SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min rds an) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Reverse Recovery Time (TRR) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C
IXTN210P10T IXYS Ixtn210p10t 52.2500
RFQ
ECAD 138 0.00000000 Ixys Trenchp ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc Ixtn210 MOSFET (Metalloxid) SOT-227B Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 P-Kanal 100 v 210a (TC) 10V 7,5 MOHM @ 105A, 10V 4,5 V @ 250 ähm 740 nc @ 10 v ± 15 V 69500 PF @ 25 V. - - - 830 W (TC)
IXTN120P20T IXYS Ixtn120p20t 54.3500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Ixys Trenchp ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc Ixtn120 MOSFET (Metalloxid) SOT-227B Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 P-Kanal 200 v 106a (TC) 10V 30mohm @ 60a, 10V 4,5 V @ 250 ähm 740 nc @ 10 v ± 15 V 73000 PF @ 25 V. - - - 830 W (TC)
IXGA48N60C3 IXYS Ixga48n60c3 - - -
RFQ
ECAD 9687 0.00000000 Ixys Genx3 ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixga48 Standard 300 w To-263aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 400 V, 30a, 3OHM, 15 V. Pt 600 V 75 a 250 a 2,5 V @ 15V, 30a 410 µj (EIN), 230 µJ (AUS) 77 NC 19ns/60ns
IXTD4N80P-3J IXYS Ixtd4n80p-3j - - -
RFQ
ECAD 2688 0.00000000 Ixys Polarhv ™ Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Sterben Ixtd4n MOSFET (Metalloxid) Sterben - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 800 V 3.6a (TC) 10V 3,4OHM @ 1,8a, 10 V. 5,5 V @ 100 µA 14.2 NC @ 10 V. ± 30 v 750 PF @ 25 V. - - - 100 W (TC)
IXFA130N10T IXYS Ixfa130n10t 4.2210
RFQ
ECAD 3108 0.00000000 Ixys HiPerfet ™, Graben Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixfa130 MOSFET (Metalloxid) To-263aa (ixfa) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 100 v 130a (TC) 10V 9.1mohm @ 25a, 10V 4,5 V @ 1ma 104 NC @ 10 V ± 20 V 5080 PF @ 25 V. - - - 360W (TC)
IXTH300N04T2 IXYS Ixth300n04t2 6.8267
RFQ
ECAD 9117 0.00000000 Ixys Trencht2 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixth300 MOSFET (Metalloxid) To-247 (ixth) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 40 v 300A (TC) 10V 2,5 MOHM @ 50A, 10V 4v @ 250 ähm 145 NC @ 10 V. ± 20 V 10700 PF @ 25 V. - - - 480W (TC)
IXFT70N65X3HV IXYS Ixft70N65X3HV 10.6497
RFQ
ECAD 8010 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, ultra x3 Rohr Aktiv Ixft70 - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 238-IXFT70N65X3HV Ear99 8541.29.0095 30
IXFH58N20 IXYS Ixfh58n20 - - -
RFQ
ECAD 4808 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh58 MOSFET (Metalloxid) To-247ad (ixfh) Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ixfh58n20-ndr Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 200 v 58a (TC) 10V 40mohm @ 29a, 10V 4v @ 4ma 220 NC @ 10 V ± 20 V 4400 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
IXFH20N85X IXYS IXFH20N85X 10.4400
RFQ
ECAD 2110 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, ultra x Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh20 MOSFET (Metalloxid) To-247 (ixth) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 850 V 20A (TC) 10V 330mohm @ 500 mA, 10V 5,5 V @ 2,5 mA 63 NC @ 10 V ± 30 v 1660 PF @ 25 V. - - - 540W (TC)
IXFX34N80 IXYS Ixfx34n80 20.9458
RFQ
ECAD 1236 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Nicht für Designs -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Variante Ixfx34 MOSFET (Metalloxid) Plus247 ™ -3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ixfx34n80-ndr Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 800 V 34a (TC) 10V 240mohm @ 17a, 10V 5v @ 8ma 270 nc @ 10 v ± 20 V 7500 PF @ 25 V. - - - 560W (TC)
GWM70-01P2 IXYS GWM70-01P2 - - -
RFQ
ECAD 8125 0.00000000 Ixys - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 17-SMD, Flache Leitungen GWM70 MOSFET (Metalloxid) - - - Isoplus-Dil ™ Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 20 6 N-Kanal (3-Phasen-Brückke) 100V 70a 14mohm @ 35a, 10V 4v @ 1ma 110nc @ 10v - - - - - -
IXTP8N50PM IXYS Ixtp8n50pm - - -
RFQ
ECAD 2199 0.00000000 Ixys Polarhv ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Ixtp8 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 500 V 4a (TC) 10V 800mohm @ 4a, 10V 5,5 V @ 250 ähm 20 nc @ 10 v ± 30 v 1050 PF @ 25 V. - - - 41W (TC)
IXKC19N60C5 IXYS IXKC19N60C5 - - -
RFQ
ECAD 9236 0.00000000 Ixys Coolmos ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch Isoplus220 ™ Ixkc19 MOSFET (Metalloxid) Isoplus220 ™ Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 600 V 19A (TC) 10V 125mohm @ 16a, 10V 3,5 V @ 1,1 Ma 70 nc @ 10 v ± 20 V 2500 PF @ 100 V - - - - - -
IXFT12N100 IXYS Ixft12n100 - - -
RFQ
ECAD 9445 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixft12 MOSFET (Metalloxid) To-268aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 1000 v 12a (TC) 10V 1,05OHM @ 6a, 10V 4,5 V @ 4ma 155 NC @ 10 V ± 20 V 4000 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
IXTX46N50L IXYS IXTX46N50L 46.7100
RFQ
ECAD 232 0.00000000 Ixys Linear Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Variante IXTX46 MOSFET (Metalloxid) Plus247 ™ -3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 500 V 46a (TC) 20V 160 MOHM @ 500 mA, 20V 6 V @ 250 ähm 260 NC @ 15 V ± 30 v 7000 PF @ 25 V. - - - 700W (TC)
IXTT3N200P3HV IXYS IXTT3N200P3HV 52.2600
RFQ
ECAD 7755 0.00000000 Ixys Polar P3 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixtt3 MOSFET (Metalloxid) To-268HV (ixtt) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen -Ixtt3n200p3HV Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 2000 v 3a (TC) 10V 8OHM @ 1,5a, 10V 5 V @ 250 ähm 70 nc @ 10 v ± 20 V 1860 PF @ 25 V. - - - 520W (TC)
IXFN300N20X3 IXYS Ixfn300n20x3 48.6800
RFQ
ECAD 2044 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, ultra x3 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc Ixfn300 MOSFET (Metalloxid) SOT-227B Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 N-Kanal 200 v 300A (TC) 10V 3,5 MOHM @ 150a, 10 V 4,5 V @ 8ma 375 NC @ 10 V. ± 20 V 23800 PF @ 25 V. - - - 695W (TC)
IXTA08N50D2 IXYS IXTA08N50D2 2.7700
RFQ
ECAD 7464 0.00000000 Ixys Erschöpfung Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixta08 MOSFET (Metalloxid) To-263aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 500 V 800 Ma (TC) - - - 4.6ohm @ 400 mA, 0V - - - 12.7 NC @ 5 V. ± 20 V 312 PF @ 25 V. Depletion -modus 60 W (TC)
IXTP75N10P IXYS Ixtp75n10p 4.9700
RFQ
ECAD 48 0.00000000 Ixys Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 IXTP75 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen -Ixtp75n10p Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 100 v 75a (TC) 10V 25mo @ 500 mA, 10V 5,5 V @ 250 ähm 74 NC @ 10 V ± 20 V 2250 PF @ 25 V. - - - 360W (TC)
IXTA180N10T IXYS IXTA180N10T 6.1300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Ixys Graben Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixta180 MOSFET (Metalloxid) To-263aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 615943 Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 100 v 180a (TC) 10V 6.4mohm @ 25a, 10V 4,5 V @ 250 ähm 151 NC @ 10 V ± 30 v 6900 PF @ 25 V. - - - 480W (TC)
IXYP30N120B4 IXYS Ixyp30n120b4 14.5226
RFQ
ECAD 5510 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen 238-IXYP30N120B4 Ear99 8541.29.0095 50
MKE38P600TLB-TRR IXYS MKE38P600TLB-Trr - - -
RFQ
ECAD 8430 0.00000000 Ixys - - - Schüttgut Aktiv - - - Oberflächenhalterung 9-smd-modul MKE38 - - - - - - Isoplus-Smpd ™ .b Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -
IXFT26N50 IXYS Ixft26n50 - - -
RFQ
ECAD 6258 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixft26 MOSFET (Metalloxid) To-268aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 500 V 26a (TC) 10V 200mohm @ 13a, 10V 4v @ 4ma 160 nc @ 10 v ± 20 V 4200 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
IXXH30N65C4D1 IXYS Ixxh30n65c4d1 - - -
RFQ
ECAD 8797 0.00000000 Ixys XPT ™, GenX4 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixxh30 Standard 230 w To-247ad (ixxh) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 400 V, 30a, 15ohm, 15 V. 72 ns - - - 650 V 62 a 136 a 2,5 V @ 15V, 30a 1,1MJ (EIN), 400 µJ (AUS) 47 NC 20ns/140ns
IXFX90N60X IXYS Ixfx90n60x 18.3363
RFQ
ECAD 6337 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, ultra x Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Variante Ixfx90 MOSFET (Metalloxid) Plus247 ™ -3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 600 V 90a (TC) 10V 38mohm @ 45a, 10V 4,5 V @ 8ma 210 nc @ 10 v ± 30 v 8500 PF @ 25 V. - - - 1100W (TC)
IXGT60N60B2 IXYS Ixgt60N60B2 - - -
RFQ
ECAD 5667 0.00000000 Ixys Hiperfast ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixgt60 Standard 500 w To-268aa Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 400 V, 50a, 3,3 Ohm, 15 V. Pt 600 V 75 a 300 a 1,8 V @ 15V, 50a 1MJ (AUS) 170 nc 28ns/160ns
IXFK52N30Q IXYS IXFK52N30Q - - -
RFQ
ECAD 8445 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa Ixfk52 MOSFET (Metalloxid) To-264aa (ixfk) Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 300 V 52a (TC) 10V 60MOHM @ 500 mA, 10V 4v @ 4ma 150 NC @ 10 V. ± 20 V 5300 PF @ 25 V. - - - 360W (TC)
IXTK40P50P IXYS Ixtk40p50p 21.4200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Ixys Polarp ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa IXTK40 MOSFET (Metalloxid) To-264 (ixtk) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 25 P-Kanal 500 V 40a (TC) 10V 230mohm @ 20a, 10V 4v @ 1ma 205 NC @ 10 V ± 20 V 11500 PF @ 25 V. - - - 890W (TC)
IXGH100N30C3 IXYS IXGH100N30C3 - - -
RFQ
ECAD 1507 0.00000000 Ixys Genx3 ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixgh100 Standard 460 w To-247ad Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 200 V, 50A, 2OHM, 15 V Pt 300 V 75 a 500 a 1,85 V @ 15V, 100a 230 µJ (EIN), 520 µJ (AUS) 162 NC 23ns/105ns
IXFT20N80P IXYS Ixft20n80p - - -
RFQ
ECAD 4391 0.00000000 Ixys HIPERFET ™, Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixft20 MOSFET (Metalloxid) To-268aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 800 V 20A (TC) 10V 520mohm @ 10a, 10V 5v @ 4ma 86 NC @ 10 V ± 30 v 4685 PF @ 25 V. - - - 500W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus