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Transistoren (5716)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | Spannung - Breakdown (V (BR) GSS) | Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id | Ausfluss - rds (on) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI1070x-T1-E3 | - - - |  | 1268 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-563, SOT-666 | SI1070 | MOSFET (Metalloxid) | SC-89 (SOT-563F) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 1.2a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 99mohm @ 1,2a, 4,5 V. | 1,55 V @ 250 ähm | 8.3 NC @ 5 V. | ± 12 V | 385 PF @ 15 V | - - - | 236 MW (TA) | |||||||
 | SI1304BDL-T1-E3 | - - - | | 3486 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SC-70, SOT-323 | SI1304 | MOSFET (Metalloxid) | SC-70-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 900 Ma (TC) | 2,5 V, 4,5 V. | 270 MOHM @ 900 Ma, 4,5 V. | 1,3 V @ 250 ähm | 2,7 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | 100 PF @ 15 V | - - - | 340 MW (TA), 370 MW (TC) | |||||||
 | SI3853DV-T1-E3 | - - - | | 8860 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | SOT-23-6 Dünn, TSOT-23-6 | SI3853 | MOSFET (Metalloxid) | 6-tsop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 20 v | 1,6a (ta) | 2,5 V, 4,5 V. | 200mohm @ 1,8a, 4,5 V. | 500 MV @ 250 um (min) | 4 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | Schottky Diode (Isolier) | 830 MW (TA) | ||||||||
 | SI4398DY-T1-E3 | - - - | | 8832 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | SI4398 | MOSFET (Metalloxid) | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-Kanal | 20 v | 19a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 2,8 MOHM @ 25a, 10V | 3v @ 250 ähm | 50 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 5620 PF @ 10 V | - - - | 1.6W (TA) | |||||||
 | SI8409DB-T1-E1 | 1.1100 | | 9174 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 4-XFBGA, CSPBGA | SI8409 | MOSFET (Metalloxid) | 4-microfoot | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 4.6a (TA) | 2,5 V, 4,5 V. | 46mohm @ 1a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 26 NC @ 4,5 V. | ± 12 V | - - - | 1.47W (TA) | ||||||||
 | TP0610K-T1-E3 | 0,5000 | | 830 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | TP0610 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-23-3 (to-236) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | P-Kanal | 60 v | 185 ma (ta) | 4,5 V, 10 V. | 6OHM @ 500 mA, 10V | 3v @ 250 ähm | 1,7 NC @ 15 V | ± 20 V | 23 PF @ 25 V. | - - - | 350 MW (TA) | |||||||
 | SI5908DC-T1-E3 | 1.3900 | | 18 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-smd, Flaches Blei | SI5908 | MOSFET (Metalloxid) | 1.1W | 1206-8 Chipfet ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 n-kanal (dual) | 20V | 4.4a | 40mohm @ 4,4a, 4,5 V. | 1V @ 250 ähm | 7,5nc @ 4,5 V | - - - | Logikpegel -tor | |||||||||
 | SI7138DP-T1-E3 | - - - | | 6191 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7138 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 60 v | 30a (TC) | 6 V, 10V | 7,8 MOHM @ 19.7a, 10V | 4v @ 250 ähm | 135 NC @ 10 V | ± 20 V | 6900 PF @ 30 V | - - - | 5.4W (TA), 96W (TC) | |||||||
| SI7892BDP-T1-E3 | 1,9000 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SI7892 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 30 v | 15a (ta) | 4,5 V, 10 V. | 4.2mohm @ 25a, 10V | 3v @ 250 ähm | 40 NC @ 4,5 V. | ± 20 V | 3775 PF @ 15 V | - - - | 1,8W (TA) | ||||||||
| SIR870DP-T1-GE3 | 2.5100 | | 6769 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir870 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 60a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 6mohm @ 20a, 10V | 3v @ 250 ähm | 84 NC @ 10 V | ± 20 V | 2840 PF @ 50 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||||
 | SUP75P05-08-E3 | - - - | | 2982 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Sup75 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | P-Kanal | 55 v | 75a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 8mohm @ 30a, 10V | 3v @ 250 ähm | 225 NC @ 10 V | ± 20 V | 8500 PF @ 25 V. | - - - | 3.7W (TA), 250 W (TC) | ||||||||
 | SIS427EDN-T1-GE3 | 0,7100 | | 6952 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® 1212-8 | SIS427 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® 1212-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | P-Kanal | 30 v | 50a (TC) | 4,5 V, 10 V. | 10.6mohm @ 11a, 10V | 2,5 V @ 250 ähm | 66 NC @ 10 V | ± 25 V | 1930 PF @ 15 V | - - - | 3,7W (TA), 52W (TC) | ||||||||
| SIR640ADP-T1-GE3 | 1.9200 | | 6344 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | Sir640 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 41,6a (TA), 100A (TC) | 4,5 V, 10 V. | 2mohm @ 20a, 10V | 2v @ 250 ähm | 90 nc @ 10 v | ± 20 V | 4240 PF @ 20 V | - - - | 6.25W (TA), 104W (TC) | ||||||||
 | SIA440DJ-T1-GE3 | 0,4800 | | 27 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 | SIA440 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SC-70-6 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 40 v | 12a (TC) | 2,5 V, 10 V. | 26mohm @ 9a, 10V | 1,4 V @ 250 ähm | 21,5 NC @ 10 V. | ± 12 V | 700 PF @ 20 V | - - - | 3,5 W (TA), 19W (TC) | ||||||||
 | SIJ470DP-T1-GE3 | 1.6300 | | 1561 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SO-8 | SIJ470 | MOSFET (Metalloxid) | Powerpak® SO-8 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-Kanal | 100 v | 58,8a (TC) | 7,5 V, 10 V. | 9.1mohm @ 20a, 10V | 3,5 V @ 250 ähm | 56 NC @ 10 V | ± 20 V | 2050 PF @ 50 V | - - - | 5W (TA), 56,8W (TC) | ||||||||
 | Sia907edjt-T1-GE3 | 0,5500 | | 785 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Band & Rollen (TR) | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA907 | MOSFET (Metalloxid) | 7.8W | Powerpak® SC-70-6 Dual | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 p-kanal (dual) | 20V | 4,5a (TC) | 57mohm @ 3,6a, 4,5 V. | 1,4 V @ 250 ähm | 23nc @ 10v | - - - | Logikpegel -tor | ||||||||||
| SST4416-E3 | - - - | | 4471 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SST4416 | 350 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | N-Kanal | 2.2pf @ 15V | 30 v | 5 ma @ 15 V | 3 V @ 1 na | |||||||||||||
| SST5484-E3 | - - - | | 8855 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SST5484 | 350 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | N-Kanal | 5pf @ 15V | 25 v | 1 ma @ 15 v | 300 mv @ 10 na | |||||||||||||
| SST5484-T1-E3 | - - - | | 3172 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SST5484 | 350 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-Kanal | 5pf @ 15V | 25 v | 1 ma @ 15 v | 300 mv @ 10 na | |||||||||||||
| SST5485-E3 | - - - | | 4758 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Band & Rollen (TR) | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-236-3, sc-59, SOT-23-3 | SST5485 | 350 MW | SOT-23 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 1.000 | N-Kanal | 5pf @ 15V | 25 v | 4 ma @ 15 v | 500 mv @ 10 na | |||||||||||||
 | U441 | - - - | | 7261 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-71-6 | U441 | 500 MW | - - - | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 200 | 2 n-kanal (dual) | 3PF @ 10v | 25 v | 6 ma @ 10 v | 1 V @ 1 na | |||||||||||||
 | 2N4117a | - - - | | 8102 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-206af, bis 72-4 Metall Kann | 2N4117 | 300 MW | To-206af (bis 72) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 200 | N-Kanal | 3PF @ 10v | 40 v | 30 µa @ 10 V | 600 mv @ 1 na | |||||||||||||
| 2N4118a | - - - | | 6229 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-206af, bis 72-4 Metall Kann | 2N4118 | 300 MW | To-206af (bis 72) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 200 | N-Kanal | 3PF @ 10v | 40 v | 80 µa @ 10 V | 1 V @ 1 na | |||||||||||||
| 2N4119a-e3 | - - - | | 9201 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-206af, bis 72-4 Metall Kann | 2N4119 | 300 MW | To-206af (bis 72) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 200 | N-Kanal | 3PF @ 10v | 40 v | 200 µa @ 10 V | 2 V @ 1 na | |||||||||||||
| 2N4392-2 | - - - | | 8641 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N4392 | 1,8 w | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | N-Kanal | 14pf @ 20V | 40 v | 25 mA @ 20 V | 2 V @ 1 na | 60 Ohm | ||||||||||||
| 2N4392-E3 | - - - | | 4337 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Schüttgut | Veraltet | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N4392 | 1,8 w | To-206aa (to-18) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 200 | N-Kanal | 14pf @ 20V | 40 v | 25 mA @ 20 V | 2 V @ 1 na | 60 Ohm | ||||||||||||
| 2N4856JTXV02 | - - - | | 8798 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N4856 | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - - - | - - - | |||||||||||||||||
| 2N4857JTXV02 | - - - | | 8900 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N4857 | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 40 | - - - | - - - | |||||||||||||||||
| 2N4858JTXV02 | - - - | | 3827 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N4858 | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 40 | - - - | - - - | |||||||||||||||||
| 2N4859JTX02 | - - - | | 3226 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - - - | Rohr | Veraltet | - - - | K. Loch | To-206aa, to-18-3 Metalldose | 2N4859 | To-206aa (to-18) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 40 | - - - | - - - |
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