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Transistoren (3903)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Kraft - Max	Eingang	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	Konfiguration	FET -Typ	Testedingung	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Reverse Recovery Time (TRR)	IGBT -Typ	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Sammler Gepulst (ICM)	VCE (ON) (max) @ vge, IC	Energie Wechseln	Torladung	TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C	Strom - Sammler Cutoff (max)	NTC Thermistor	Eingabekapazität (cies) @ vce
IXTQ160N085T	- - -	RFQ	7202	Ixys	- - -	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3, SC-65-3	IXTQ160		MOSFET (Metalloxid)			To-3p	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal		85 V	160a (TC)	10V	6mohm @ 50a, 10V	4v @ 1ma	164 NC @ 10 V.	± 20 V	6400 PF @ 25 V.	- - -	360W (TC)
MIO600-65E11	- - -	RFQ	3468	Ixys	- - -	Tablett	Veraltet	-40 ° C ~ 125 ° C (TJ)	Chassis -berg	E11	Mio				Standard	E11	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1	Einzelschalter														Npt	6500 v	600 a		4,2 V @ 15V, 600A				120 Ma	NEIN	150 NF @ 25 V
Ixfe24n100	- - -	RFQ	5115	Ixys	Hiperfet ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	Ixfe24		MOSFET (Metalloxid)			SOT-227B	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	10		N-Kanal		1000 v	22a (TC)	10V	390Mohm @ 12a, 10V	5v @ 8ma	250 NC @ 10 V	± 20 V	7000 PF @ 25 V.	- - -	500W (TC)
Ixyn30N170CV1	44.2500	RFQ	442	Ixys	XPT ™	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	Ixyn30	Standard		680 w		SOT-227B	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	10			850 V, 30a, 2,7 Ohm, 15 V.											160 ns	- - -	1700 v	88 a	275 a	3,7 V @ 15V, 30a	5,9mj (Ein), 3,3mj (AUS)	140 nc	28ns/150ns
IXFH32N50Q	- - -	RFQ	9597	Ixys	Hiperfet ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	Ixfh32		MOSFET (Metalloxid)			To-247ad (ixfh)	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal		500 V	32a (TC)	10V	160MOHM @ 16A, 10V	4,5 V @ 4ma	190 nc @ 10 v	± 20 V	4925 PF @ 25 V.	- - -	360W (TC)
IXFR15N100Q3	21.2400	RFQ	7270	Ixys	Hiperfet ™, Q3 -Klasse	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	Ixfr15		MOSFET (Metalloxid)			Isoplus247 ™	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	-IXFR15N100Q3	Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal		1000 v	10a (TC)	10V	1,2OHM @ 7,5A, 10 V.	6,5 V @ 4MA	64 NC @ 10 V	± 30 v	3250 PF @ 25 V.	- - -	400W (TC)
IXTA20N65X2	4.5552	RFQ	2573	Ixys	Ultra x2	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	Ixta20		MOSFET (Metalloxid)			To-263 (D2pak)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM		UnberÜHrt Ereichen	238-ixta20n65x2	Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal		650 V	20A (TC)	10V	185mohm @ 10a, 10V	4,5 V @ 250 ähm	27 NC @ 10 V	± 30 v	1450 PF @ 25 V.	- - -	290W (TC)
Ixgh12n120a2d1	- - -	RFQ	6367	Ixys	- - -	Rohr	Aktiv	- - -	K. Loch	To-247-3	Ixgh12	Standard				To-247ad	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30			- - -												- - -	1200 V	12 a		- - -	- - -		- - -
Ixa70i1200na	35.2800	RFQ	6657	Ixys	- - -	Rohr	Aktiv	-40 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis, Stollenberg	SOT-227-4, MiniBloc	Ixa70i1200			350 w	Standard	SOT-227B	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	10	Einzel														Pt	1200 V	100 a		2,1 V @ 15V, 50a				100 µA	NEIN
Ixtq36p15p	7.5500	RFQ	9984	Ixys	Polarp ™	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	TO-3P-3, SC-65-3	Ixtq36		MOSFET (Metalloxid)			To-3p	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30		P-Kanal		150 v	36a (TC)	10V	110Mohm @ 18a, 10V	4,5 V @ 250 ähm	55 NC @ 10 V	± 20 V	3100 PF @ 25 V.	- - -	300 W (TC)
Ixgt32N120A3	11.4300	RFQ	7039	Ixys	Genx3 ™	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa	Ixgt32	Standard		300 w		To-268aa	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30			- - -												Pt	1200 V	75 a	230 a	2,35 V @ 15V, 32a	- - -	89 NC	- - -
Ixrh40n120	- - -	RFQ	6226	Ixys	- - -	Schüttgut	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	Ixrh40	Standard		300 w		To-247ad	Herunterladen		Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen	Q3364795	Ear99	8541.29.0095	30			600 V, 35a, 15ohm, 15 V.											2,1 µs	Npt	1200 V	55 a		2,7 V @ 15V, 30a	3MJ (EIN), 700 µJ (AUS)	90 nc	- - -
Ixxx200n60b3	25.6400	RFQ	2502	Ixys	XPT ™, GenX3 ™	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3 Variante	Ixxx200	Standard		1630 w		Plus247 ™ -3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30			360 V, 100a, 1ohm, 15 V.											100 ns	- - -	600 V	380 a	900 a	1,7 V @ 15V, 100a	2,85MJ (EIN), 4,4mj (AUS)	315 NC	48ns/160ns
IXFH12N100	- - -	RFQ	8164	Ixys	Hiperfet ™	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	Ixfh12		MOSFET (Metalloxid)			To-247ad (ixfh)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen	IXFH12N100-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal		1000 v	12a (TC)	10V	1,05OHM @ 6a, 10V	4,5 V @ 4ma	155 NC @ 10 V	± 20 V	4000 PF @ 25 V.	- - -	300 W (TC)
Ixft15N100Q3	19.7000	RFQ	20	Ixys	Hiperfet ™, Q3 -Klasse	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa	Ixft15		MOSFET (Metalloxid)			To-268aa	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	-IXFT15N100Q3	Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal		1000 v	15a (TC)	10V	1,05OHM @ 7,5A, 10 V.	6,5 V @ 4MA	64 NC @ 10 V	± 30 v	3250 PF @ 25 V.	- - -	690W (TC)
Ixgt6n170a-trl	12.1676	RFQ	8981	Ixys	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa	Ixgt6n170	Standard		75 w		To-268	- - -	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	238-IXGT6N170A-Trltr	Ear99	8541.29.0095	400			850 V, 6a, 33OHM, 15 V.											40 ns	- - -	1700 v	6 a	14 a	7v @ 15V, 3a	590 µj (EIN), 180 µJ (AUS)	18,5 NC	46ns/220ns
Ixta8n65x2	3.3100	RFQ	7966	Ixys	Ultra x2	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab	Ixta8		MOSFET (Metalloxid)			To-263	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal		650 V	8a (TC)	10V	500mohm @ 4a, 10V	5 V @ 250 ähm	12 NC @ 10 V	± 30 v	800 PF @ 25 V.	- - -	150W (TC)
Ixty12n06t	- - -	RFQ	8698	Ixys	Trenchmv ™	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63	Ixty12		MOSFET (Metalloxid)			To-252aa	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	70		N-Kanal		60 v	12a (TC)	10V	85mohm @ 6a, 10V	4 V @ 25 µA	3.4 NC @ 10 V	± 20 V	256 PF @ 25 V	- - -	33W (TC)
GWM160-0055X1-SSAM	- - -	RFQ	5475	Ixys	- - -	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	17-SMD, Flache Leitungen	GWM160		MOSFET (Metalloxid)	- - -		Isoplus-Dil ™	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1	6 N-Kanal (3-Phasen-Brückke)			55 v	150a		3,3 MOHM @ 100A, 10V	4,5 V @ 1ma	105nc @ 10v		- - -	- - -
Ixfc110n10p	- - -	RFQ	7366	Ixys	Hiperfet ™, polarht ™	Kasten	Veraltet	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	K. Loch	Isoplus220 ™	IXFC110N10		MOSFET (Metalloxid)			Isoplus220 ™	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal		100 v	60a (TC)	10V	17mohm @ 55a, 10V	5v @ 4ma	110 nc @ 10 v	± 20 V	3550 PF @ 25 V.	- - -	120W (TC)
IXFB70N60Q2	30.0952	RFQ	8285	Ixys	Hiperfet ™, Q2 -Klasse	Rohr	Nicht für Designs	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-264-3, to-264aa	Ixfb70		MOSFET (Metalloxid)			Plus264 ™	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	25		N-Kanal		600 V	70a (TC)	10V	88mohm @ 35a, 10V	5,5 V @ 8ma	265 NC @ 10 V	± 30 v	12000 PF @ 25 V.	- - -	890W (TC)
Ixyl60N450	126.3500	RFQ	2223	Ixys	XPT ™	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	Isoplusi5-Pak ™	Ixyl60	Standard		417 w		Isoplusi5-Pak ™	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Q9485533	Ear99	8541.29.0095	25			960 V, 60A, 4,7OHM, 15 V.												- - -	4500 v	90 a	680 a	3,3 V @ 15V, 60a	- - -	366 NC	55ns/450ns
Ixft80n08	- - -	RFQ	1716	Ixys	Hiperfet ™	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa	Ixft80		MOSFET (Metalloxid)			To-268aa	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal		80 v	80A (TC)	10V	9mohm @ 40a, 10V	4v @ 4ma	180 nc @ 10 v	± 20 V	4800 PF @ 25 V.	- - -	300 W (TC)
Ixfn80n60p3	32.2900	RFQ	3444	Ixys	Hiperfet ™, polar3 ™	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	Ixfn80		MOSFET (Metalloxid)			SOT-227B	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	Nicht Anwendbar	UnberÜHrt Ereichen	-IXFN80N60P3	Ear99	8541.29.0095	10		N-Kanal		600 V	66a (TC)	10V	70 MOHM @ 40A, 10V	5v @ 8ma	190 nc @ 10 v	± 30 v	13100 PF @ 25 V.	- - -	960W (TC)
Ixth12N100L	22.5400	RFQ	2223	Ixys	Linear	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	Ixth12		MOSFET (Metalloxid)			To-247 (ixth)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal		1000 v	12a (TC)	20V	1,3OHM @ 500 mA, 20V	5 V @ 250 ähm	155 NC @ 20 V	± 30 v	2500 PF @ 25 V	- - -	400W (TC)
Ixth60n10	- - -	RFQ	9638	Ixys	- - -	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-247-3	Ixth60		MOSFET (Metalloxid)			To-247 (ixth)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal		100 v	60a (TC)	10V	20mohm @ 30a, 10V	4v @ 250 ähm	110 nc @ 10 v	± 20 V	3200 PF @ 25 V.	- - -	300 W (TC)
IXTT12N150HV-trl	46.0094	RFQ	1340	Ixys	- - -	Band & Rollen (TR)	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa	Ixtt12		MOSFET (Metalloxid)			To-268HV (ixtt)	- - -	ROHS3 -KONFORM	3 (168 Stunden)	UnberÜHrt Ereichen	238-IXTT12N150HV-Trltr	Ear99	8541.29.0095	400		N-Kanal		1500 V	12a (TC)	10V	2,2OHM @ 6a, 10V	4,5 V @ 250 ähm	106 NC @ 10 V	± 30 v	3720 PF @ 25 V.	- - -	890W (TC)
Ixft30n50q3	15.3200	RFQ	8724	Ixys	Hiperfet ™, Q3 -Klasse	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa	Ixft30		MOSFET (Metalloxid)			To-268aa	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	-IXFT30N50Q3	Ear99	8541.29.0095	30		N-Kanal		500 V	30a (TC)	10V	200mohm @ 15a, 10V	6,5 V @ 4MA	62 NC @ 10 V	± 20 V	3200 PF @ 25 V.	- - -	690W (TC)
Ixgp42n30c3	- - -	RFQ	8492	Ixys	Genx3 ™	Rohr	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3	Ixgp42	Standard		223 w		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	50			200 V, 21A, 10OHM, 15 V												Pt	300 V		250 a	1,85 V @ 15V, 42a	120 µJ (EIN), 150 µJ (AUS)	76 NC	21ns/113ns
Ixun350n10	- - -	RFQ	5138	Ixys	- - -	Rohr	Veraltet	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Chassis -berg	SOT-227-4, MiniBloc	Ixun350		MOSFET (Metalloxid)			SOT-227B	Herunterladen		1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen	Q3672970	Ear99	8541.29.0095	50		N-Kanal		100 v	350a (TC)	10V	2,5 MOHM @ 175A, 10V	4V @ 3ma	640 nc @ 10 v	± 20 V	27000 PF @ 25 V.	- - -	830 W (TC)

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Transistoren (3903)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²