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Transistoren (3903)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min rds an) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Reverse Recovery Time (TRR) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce
IXGT6N170A-TRL IXYS Ixgt6n170a-trl 12.1676
RFQ
 ECAD 8981 0.00000000 Ixys - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixgt6n170 Standard 75 w To-268 - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 238-IXGT6N170A-Trltr Ear99 8541.29.0095 400 850 V, 6a, 33OHM, 15 V. 40 ns - - - 1700 v 6 a 14 a 7v @ 15V, 3a 590 µj (EIN), 180 µJ (AUS) 18,5 NC 46ns/220ns
IXFB70N60Q2 IXYS IXFB70N60Q2 30.0952
RFQ
 ECAD 8285 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Q2 -Klasse Rohr Nicht für Designs -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa Ixfb70 MOSFET (Metalloxid) Plus264 ™ Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 600 V 70a (TC) 10V 88mohm @ 35a, 10V 5,5 V @ 8ma 265 NC @ 10 V ± 30 v 12000 PF @ 25 V. - - - 890W (TC)
IXFC110N10P IXYS Ixfc110n10p - - -
RFQ
 ECAD 7366 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, polarht ™ Kasten Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Isoplus220 ™ IXFC110N10 MOSFET (Metalloxid) Isoplus220 ™ Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 100 v 60a (TC) 10V 17mohm @ 55a, 10V 5v @ 4ma 110 nc @ 10 v ± 20 V 3550 PF @ 25 V. - - - 120W (TC)
IXFN44N50Q IXYS Ixfn44n50q - - -
RFQ
 ECAD 6857 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, q -Klasse Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc Ixfn44 MOSFET (Metalloxid) SOT-227B Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 N-Kanal 500 V 44a (TC) 10V 120 MOHM @ 500 mA, 10V 4v @ 4ma 190 nc @ 10 v ± 20 V 7000 PF @ 25 V. - - - 500W (TC)
IXTH12N100L IXYS Ixth12N100L 22.5400
RFQ
 ECAD 2223 0.00000000 Ixys Linear Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixth12 MOSFET (Metalloxid) To-247 (ixth) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 1000 v 12a (TC) 20V 1,3OHM @ 500 mA, 20V 5 V @ 250 ähm 155 NC @ 20 V ± 30 v 2500 PF @ 25 V - - - 400W (TC)
IXFT80N08 IXYS Ixft80n08 - - -
RFQ
 ECAD 1716 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixft80 MOSFET (Metalloxid) To-268aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 80 v 80A (TC) 10V 9mohm @ 40a, 10V 4v @ 4ma 180 nc @ 10 v ± 20 V 4800 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
IXGP24N60C4D1 IXYS Ixgp24n60c4d1 - - -
RFQ
 ECAD 7591 0.00000000 Ixys - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Ixgp24 Standard 190 w To-220-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 360 V, 24a, 10ohm, 15 V. 30 ns Pt 600 V 56 a 130 a 2,7 V @ 15V, 24a 350 µJ (EIN), 340 µJ (AUS) 64 NC 22ns/192ns
IXFT70N30Q3 IXYS Ixft70n30q3 21.6000
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, Q3 -Klasse Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixft70 MOSFET (Metalloxid) To-268aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen -IXFT70N30Q3 Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 300 V 70a (TC) 10V 54mohm @ 35a, 10V 6,5 V @ 4MA 98 NC @ 10 V. ± 20 V 4735 PF @ 25 V. - - - 830 W (TC)
IXFN80N60P3 IXYS Ixfn80n60p3 32.2900
RFQ
 ECAD 3444 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, polar3 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc Ixfn80 MOSFET (Metalloxid) SOT-227B Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen -IXFN80N60P3 Ear99 8541.29.0095 10 N-Kanal 600 V 66a (TC) 10V 70 MOHM @ 40A, 10V 5v @ 8ma 190 nc @ 10 v ± 30 v 13100 PF @ 25 V. - - - 960W (TC)
IXSH24N60B IXYS Ixsh24n60b - - -
RFQ
 ECAD 8083 0.00000000 Ixys - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixsh24 Standard 150 w To-247ad Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 480 V, 24a, 33OHM, 15 V. Pt 600 V 48 a 96 a 2,5 V @ 15V, 24a 1,3mj (AUS) 41 NC 50 ns/150ns
IXFX140N25T IXYS IXFX140N25T 13.2463
RFQ
 ECAD 7555 0.00000000 Ixys HiPerfet ™, Graben Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Variante Ixfx140 MOSFET (Metalloxid) Plus247 ™ -3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 250 V 140a (TC) 10V 17mohm @ 60a, 10V 5v @ 4ma 255 NC @ 10 V ± 20 V 19000 PF @ 25 V. - - - 960W (TC)
IXTQ62N25T IXYS IXTQ62N25T - - -
RFQ
 ECAD 6083 0.00000000 Ixys Graben Rohr Aktiv - - - K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 IXTQ62 MOSFET (Metalloxid) To-3p - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 250 V 62a (TC) - - - - - - - - - - - -
IXTP8N70X2 IXYS Ixtp8n70x2 4.2700
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Ixys Ultra x2 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Ixtp8 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen -IXTP8N70X2 Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 700 V 8a (TC) 10V 500mohm @ 500 mA, 10V 5 V @ 250 ähm 12 NC @ 10 V ± 30 v 800 PF @ 10 V - - - 150W (TC)
IXFN180N25T IXYS Ixfn180n25t 25.8900
RFQ
 ECAD 2851 0.00000000 Ixys HiPerfet ™, Graben Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc Ixfn180 MOSFET (Metalloxid) SOT-227B Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 N-Kanal 250 V 168a (TC) 10V 12,9 MOHM @ 60A, 10V 5v @ 8ma 345 NC @ 10 V. ± 20 V 28000 PF @ 25 V. - - - 900W (TC)
IXTH220N075T IXYS Ixth220n075t - - -
RFQ
 ECAD 8771 0.00000000 Ixys Trenchmv ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixth220 MOSFET (Metalloxid) To-247 (ixth) Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 75 V 220a (TC) 10V 4,5 MOHM @ 25a, 10V 4v @ 250 ähm 165 NC @ 10 V. ± 20 V 7700 PF @ 25 V. - - - 480W (TC)
IXFT40N85XHV IXYS Ixft40N85XHV 11.9465
RFQ
 ECAD 1796 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, ultra x Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixft40 MOSFET (Metalloxid) To-268HV (ixft) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 850 V 40a (TC) 10V 145mohm @ 500 mA, 10V 5,5 V @ 4MA 98 NC @ 10 V. ± 30 v 3700 PF @ 25 V. - - - 860W (TC)
IXFT1874 TR IXYS Ixft1874 tr - - -
RFQ
 ECAD 9385 0.00000000 Ixys - - - Band & Rollen (TR) Veraltet Ixft1874 - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1.000 - - -
IXTA86N20X4 IXYS Ixta86n20x4 11.8200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Ixys Ultra X4 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixta86 MOSFET (Metalloxid) To-263 (D2pak) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 238-ixta86n20x4 Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 200 v 86a (TC) 10V 13mohm @ 43a, 10V 4,5 V @ 250 ähm 70 nc @ 10 v ± 20 V 2250 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
IXGX100N170 IXYS IXGX100N170 39.8540
RFQ
 ECAD 6958 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Variante Ixgx100 Standard 830 w Plus247 ™ -3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 - - - Npt 1700 v 170 a 600 a 3v @ 15V, 100a - - - 425 NC - - -
IXFH26N100X IXYS IXFH26N100X 19.7800
RFQ
 ECAD 5621 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, ultra x Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh26 MOSFET (Metalloxid) To-247 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 1000 v 26a (TC) 10V 320Mohm @ 13a, 10V 6v @ 4ma 113 NC @ 10 V ± 30 v 3290 PF @ 25 V. - - - 860W (TC)
MUBW30-12A6K IXYS MUBW30-12A6K 59.4400
RFQ
 ECAD 5123 0.00000000 Ixys - - - Kasten Aktiv -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) Chassis -berg E1 MUBW30 130 w DREIPHASENBRÜCKENGLECHRICHTER E1 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 24 Dreiphasen -Wechselrichter mit Bremse Npt 1200 V 30 a 3,8 V @ 15V, 30a 1 Ma Ja 1 NF @ 25 V.
IXTP42N25P IXYS IXTP42N25p 5.0200
RFQ
 ECAD 299 0.00000000 Ixys Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 IXTP42 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 250 V 42a (TC) 10V 84mohm @ 500 mA, 10V 5,5 V @ 250 ähm 70 nc @ 10 v ± 20 V 2300 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
IXTH48N65X2 IXYS Ixth48n65x2 10.5700
RFQ
 ECAD 590 0.00000000 Ixys Ultra x2 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixth48 MOSFET (Metalloxid) To-247 (ixth) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen 632407 Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 650 V 48a (TC) 10V 68mohm @ 24a, 10V 4,5 V @ 4ma 77 NC @ 10 V ± 30 v 4420 PF @ 25 V. - - - 660W (TC)
IXTP20N65X2 IXYS IXTP20N65X2 5.0500
RFQ
 ECAD 279 0.00000000 Ixys Ultra x2 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Ixtp20 MOSFET (Metalloxid) To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen 238-IXTP20N65X2 Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 650 V 20A (TC) 10V 185mohm @ 10a, 10V 4,5 V @ 250 ähm 27 NC @ 10 V ± 30 v 1450 PF @ 25 V. - - - 290W (TC)
IXTN8N150L IXYS Ixtn8n150l 53.8500
RFQ
 ECAD 160 0.00000000 Ixys Linear Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc Ixtn8 MOSFET (Metalloxid) SOT-227B Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 N-Kanal 1500 V 7.5a (TC) 20V 3,6OHM @ 4a, 20V 8v @ 250 ähm 250 NC @ 15 V ± 30 v 8000 PF @ 25 V. - - - 545W (TC)
IXFH14N60P IXYS Ixfh14n60p 6.0900
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 Ixys HIPERFET ™, Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh14 MOSFET (Metalloxid) To-247ad (ixfh) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 600 V 14a (TC) 10V 550Mohm @ 7a, 10V 5,5 V @ 2,5 mA 36 NC @ 10 V ± 30 v 2500 PF @ 25 V - - - 300 W (TC)
IXTP90N075T2 IXYS IXTP90N075T2 - - -
RFQ
 ECAD 2941 0.00000000 Ixys Trencht2 ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Ixtp90 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 75 V 90a (TC) 10V 10Mohm @ 25a, 10V 4v @ 250 ähm 54 NC @ 10 V ± 20 V 3290 PF @ 25 V. - - - 180W (TC)
GMM3X100-01X1-SMD IXYS GMM3X100-01X1-SMD - - -
RFQ
 ECAD 6014 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 24-SMD, Möwenflügel Gmm3x100 MOSFET (Metalloxid) - - - 24-smd Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 28 6 N-Kanal (3-Phasen-Brückke) 100V 90a - - - 4,5 V @ 1ma 90nc @ 10v - - - - - -
IXYP15N65C3 IXYS Ixyp15N65C3 2.3740
RFQ
 ECAD 5056 0.00000000 Ixys GenX3 ™, XPT ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Ixyp15 Standard 200 w To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 400 V, 15a, 20ohm, 15 V. Pt 650 V 38 a 80 a 2,5 V @ 15V, 15a 270 µJ (EIN), 230 µJ (AUS) 19 NC 15ns/68ns
IXTA36N30T IXYS Ixta36n30t - - -
RFQ
 ECAD 7469 0.00000000 Ixys Graben Rohr Aktiv - - - Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixta36 MOSFET (Metalloxid) To-263aa - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 300 V 36a (TC) 110 MOHM @ 500 mA, 10V - - - 70 nc @ 10 v 2250 PF @ 25 V. - - - - - -
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    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

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    30.000.000

    Standardprodukteinheit

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    Weltweite Hersteller

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