TO-18-3 Metalldose					herunterladen		Nicht zutreffend			VERALTET	0000.00.0000	1		6V			-										300 mW												6mA	400 nA
2N5770 PBFREE	0,4700	Anfrage	48	Central Semiconductor Corp	-	Schüttgut	Aktiv	-65°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			625 mW	TO-92-3	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.21.0075	2.500				-												15V	50mA					NPN		50 bei 8 mA, 1 V	900 MHz	6 dB bei 60 MHz
MJE13005 SL PBFREE	1.8300	Anfrage	2016	Central Semiconductor Corp	-	Schüttgut	Aktiv	-65°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3	MJE13005		2 W	TO-220-3	-			REACH Unberührt	1514-MJE13005SLPBFREE	EAR99	8541.29.0075	50																400 V	4 A			1mA		NPN	1V bei 1A, 4A	10 @ 1A, 5V
CEN1373 BK PBFREE	-	Anfrage	9430	Central Semiconductor Corp	-	Schüttgut	Veraltet								-	ROHS3-konform		REACH Unberührt		VERALTET		1
CP398X-CTLDM303N-CT	-	Anfrage	1125	Central Semiconductor Corp	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	Sterben	CP398	MOSFET (Metalloxid)		Sterben	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	1			N-Kanal			30 V	3,6A (Ta)	2,5 V, 4,5 V	78 mOhm bei 1,8 A, 2,5 V	1,2 V bei 250 µA	13 nC bei 4,5 V	12V	590 pF bei 10 V	-	-
BCY59-X PBFREE	1.0545	Anfrage	4591	Central Semiconductor Corp	-	Schüttgut	Aktiv	-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-206AA, TO-18-3 Metalldose	BCY59		1 W	TO-18	herunterladen	ROHS3-konform	Nicht zutreffend	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0075	2.000																45 V	100mA			10nA (ICBO)		NPN	700 mV bei 2,5 mA, 100 mA	380 bei 2 mA, 5 V	150 MHz
CMST2907A TR PBFREE	0,4300	Anfrage	3	Central Semiconductor Corp	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-65°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SC-70, SOT-323	CMST2907		275 mW	SOT-323	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.21.0075	3.000																60 V	600 mA			10nA (ICBO)		PNP	1,6 V bei 50 mA, 500 mA	100 bei 150 mA, 10 V	200 MHz
CTLM7110-M832D TR	-	Anfrage	8063	Central Semiconductor Corp	-	Tape & Reel (TR)	Veraltet	-65°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-TDFN freiliegendes Pad		MOSFET (Metalloxid)		TLM832D	herunterladen				1514-CTLM7110-M832DTR	EAR99	8541.29.0095	1			N-Kanal			20 V	1A (Ta)	1,5 V, 4,5 V	250 mOhm bei 100 mA, 1,5 V	1,2 V bei 1 mA	2,4 nC bei 4,5 V	8V	220 pF bei 10 V	Schottky-Diode (isoliert)	1,65 W (Ta)
2N6520 PBFREE	0,3381	Anfrage	5048	Central Semiconductor Corp	-	Schüttgut	Aktiv	-65°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			625 mW	TO-92	herunterladen	ROHS3-konform	Nicht zutreffend	REACH Unberührt		EAR99	8541.21.0095	2.500																350 V	500mA			50nA (ICBO)		PNP	1 V bei 5 mA, 50 mA	30 bei 30 mA, 10 V	40 MHz
BCX38A PBFREE	0,2475	Anfrage	6914	Central Semiconductor Corp	-	Schüttgut	Aktiv	-	Durchgangsloch	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	BCX38			TO-92	herunterladen	ROHS3-konform	Nicht zutreffend	REACH Unberührt		EAR99	8541.21.0095	2.500																60 V				100nA (ICBO)		NPN	-	1000 bei 500 mA, 5 V	-
CTLDM8120-M832DS BK	-	Anfrage	4694	Central Semiconductor Corp	-	Schüttgut	Veraltet	-65°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-TDFN freiliegendes Pad	CTLDM8120	MOSFET (Metalloxid)	1,65 W	TLM832DS	herunterladen		1 (Unbegrenzt)			EAR99	8541.29.0095	1	2 P-Kanal (Dual)					20V	860mA (Ta)		150 mOhm bei 950 mA, 4,5 V	1 V bei 250 µA	3,56 nC bei 4,5 V		200pF bei 16V	-

2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lager vorrätig

Transistoren(1307)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²