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Transistoren(1307)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Technologie	Leistung – max	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	Andere Namen	ECCN	HTSUS	Standardpaket	Konfiguration	FET-Typ	Gewinnen	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)	Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (Max)	Strom – Entleerung (Idss) @ Vds (Vgs=0)	Spannung – Abschaltung (VGS aus) @ Id	Strom – Kollektorabschaltung (max.)	Widerstand – RDS(Ein)	Transistortyp	Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	Häufigkeit – Übergang	Rauschzahl (dB Typ @ f)
2N4014 PBFREE	-	Anfrage	1795	Central Semiconductor Corp	-	Schüttgut	Veraltet	-	Durchgangsloch	TO-206AA, TO-18-3 Metalldose				TO-18	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	2.000														50 V				1,7µA (ICBO)		NPN	-	60 bei 100 mA, 1 V	300 MHz
CP247-2N6284-CM	-	Anfrage	7287	Central Semiconductor Corp	-	Tablett	Aktiv	-			CP247				herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	1514-CP247-2N6284-CM		0000.00.0000	1																		-		-	-	-	-
2N3501 PBFREE	7.9100	Anfrage	552	Central Semiconductor Corp	-	Schüttgut	Aktiv	-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-205AD, TO-39-3 Metalldose			1 W	TO-39	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0075	500														150 V	300mA			50nA (ICBO)		NPN	400 mV bei 15 mA, 150 mA	100 bei 150 mA, 10 V	150 MHz
CP611-2N6107-CM	-	Anfrage	4157	Central Semiconductor Corp	-	Schüttgut	Veraltet	-65°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	Sterben	CP611		40 W	Sterben	herunterladen			REACH Unberührt	1514-CP611-2N6107-CM	EAR99	8541.29.0095	1														70 V	7 A			1mA		PNP	3,5 V bei 3 A, 7 A	30 @ 2A, 4V	4 MHz
MPQ2907A PBFREE	-	Anfrage	4546	Central Semiconductor Corp	-	Rohr	Veraltet	-65°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	14-DIP (0,300", 7,62 mm)	MPQ2907		650 mW	TO-116	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.21.0075	25														60V	600mA			50nA (ICBO)		4 PNP (Quad)	1,6 V bei 30 mA, 300 mA	50 bei 300 mA, 10 V	200 MHz
CMXDM7002A TR PBFREE	-	Anfrage	1607	Central Semiconductor Corp	-	Tape & Reel (TR)	Veraltet	-65°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SOT-23-6	CMXDM7002	MOSFET (Metalloxid)	350 mW	SOT-26	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 N-Kanal (Dual)			60V	280mA		2 Ohm bei 500 mA, 10 V	2,5 V bei 250 µA	0,59 nC bei 4,5 V		50 pF bei 25 V	-
CMLDM7002AG TR PBFREE	0,8700	Anfrage	1	Central Semiconductor Corp	-	Tape & Reel (TR)	Aktiv	-65°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	CMLDM7002	MOSFET (Metalloxid)	350 mW	SOT-563	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.21.0095	3.000	2 N-Kanal (Dual)			60V	280mA		2 Ohm bei 500 mA, 10 V	2,5 V bei 250 µA	0,59 nC bei 4,5 V		50 pF bei 25 V	-
PN5910-5	-	Anfrage	2941	Central Semiconductor Corp	-	Schüttgut	Veraltet	-65°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			310 mW	TO-92-3	-				1514-PN5910-5	EAR99	8541.21.0075	1														20 V	50mA			10nA		PNP	500 mV bei 5 mA, 50 mA	30 bei 50 mA, 1 V	700 MHz
BCY79-IX PBFREE	1.0545	Anfrage	6358	Central Semiconductor Corp	-	Schüttgut	Aktiv	-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-206AA, TO-18-3 Metalldose	BCY79		1 W	TO-18	herunterladen	ROHS3-konform	Nicht zutreffend	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0075	2.000														45 V	100mA			15nA (ICBO)		PNP	800 mV bei 2,5 mA, 100 mA	250 bei 2 mA, 5 V	100 MHz
MPQ6502 ZINN/BLEI	-	Anfrage	7070	Central Semiconductor Corp	-	Rohr	Veraltet	-65°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	14-DIP (0,300", 7,62 mm)	MPQ6502		650 mW	TO-116	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.21.0075	25														30V	500mA			30nA (ICBO)		2 NPN, 2 PNP	1,4 V bei 30 mA, 300 mA	30 bei 300 mA, 10 V	200 MHz
CP617-CM4957-WN	-	Anfrage	5600	Central Semiconductor Corp	-	Schüttgut	Veraltet	-65°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	Sterben			-	Sterben	-				1514-CP617-CM4957-WN	VERALTET		500			25 dB											25V	30mA					PNP		20 bei 2 mA, 10 V	2,5 GHz	-
CP802-CWDM3011P-CM	-	Anfrage	1615	Central Semiconductor Corp	-	Tablett	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	Sterben	CP802	MOSFET (Metalloxid)		Sterben	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	1514-CP802-CWDM3011P-CM	EAR99	8541.29.0040	100		P-Kanal		30 V	11A (Ta)	4,5 V, 10 V	13 mOhm bei 1 A, 10 V	3 V bei 250 µA	80 nC bei 10 V	±20V	3100 pF bei 8 V	-	-
CMPDM202PH BK	-	Anfrage	7469	Central Semiconductor Corp	-	Schüttgut	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SOT-23-3-Flachleitungen		MOSFET (Metalloxid)		SOT-23F	herunterladen		1 (Unbegrenzt)			EAR99	8541.21.0095	3.500		P-Kanal		20 V	2,3A (Ta)	2,5 V, 5 V	88 mOhm bei 1,2 A, 5 V	1,4 V bei 250 µA	12 nC bei 5 V	12V	800 pF bei 10 V	-	350 mW (Ta)
CP775-CWDM3011P-CT	-	Anfrage	6057	Central Semiconductor Corp	-	Tablett	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	Sterben		MOSFET (Metalloxid)		Sterben	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	1514-CP775-CWDM3011P-CT	VERALTET		100		P-Kanal		30 V	11A (Ta)	4,5 V, 10 V	20 mOhm bei 11 A, 10 V	3 V bei 250 µA	80 nC bei 10 V	±20V	3100 pF bei 8 V	-	-
TIP102 PBFREE	1.0425	Anfrage	3314	Central Semiconductor Corp	-	Schüttgut	Letzter Kauf	-65°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3	TIPP102		80 W	TO-220-3	herunterladen	ROHS3-konform		REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	50														100 V	8 A			-		NPN – Darlington	-	-	4 MHz
CP398X-CTLDM303N-CT	-	Anfrage	1125	Central Semiconductor Corp	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	Sterben	CP398	MOSFET (Metalloxid)		Sterben	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal		30 V	3,6A (Ta)	2,5 V, 4,5 V	78 mOhm bei 1,8 A, 2,5 V	1,2 V bei 250 µA	13 nC bei 4,5 V	12V	590 pF bei 10 V	-	-
MPSH81 TRE	-	Anfrage	3906	Central Semiconductor Corp	-	Schüttgut	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			-	TO-92-3	-		1 (Unbegrenzt)			VERALTET	0000.00.0000	1			-											20V	50mA					PNP		60 bei 5 mA, 10 V	600 MHz	-
BSV79	-	Anfrage	4244	Central Semiconductor Corp	-	Schüttgut	Veraltet	-65°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-206AA, TO-18-3 Metalldose			350 mW	TO-18	herunterladen		Anbieter nicht definiert		BSV79CS	EAR99	8541.21.0095	2.000		N-Kanal		40 V							5pF bei 10V					20 mA bei 15 V	2 V bei 1 nA		40 Ohm
CP588-2N2605-CT	-	Anfrage	7688	Central Semiconductor Corp	-	Tablett	Veraltet	-	Oberflächenmontage	Sterben			400 mW	Sterben	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		1514-CP588-2N2605-CT	EAR99	8541.29.0040	1														45 V	30mA			-			500 mV bei 500 µA, 10 mA	100 bei 10 µA, 5 V
2N3467 PBFREE	3.2600	Anfrage	322	Central Semiconductor Corp	-	Schüttgut	Veraltet	-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-205AD, TO-39-3 Metalldose			1 W	TO-39	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0075	500														40 V	1 A			100nA (ICBO)		PNP	1 V bei 100 mA, 1 A	40 bei 500 mA, 1 V	175 MHz
2N5430	-	Anfrage	3019	Central Semiconductor Corp	-	Kasten	Veraltet	-	Durchgangsloch	TO-213AA, TO-66-2			40 W	TO-66	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		2N5430CS	EAR99	8541.29.0075	500														100 V	7 A			-		NPN	-	-	30 MHz
2N5771 TRE	-	Anfrage	2466	Central Semiconductor Corp	-	Schüttgut	Veraltet	-65°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) geformte Leitungen			625 mW	TO-92	herunterladen				1514-2N5771TRE	EAR99	8541.21.0075	1														15 V	50mA			10nA		PNP	600 mV bei 5 mA, 50 mA	50 bei 10 mA, 300 mV	850 MHz
CMLT2222AG BK PBFREE	0,1291	Anfrage	2454	Central Semiconductor Corp	-	Schüttgut	Aktiv	-65°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SOT-563, SOT-666	CMLT2222		350 mW	SOT-563	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.21.0075	5.000														40V	600mA			10nA (ICBO)		2 NPN (Dual)	1 V bei 50 mA, 500 mA	100 bei 150 mA, 10 V	300 MHz
CP208-2N4923-CT	-	Anfrage	3145	Central Semiconductor Corp	-	Klebeband & Box (TB)	Veraltet	-65°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	Sterben			30 W	Sterben	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		1514-CP208-2N4923-CTTB	EAR99	8541.29.0095	1.000														80 V	1 A			500µA		NPN	600 mV bei 100 mA, 1A	40 bei 50 mA, 1 V	3 MHz
2N3725 PBFREE	-	Anfrage	5317	Central Semiconductor Corp	-	Kasten	Veraltet	-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-205AD, TO-39-3 Metalldose			800 mW	TO-39	herunterladen				1514-2N3725PBFREE	EAR99	8541.21.0075	500														50 V	1,2 A			10µA		NPN	950 mV bei 100 mA, 1 A	60 bei 100 mA, 1 V	300 MHz
CP647-CEN1103-WN	-	Anfrage	3070	Central Semiconductor Corp	*	Schüttgut	Aktiv				CP647				-	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0040	1
CYTA4494D TR	-	Anfrage	5365	Central Semiconductor Corp	-	Tape & Reel (TR)	Veraltet	-65°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SOT-228	CYTA4494		2W	SOT-228	-				1514-CYTA4494DTR	EAR99	8541.29.0095	1														400V	300mA			500nA		NPN, PNP-Komplementär	750 mV bei 5 mA, 50 mA	50 bei 10 mA, 10 V	20 MHz
CEDM8001VL BK	-	Anfrage	2551	Central Semiconductor Corp	-	Schüttgut	Veraltet	-65°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	SC-101, SOT-883		MOSFET (Metalloxid)		SOT-883VL	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		1514-CEDM8001VLBK	EAR99	8541.21.0095	1		P-Kanal		20 V	200mA (Ta)	1,5 V, 4 V	8 Ohm bei 10 mA, 4 V	1,1 V bei 250 µA	0,658 nC bei 4,5 V	10V	45 pF bei 3 V	-	100 mW (Ta)
CJD122 BK PBFREE	-	Anfrage	7404	Central Semiconductor Corp	-	Schüttgut	Veraltet	-65°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63			1,75 W	DPAK	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)		1514-CJD122BKPBFREE	EAR99	8541.29.0095	150														100 V	8 A			10µA		NPN – Darlington	4 V bei 80 mA, 8 A	1000 bei 4A, 4V	4 MHz
TIPP49	-	Anfrage	8368	Central Semiconductor Corp	-	Schüttgut	Veraltet	-65°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			40 W	TO-220-3	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	TIP49CS	EAR99	8541.29.0095	400														350 V	1 A			1mA		NPN	1 V bei 200 mA, 1 A	30 bei 300 mA, 10 V	10 MHz

2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lager vorrätig

Transistoren(1307)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²