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Transistoren (3903)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Kraft - Max	Eingang	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	Testedingung	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Reverse Recovery Time (TRR)	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Strom - Sammler Cutoff (max)	NTC Thermistor	Eingabekapazität (cies) @ vce
IXTT120N15P	11.0100	RFQ	130	Ixys	Polar	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa	IXTT120		MOSFET (Metalloxid)			To-268aa	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal		150 v	120a (TC)	10V	16mohm @ 500 mA, 10V	5 V @ 250 ähm	150 NC @ 10 V.	± 20 V	4900 PF @ 25 V.	- - -	600W (TC)
Ixtd4n80p-3j	- - -	RFQ	2688	Ixys	Polarhv ™	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	Sterben	Ixtd4n		MOSFET (Metalloxid)			Sterben	- - -		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal		800 V	3.6a (TC)	10V	3,4OHM @ 1,8a, 10 V.	5,5 V @ 100 µA	14.2 NC @ 10 V.	± 30 v	750 PF @ 25 V.	- - -	100 W (TC)
IXFR15N100P	- - -	RFQ	6572	Ixys	HIPERFET ™, Polar	Rohr	Aktiv	- - -	K. Loch	To-247-3	Ixfr15		MOSFET (Metalloxid)			Isoplus247 ™	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal		1000 v	- - -		- - -	- - -				- - -	- - -
Ixgh30n60c3c1	- - -	RFQ	1110	Ixys	Genx3 ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	Ixgh30	Standard		220 w		To-247ad	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30			300 V, 20a, 5ohm, 15 V.												Pt	600 V	60 a	150 a	3v @ 15V, 20a	120 µJ (EIN), 90 µJ (AUS)	38 NC	17ns/42ns
Ixta4n70x2	3.0778	RFQ	4686	Ixys	Ultra x2	Rohr	Aktiv	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	Ixta4		MOSFET (Metalloxid)			To-263 (D2pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	238-ixta4n70x2	Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal		700 V	4a (TC)	10V	850MOHM @ 2a, 10V	4,5 V @ 250 ähm	11.8 NC @ 10 V.	± 30 v	386 PF @ 25 V.	- - -	80W (TC)
Ixsx35n120bd1	- - -	RFQ	1511	Ixys	- - -	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3 Variante	Ixsx35	Standard		300 w		Plus247 ™ -3	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30			960 V, 35A, 5OHM, 15 V.											40 ns	Pt	1200 V	70 a	140 a	3,6 V @ 15V, 35a	5MJ (AUS)	120 NC	36ns/160ns
IXFH60N60X3	12.4900	RFQ	13	Ixys	Hiperfet ™, ultra x3	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	Ixfh60		MOSFET (Metalloxid)			To-247	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	238-IXFH60N60X3	Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal		600 V	60a (TC)	10V	51mohm @ 30a, 10V	5v @ 4ma	51 NC @ 10 V	± 20 V	3450 PF @ 25 V.	- - -	625W (TC)
Ixfh34n65x2	8.4800	RFQ	100	Ixys	Hiperfet ™, ultra x2	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	Ixfh34		MOSFET (Metalloxid)			To-247 (ixth)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal		650 V	34a (TC)	10V	105mohm @ 17a, 10V	5,5 V @ 2,5 mA	56 NC @ 10 V	± 30 v	3330 PF @ 25 V.	- - -	540W (TC)
Ixft24n50	- - -	RFQ	6417	Ixys	Hiperfet ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa	Ixft24		MOSFET (Metalloxid)			To-268aa	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal		500 V	24a (TC)	10V	230mohm @ 12a, 10V	4v @ 4ma	160 nc @ 10 v	± 20 V	4200 PF @ 25 V.	- - -	300 W (TC)
IXFN44N100Q3	60.1900	RFQ	8663	Ixys	Hiperfet ™, Q3 -Klasse	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	Ixfn44		MOSFET (Metalloxid)			SOT-227B	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	10		N-Kanal		1000 v	38a (TC)	10V	220MOHM @ 22A, 10V	6,5 V @ 8ma	264 NC @ 10 V	± 30 v	13600 PF @ 25 V.	- - -	960W (TC)
Ixfn80n48	- - -	RFQ	7269	Ixys	Hiperfet ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	Ixfn80		MOSFET (Metalloxid)			SOT-227B	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	10		N-Kanal		480 v	80A (TC)	10V	45mohm @ 500 mA, 10V	4v @ 8ma	380 nc @ 10 v	± 20 V	9890 PF @ 25 V.	- - -	700W (TC)
Ixtm67n10	- - -	RFQ	6579	Ixys	Gigamos ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-204ae	Ixtm67		MOSFET (Metalloxid)			To-204ae	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	20		N-Kanal		100 v	67a (TC)	10V	25mo @ 33,5a, 10V	4v @ 4ma	260 NC @ 10 V	± 20 V	4500 PF @ 25 V.	- - -	300 W (TC)
Ixyp24N100A4	15.2094	RFQ	4185	Ixys	XPT ™, GenX4 ™	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3		Standard		375 w		To-220 (ixyp)	- - -	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	238-IXYP24N100A4	Ear99	8541.29.0095	50			800 V, 24a, 10OHM, 15 V.											47 ns	Pt	1000 v	85 a	145 a	1,9 V @ 15V, 24a	3,5 MJ (EIN), 2,3mj (AUS)	44 NC	13ns/216ns
IXFX150N15	15.3847	RFQ	2984	Ixys	Hiperfet ™	Rohr	Nicht für Designs	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3 Variante	IXFX150		MOSFET (Metalloxid)			Plus247 ™ -3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal		150 v	150a (TC)	10V	12,5 MOHM @ 75A, 10V	4v @ 8ma	360 nc @ 10 v	± 20 V	9100 PF @ 25 V.	- - -	560W (TC)
IXTA6N50D2	8.1100	RFQ	1209	Ixys	Erschöpfung	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	Ixta6		MOSFET (Metalloxid)			To-263aa	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal		500 V	6a (TC)	- - -	500mohm @ 3a, 0V	- - -	96 NC @ 5 V.	± 20 V	2800 PF @ 25 V.	Depletion -modus	300 W (TC)
Ixgt40N60C2D1	- - -	RFQ	8010	Ixys	Hiperfast ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa	Ixgt40	Standard		300 w		To-268aa	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30			400 V, 30a, 3OHM, 15 V.											25 ns	Pt	600 V	75 a	200 a	2,7 V @ 15V, 30a	200 µJ (AUS)	95 NC	18ns/90ns
Ixkp35n60c5	- - -	RFQ	9487	Ixys	Coolmos ™	Rohr	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3	Ixkp35		MOSFET (Metalloxid)			To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal		600 V	35a (TC)	10V	100mohm @ 18a, 10V	3,9 V @ 1,2 mA	70 nc @ 10 v	± 20 V	2800 PF @ 100 V	- - -	- - -
Ixth130n10t	6.4200	RFQ	6324	Ixys	Graben	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	Ixth130		MOSFET (Metalloxid)			To-247 (ixth)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal		100 v	130a (TC)	10V	9.1mohm @ 25a, 10V	4,5 V @ 250 ähm	104 NC @ 10 V	± 20 V	5080 PF @ 25 V.	- - -	360W (TC)
Ixfx210n17t	- - -	RFQ	3074	Ixys	Gigamos ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3 Variante	Ixfx210		MOSFET (Metalloxid)			Plus247 ™ -3	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal		170 v	210a (TC)	10V	7.5Mohm @ 60a, 10V	5v @ 4ma	285 NC @ 10 V	± 20 V	18800 PF @ 25 V.	- - -	1150W (TC)
IXFQ23N60Q	- - -	RFQ	3417	Ixys	Hiperfet ™, Q2 -Klasse	Kasten	Aktiv	- - -	Oberflächenhalterung	To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa	Ixfq23		MOSFET (Metalloxid)			To-268aa	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1		N-Kanal		600 V	23a (TC)		- - -	- - -				- - -	- - -
IXFV26N50PS	- - -	RFQ	7788	Ixys	Hiperfet ™, polarht ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	Plus-220Smd	Ixfv26		MOSFET (Metalloxid)			Plus-220Smd	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal		500 V	26a (TC)	10V	230mohm @ 13a, 10V	5,5 V @ 4MA	60 nc @ 10 v	± 30 v	3600 PF @ 25 V.	- - -	400W (TC)
Ixgr24N60CD1	- - -	RFQ	5439	Ixys	Hiperfast ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	Ixgr24	Standard		80 w		Isoplus247 ™	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30			480v, 24a, 18Ohm, 15 V.											25 ns	- - -	600 V	42 a	80 a	2,5 V @ 15V, 24a	240 µJ (AUS)	55 NC	15ns/75ns
IXTL2N470	114.3700	RFQ	274	Ixys	- - -	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	Isoplusi5-Pak ™	Ixtl2		MOSFET (Metalloxid)			Isoplusi5-Pak ™	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	-Ixtl2N470	Ear99	8541.29.0095	25		N-Kanal		4700 v	2a (TC)	10V	20ohm @ 1a, 10V	6 V @ 250 ähm	180 nc @ 10 v	± 20 V	6860 PF @ 25 V.	- - -	220W (TC)
Ixfa7n80p	4.0000	RFQ	4694	Ixys	HIPERFET ™, Polar	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	Ixfa7n80		MOSFET (Metalloxid)			To-263aa (ixfa)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal		800 V	7a (TC)	10V	1,444ohm @ 3,5a, 10 V	5v @ 1ma	32 NC @ 10 V	± 30 v	1890 PF @ 25 V.	- - -	200W (TC)
IXFH30N60Q	- - -	RFQ	8824	Ixys	Hiperfet ™, q -Klasse	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	Ixfh30		MOSFET (Metalloxid)			To-247ad (ixfh)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal		600 V	30a (TC)	10V	230mohm @ 500 mA, 10V	4,5 V @ 4ma	125 NC @ 10 V	± 20 V	4700 PF @ 25 V.	- - -	500W (TC)
Ixyl60N450	126.3500	RFQ	2223	Ixys	XPT ™	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	Isoplusi5-Pak ™	Ixyl60	Standard		417 w		Isoplusi5-Pak ™	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Q9485533	Ear99	8541.29.0095	25			960 V, 60A, 4,7OHM, 15 V.												- - -	4500 v	90 a	680 a	3,3 V @ 15V, 60a	- - -	366 NC	55ns/450ns
Mii200-12a4	- - -	RFQ	5280	Ixys	- - -	Kasten	Aktiv	150 ° C (TJ)	Chassis -berg	Y3-DCB	Mii200			1130 w	Standard	Y3-DCB	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	2	Halbbrücke														Npt	1200 V	270 a		2,7 V @ 15V, 150a				10 ma	NEIN	11 NF @ 25 V
Ixth52n65x	10.0070	RFQ	6997	Ixys	Ultra x	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	Ixth52		MOSFET (Metalloxid)			To-247 (ixth)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal		650 V	52a (TC)	10V	68mohm @ 26a, 10V	5 V @ 250 ähm	113 NC @ 10 V	± 30 v	4350 PF @ 25 V.	- - -	660W (TC)
Ixty32p05t	2.5163	RFQ	1956	Ixys	Trenchp ™	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63	Ixty32		MOSFET (Metalloxid)			To-252aa	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	70		P-Kanal		50 v	32a (TC)	10V	39mohm @ 16a, 10V	4,5 V @ 250 ähm	46 NC @ 10 V	± 15 V	1975 PF @ 25 V.	- - -	83W (TC)
Ixft40n30q	- - -	RFQ	7840	Ixys	Hiperfet ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa	Ixft40		MOSFET (Metalloxid)			To-268aa	Herunterladen		1 (unbegrenzt)		Ixft40n30q-ndr	Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal		300 V	40a (TC)	10V	80MOHM @ 500 mA, 10V	4v @ 4ma	140 nc @ 10 v	± 20 V	3100 PF @ 25 V.	- - -	300 W (TC)

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Transistoren (3903)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²