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Transistoren (3903)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Kraft - Max	Eingang	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	Testedingung	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Reverse Recovery Time (TRR)	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Strom - Sammler Cutoff (max)	NTC Thermistor	Eingabekapazität (cies) @ vce
IXTA3N100D2HV	5.5100	RFQ	6340	Ixys	Erschöpfung	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	Ixta3		MOSFET (Metalloxid)			To-263HV	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal		1000 v	3a (TJ)	0V	6OHM @ 1,5a, 0V	4,5 V @ 250 ähm	37,5 NC @ 5 V.	± 20 V	1020 PF @ 25 V	Depletion -modus	125W (TC)
IXFQ20N50P3	5.6300	RFQ	297	Ixys	Hiperfet ™, polar3 ™	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3, SC-65-3	IXFQ20		MOSFET (Metalloxid)			To-3p	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	-IXFQ20N50P3	Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal		500 V	20A (TC)	10V	300mohm @ 10a, 10V	5v @ 1,5 mA	36 NC @ 10 V	± 30 v	1800 PF @ 25 V.	- - -	380W (TC)
IXGX50N60C2D1	- - -	RFQ	9339	Ixys	Hiperfast ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3 Variante	Ixgx50	Standard		480 w		Plus247 ™ -3	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30			480 V, 40a, 2OHM, 15 V.											35 ns	Pt	600 V	75 a	300 a	2,5 V @ 15V, 40a	380 µj (AUS)	138 NC	18ns/115ns
IXGK100N170	43.5100	RFQ	665	Ixys	- - -	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C.	K. Loch	To-264-3, to-264aa	Ixgk100	Standard		830 w		Plus264 ™	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Q4669629	Ear99	8541.29.0095	25			850 V, 100a, 1ohm, 15 V.												- - -	1700 v	170 a	600 a	3v @ 15V, 100a	- - -	425 NC	35ns/285ns
Ixfn60n80p	38.5700	RFQ	4903	Ixys	HIPERFET ™, Polar	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	Ixfn60		MOSFET (Metalloxid)			SOT-227B	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	10		N-Kanal		800 V	53a (TC)	10V	140MOHM @ 30a, 10V	5v @ 8ma	250 NC @ 10 V	± 30 v	18000 PF @ 25 V.	- - -	1040W (TC)
Ixgh72n60a3	11.8100	RFQ	31	Ixys	GenX3 ™, XPT ™	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	Ixgh72	Standard		540 w		To-247ad	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30			480 V, 50A, 3OHM, 15 V.												Pt	600 V	75 a	400 a	1,35 V @ 15V, 60a	1,38MJ (EIN), 3,5mj (AUS)	230 NC	31ns/320ns
Ixfr38n80q2	- - -	RFQ	5888	Ixys	Hiperfet ™, Q2 -Klasse	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	Ixfr38		MOSFET (Metalloxid)			Isoplus247 ™	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal		800 V	28a (TC)	10V	240MOHM @ 19A, 10V	4,5 V @ 8ma	190 nc @ 10 v	± 30 v	8340 PF @ 25 V.	- - -	416W (TC)
Ixfh32n48q	- - -	RFQ	4215	Ixys	Hiperfet ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	Ixfh32		MOSFET (Metalloxid)			To-247ad (ixfh)	- - -		1 (unbegrenzt)			Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal		480 v	32a (TC)	10V	130mohm @ 15a, 10V	4v @ 4ma	300 NC @ 10 V.	± 20 V	5200 PF @ 25 V.	- - -	360W (TC)
Mii145-12a3	- - -	RFQ	2473	Ixys	- - -	Kasten	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Y4-M5	Mii145			700 w	Standard	Y4-M5	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	6	Halbbrücke														Npt	1200 V	160 a		2,7 V @ 15V, 100a				6 Ma	NEIN	6,5 NF @ 25 V.
Ixta6n50p	- - -	RFQ	1179	Ixys	Polarhv ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	Ixta6		MOSFET (Metalloxid)			To-263aa	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal		500 V	6a (TC)	10V	1,1OHM @ 3a, 10V	5 V @ 50 µA	14.6 NC @ 10 V.	± 30 v	740 PF @ 25 V.	- - -	100 W (TC)
Ixfx94n50p2	22.1200	RFQ	28	Ixys	HIPERFET ™, POLARP2 ™	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3 Variante	Ixfx94		MOSFET (Metalloxid)			Plus247 ™ -3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal		500 V	94a (TC)	10V	55mohm @ 500 mA, 10V	5v @ 8ma	220 NC @ 10 V	± 30 v	13700 PF @ 25 V.	- - -	1300W (TC)
Ixtu02n50d	1.9800	RFQ	385	Ixys	Erschöpfung	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa	Ixtu02		MOSFET (Metalloxid)			To-251aa	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	70		N-Kanal		500 V	200 Ma (TC)	10V	30ohm @ 50 mA, 0V	5 V @ 25 µA		± 20 V	120 PF @ 25 V.	Depletion -modus	1.1W (TA), 25W (TC)
IXFN21N100Q	- - -	RFQ	9365	Ixys	Hiperfet ™, q -Klasse	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	Ixfn21		MOSFET (Metalloxid)			SOT-227B	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	10		N-Kanal		1000 v	21a (TC)	10V	500mohm @ 500 mA, 10V	5v @ 4ma	170 nc @ 10 v	± 20 V	5900 PF @ 25 V.	- - -	520W (TC)
MKI100-12F8	164.4500	RFQ	5148	Ixys	- - -	Kasten	Aktiv	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Chassis -berg	E3	MKI100			640 w	Standard	E3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	5	Vollbrückke Wechselrichter														Npt	1200 V	125 a		3,9 V @ 15V, 100a				1,3 ma	NEIN	6,5 NF @ 25 V.
Ixty02N120p-trl	1.1187	RFQ	4221	Ixys	Polar	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63	Ixty02		MOSFET (Metalloxid)			To-252aa	- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	238-iixty02N120p-trltr	Ear99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal		1200 V	200 Ma (TC)	10V	75OHM @ 100 mA, 10V	4 V @ 100 µA	4,7 NC @ 10 V.	± 20 V	104 PF @ 25 V.	- - -	33W (TC)
Ixty1n80	- - -	RFQ	2871	Ixys	- - -	Kasten	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63	Ixty1		MOSFET (Metalloxid)			To-252aa	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	70		N-Kanal		800 V	750 Ma (TC)	10V	11OHM @ 500 mA, 10V	4,5 V @ 25 ähm	8,5 NC @ 10 V	± 20 V	220 PF @ 25 V.	- - -	40W (TC)
MMIX1X200N60B3H1	48.9900	RFQ	23	Ixys	GenX3 ™, XPT ™	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	24-Powermd, 21 Hinweise	MMIX1X200	Standard		520 w		24-smpd	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	20			360 V, 100a, 1ohm, 15 V.											100 ns	- - -	600 V	175 a	1000 a	1,7 V @ 15V, 100a	2,85MJ (EIN), 2,9mj (AUS)	315 NC	48ns/160ns
Ixtt96n20p-trl	7.8667	RFQ	8192	Ixys	Polar	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa	Ixtt96		MOSFET (Metalloxid)			To-268	- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	238-IXTT96N20P-Trltr	Ear99	8541.29.0095	400		N-Kanal		200 v	96a (TC)	10V	24MOHM @ 48A, 10V	5 V @ 250 ähm	145 NC @ 10 V.	± 20 V	4800 PF @ 25 V.	- - -	600W (TC)
Ixft32n50	- - -	RFQ	5643	Ixys	Hiperfet ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa	Ixft32		MOSFET (Metalloxid)			To-268aa	Herunterladen		1 (unbegrenzt)			Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal		500 V	32a (TC)	10V	150 Mohm @ 15a, 10V	4v @ 4ma	300 NC @ 10 V.	± 20 V	5700 PF @ 25 V.	- - -	360W (TC)
IXTP10N60PM	- - -	RFQ	3707	Ixys	Polar	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3	Ixtp10		MOSFET (Metalloxid)			To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal		600 V	5a (TC)	10V	740Mohm @ 5a, 10V	5 V @ 100 µA	32 NC @ 10 V	± 30 v	1610 PF @ 25 V.	- - -	50W (TC)
IXFX100N25	- - -	RFQ	6675	Ixys	Hiperfet ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3 Variante	Ixfx100		MOSFET (Metalloxid)			Plus247 ™ -3	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal		250 V	100a (TC)	10V	27mohm @ 50a, 10V	4v @ 8ma	300 NC @ 10 V.	± 20 V	9100 PF @ 25 V.	- - -	560W (TC)
IXFP26N50p3	9.1900	RFQ	300	Ixys	Hiperfet ™, polar3 ™	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3	Ixfp26		MOSFET (Metalloxid)			To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal		500 V	26a (TC)	10V	230mohm @ 13a, 10V	5v @ 4ma	42 NC @ 10 V.	± 30 v	2220 PF @ 25 V.	- - -	500W (TC)
IXFA230N075T2-7	7.0600	RFQ	50	Ixys	HiPerfet ™, Tranz2 ™	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	Ixfa230		MOSFET (Metalloxid)			To-263aa (ixfa)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal		75 V	230a (TC)	10V	4.2mohm @ 50a, 10V	4v @ 1ma	178 NC @ 10 V.	± 20 V	10500 PF @ 25 V.	- - -	480W (TC)
IXTF200N10T	9.7756	RFQ	1309	Ixys	Graben	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	I4 -Pac ™ -5	IXTF200		MOSFET (Metalloxid)			Isoplus i4-pac ™	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	25		N-Kanal		100 v	90a (TC)	10V	7mohm @ 50a, 10V	4,5 V @ 250 ähm	152 NC @ 10 V	± 30 v	9400 PF @ 25 V.	- - -	156W (TC)
IXST30N60CD1	- - -	RFQ	6380	Ixys	- - -	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa	Ixst30	Standard		200 w		To-268aa	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30			480 V, 30a, 4,7ohm, 15 V.											50 ns	- - -	600 V	55 a	110 a	2,5 V @ 15V, 30a	700 µJ (AUS)	100 nc	30ns/90ns
Ixbh32n300	98.9500	RFQ	87	Ixys	Bimosfet ™	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	Ixbh32	Standard		400 w		To-247ad	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30			- - -											1,5 µs	- - -	3000 v	80 a	280 a	3,2 V @ 15V, 32a	- - -	142 NC	- - -
VHM40-06P1	- - -	RFQ	9598	Ixys	- - -	Kasten	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Öko-PAC2	VHM40		MOSFET (Metalloxid)	- - -		Öko-PAC2	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	25	2 n-kanal (dual)			600V	38a		70 Mohm @ 25a, 10V	5,5 V @ 3ma	220nc @ 10v		- - -	- - -
IXFN360N15T2	50.8700	RFQ	5949	Ixys	HiPerfet ™, Tranz2 ™	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	Ixfn360		MOSFET (Metalloxid)			SOT-227B	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	10		N-Kanal		150 v	310a (TC)	10V	4mohm @ 60a, 10V	5v @ 8ma	715 NC @ 10 V	± 20 V	47500 PF @ 25 V.	- - -	1070W (TC)
IXTQ52N30P	6.9900	RFQ	9803	Ixys	Polar	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3, SC-65-3	IXTQ52		MOSFET (Metalloxid)			To-3p	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal		300 V	52a (TC)	10V	66mohm @ 26a, 10V	5 V @ 250 ähm	110 nc @ 10 v	± 20 V	3490 PF @ 25 V.	- - -	400W (TC)
Ixfy30n25x3	6.7000	RFQ	6	Ixys	Hiperfet ™, ultra x3	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63	Ixfy30		MOSFET (Metalloxid)			To-252aa	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	70		N-Kanal		250 V	30a (TC)	10V	60mohm @ 15a, 10V	4,5 V @ 500 ähm	21 NC @ 10 V	± 20 V	1450 PF @ 25 V.	- - -	176W (TC)

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Transistoren (3903)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²