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Transistoren (3903)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Reverse Recovery Time (TRR) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce
IXTH12N120 IXYS Ixth12n120 - - -
RFQ
 ECAD 4929 0.00000000 Ixys - - - Kasten Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixth12 MOSFET (Metalloxid) To-247 (ixth) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 1200 V 12a (TC) 10V 1,4ohm @ 6a, 10V 5 V @ 250 ähm 95 NC @ 10 V ± 30 v 3400 PF @ 25 V. - - - 500W (TC)
IXFN180N15P IXYS Ixfn180n15p 28.9600
RFQ
 ECAD 1813 0.00000000 Ixys HIPERFET ™, Polar Kasten Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc Ixfn180 MOSFET (Metalloxid) SOT-227B Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 N-Kanal 150 v 150a (TC) 10V 11MOHM @ 90A, 10V 5v @ 4ma 240 nc @ 10 v ± 20 V 7000 PF @ 25 V. - - - 680W (TC)
IXFH220N20X3 IXYS IXFH220N20X3 20.3100
RFQ
 ECAD 155 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, ultra x3 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh220 MOSFET (Metalloxid) To-247 (ixth) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 200 v 220a (TC) 10V 6,2 MOHM @ 110A, 10V 4,5 V @ 4ma 204 NC @ 10 V. ± 20 V 13600 PF @ 25 V. - - - 960W (TC)
IXFP28N60X3 IXYS IXFP28N60X3 5.7504
RFQ
 ECAD 5867 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv Ixfp28 - - - 238-IXFP28N60X3 50
IXTT4N150HV IXYS IXTT4N150HV 39.8300
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixtt4 MOSFET (Metalloxid) To-268aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen -Ixtt4n150HV Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 1500 V 4a (TC) 10V 6OHM @ 500 mA, 10V 5 V @ 250 ähm 44,5 NC @ 10 V. ± 30 v 1576 PF @ 25 V. - - - 280W (TC)
IXTA42N15T-TRL IXYS IXTA42N15T-Trl 2.6928
RFQ
 ECAD 8650 0.00000000 Ixys Graben Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixta42 MOSFET (Metalloxid) To-263 (D2pak) - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 238-ixta42N15T-Trltr Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 150 v 42a (TC) 10V 45mohm @ 21a, 10V 4,5 V @ 250 ähm 21 NC @ 10 V ± 30 v 1880 PF @ 25 V. - - - 200W (TC)
IXGH25N160 IXYS Ixgh25n160 17.1200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixgh25 Standard 300 w To-247ad Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 - - - Npt 1600 v 75 a 200 a 4,7 V @ 20V, 100a - - - 84 NC - - -
IXST40N60B IXYS Ixst40n60b - - -
RFQ
 ECAD 7953 0.00000000 Ixys - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixst40 Standard 280 w To-268aa Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 480 V, 40a, 2,7ohm, 15 V. Pt 600 V 75 a 150 a 2,2 V @ 15V, 40a 1,8 MJ (AUS) 190 NC 50ns/110ns
IXTA36N20T IXYS Ixta36n20t - - -
RFQ
 ECAD 8802 0.00000000 Ixys Graben Rohr Aktiv - - - Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixta36 MOSFET (Metalloxid) To-263aa - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 200 v 36a (TC) - - - - - - - - - - - -
IXGA90N33TC IXYS Ixga90n33tc - - -
RFQ
 ECAD 3628 0.00000000 Ixys - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixga90 Standard 200 w To-263aa Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 - - - - - - 330 V 90 a 1,8 V @ 15V, 45a - - - 69 NC - - -
IXFX26N100P IXYS Ixfx26n100p 32.5303
RFQ
 ECAD 5483 0.00000000 Ixys HIPERFET ™, Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Variante Ixfx26 MOSFET (Metalloxid) Plus247 ™ -3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 1000 v 26a (TC) 10V 390MOHM @ 13A, 10V 6,5 V @ 1ma 197 NC @ 10 V ± 30 v 11900 PF @ 25 V. - - - 780W (TC)
IXTH180N10T IXYS Ixth180n10t 7.5100
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 Ixys Graben Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixth180 MOSFET (Metalloxid) To-247 (ixth) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 100 v 180a (TC) 10V 6.4mohm @ 25a, 10V 4,5 V @ 250 ähm 151 NC @ 10 V ± 30 v 6900 PF @ 25 V. - - - 480W (TC)
IXTT1N450HV IXYS IXTT1N450HV 51.7700
RFQ
 ECAD 5905 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixtt1 MOSFET (Metalloxid) To-268aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 4500 v 1a (TC) 10V 85OHM @ 50 Ma, 10V 6,5 V @ 250 ähm 40 nc @ 10 v ± 20 V 1730 PF @ 25 V. - - - 520W (TC)
MUBW35-06A6K IXYS MUBW35-06A6K - - -
RFQ
 ECAD 3992 0.00000000 Ixys - - - Kasten Veraltet -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg E1 MUBW35 130 w DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER E1 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse Npt 600 V 42 a 2,7 V @ 15V, 35a 750 µA Ja 1,6 NF @ 25 V.
T-FD28N50Q-72 IXYS T-FD28N50Q-72 - - -
RFQ
 ECAD 6906 0.00000000 Ixys - - - Schüttgut Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1 - - -
IXTQ102N20T IXYS IXTQ102N20T - - -
RFQ
 ECAD 6463 0.00000000 Ixys Graben Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 Ixtq102 MOSFET (Metalloxid) To-3p - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 200 v 102a (TC) 23mohm @ 500 mA, 10V 4,5 V @ 1ma 114 NC @ 10 V 6800 PF @ 25 V. - - - 750 W (TC)
IXTN320N10T IXYS Ixtn320n10t - - -
RFQ
 ECAD 8984 0.00000000 Ixys - - - Rohr Veraltet - - - Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc Ixtn320 MOSFET (Metalloxid) SOT-227B Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 N-Kanal 100 v 320a (TC) 10V - - - 4,5 V @ 1ma ± 20 V - - - 680W (TC)
IXGK55N120A3H1 IXYS Ixgk55n120a3h1 19.0439
RFQ
 ECAD 3149 0.00000000 Ixys Genx3 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa Ixgk55 Standard 460 w To-264 (ixgk) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 25 960 V, 55A, 3OHM, 15 V. 200 ns Pt 1200 V 125 a 400 a 2,3 V @ 15V, 55a 5.1MJ (EIN), 13,3mj (AUS) 185 NC 23ns/365ns
IXFH90N20X3 IXYS Ixfh90n20x3 9.5300
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, ultra x3 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh90 MOSFET (Metalloxid) To-247 (ixth) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 200 v 90a (TC) 10V 12,8 MOHM @ 45A, 10V 4,5 V @ 1,5 mA 78 NC @ 10 V ± 20 V 5420 PF @ 25 V. - - - 390W (TC)
IXTT34N65X2HV IXYS IXTT34N65X2HV 7.0695
RFQ
 ECAD 7634 0.00000000 Ixys Ultra x2 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixtt34 MOSFET (Metalloxid) To-268HV (ixtt) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 650 V 34a (TC) 10V 96mohm @ 17a, 10V 5 V @ 250 ähm 54 NC @ 10 V ± 30 v 3000 PF @ 25 V. - - - 540W (TC)
IXYN120N120C3 IXYS Ixyn120N120C3 38.6000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Ixys XPT ™, GenX3 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung SOT-227-4, MiniBloc Ixyn120 1200 w Standard SOT-227B Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 Einzel - - - 1200 V 240 a 3,2 V @ 15V, 120a 25 µA NEIN
IXFL39N90 IXYS Ixfl39n90 - - -
RFQ
 ECAD 5200 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa Ixfl39 MOSFET (Metalloxid) Isoplus264 ™ Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 900 V 34a (TC) 10V 220mohm @ 19.5a, 10V 5v @ 8ma 375 NC @ 10 V. ± 20 V 13400 PF @ 25 V. - - - 580W (TC)
IXFH18N65X3 IXYS Ixfh18n65x3 5.4460
RFQ
 ECAD 1038 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv Ixfh18 - - - 238-IXFH18N65X3 30
IXFH50N20 IXYS Ixfh50n20 10.7200
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Nicht für Designs -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh50 MOSFET (Metalloxid) To-247ad (ixfh) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen IXFH50N20-NDR Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 200 v 50a (TC) 10V 45mohm @ 25a, 10V 4v @ 4ma 220 NC @ 10 V ± 20 V 4400 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
IXFV96N15P IXYS Ixfv96n15p - - -
RFQ
 ECAD 9145 0.00000000 Ixys Polarht ™ Hiperfet ™ Kasten Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3, Kurze RegisterKarte Ixfv96 MOSFET (Metalloxid) Plus220 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 150 v 96a (TC) 10V 24MOHM @ 500 mA, 10V 5v @ 4ma 110 nc @ 10 v ± 20 V 3500 PF @ 25 V. - - - 480W (TC)
IXTM40N30 IXYS IXTM40N30 - - -
RFQ
 ECAD 1360 0.00000000 Ixys Gigamos ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-204ae Ixtm40 MOSFET (Metalloxid) To-204ae Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 20 N-Kanal 300 V 40a (TC) 10V 88mohm @ 20a, 10V 4v @ 250 ähm 220 NC @ 10 V ± 20 V 4600 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
IXFR90N30 IXYS IXFR90N30 - - -
RFQ
 ECAD 2124 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfr90 MOSFET (Metalloxid) Isoplus247 ™ Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 300 V 75a (TC) 10V 33mohm @ 45a, 10V 4,5 V @ 4ma 360 nc @ 10 v ± 20 V 10000 PF @ 25 V. - - - 417W (TC)
IXTQ240N055T IXYS IXTQ240N055T - - -
RFQ
 ECAD 7267 0.00000000 Ixys Trenchmv ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 IXTQ240 MOSFET (Metalloxid) To-3p Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 55 v 240a (TC) 10V 3,6 MOHM @ 25a, 10V 4v @ 250 ähm 170 nc @ 10 v ± 20 V 7600 PF @ 25 V. - - - 480W (TC)
IXBT20N300 IXYS IXBT20N300 - - -
RFQ
 ECAD 9766 0.00000000 Ixys Bimosfet ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa IXBT20 Standard 250 w To-268aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 - - - 1,35 µs - - - 3000 v 50 a 140 a 3,2 V @ 15V, 20a - - - 105 NC - - -
IXBF20N300 IXYS Ixbf20n300 56.1580
RFQ
 ECAD 1388 0.00000000 Ixys Bimosfet ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch I4 -PAC ™ -5 (3 Leads) Ixbf20 Standard 150 w Isoplus i4-pac ™ Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 25 - - - 1,35 µs - - - 3000 v 34 a 150 a 3,2 V @ 15V, 20a - - - 105 NC - - -
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    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

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