SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Reverse Recovery Time (TRR) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor
IXGH56N60B3D1 IXYS Ixgh56n60b3d1 - - -
RFQ
ECAD 8005 0.00000000 Ixys Genx3 ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixgh56 Standard 330 w To-247ad Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 480 V, 44a, 5ohm, 15 V. 100 ns Pt 600 V 350 a 1,8 V @ 15V, 44a 1,3mj (Ein), 1,05 MJ (AUS) 138 NC 26ns/155ns
IXFT60N65X2HV IXYS Ixft60N65x2HV 12.8000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, ultra x2 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixft60 MOSFET (Metalloxid) To-268HV (ixft) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen -Ixft60N65x2HV Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 650 V 60a (TC) 10V 52mohm @ 30a, 10V 5v @ 4ma 108 NC @ 10 V ± 30 v 6300 PF @ 25 V. - - - 780W (TC)
IXTP6N100D2 IXYS IXTP6N100D2 7.9600
RFQ
ECAD 539 0.00000000 Ixys Erschöpfung Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Ixtp6 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 1000 v 6a (TC) - - - 2.2ohm @ 3a, 0V - - - 95 NC @ 5 V. ± 20 V 2650 PF @ 25 V. Depletion -modus 300 W (TC)
IXTT02N450HV IXYS IXTT02N450HV 33.1900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixtt02 MOSFET (Metalloxid) To-268aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 4500 v 200 Ma (TC) 10V 750OHM @ 10ma, 10V 6,5 V @ 250 ähm 10.4 NC @ 10 V ± 20 V 256 PF @ 25 V - - - 113W (TC)
IXA30PG1200DHG-TRR IXYS IXA30PG1200DHG-Trr 18.0613
RFQ
ECAD 6818 0.00000000 Ixys - - - Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 9-smd-modul Ixa30 150 w Standard Isoplus-Smpd ™ .b Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 200 Halbbrücke Pt 1200 V 43 a 2,2 V @ 15V, 25a 2.1 Ma NEIN
IXFH40N85X IXYS Ixfh40n85x 14.2800
RFQ
ECAD 170 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, ultra x Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh40 MOSFET (Metalloxid) To-247 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 850 V 40a (TC) 10V 145mohm @ 500 mA, 10V 5,5 V @ 4MA 98 NC @ 10 V. ± 30 v 3700 PF @ 25 V. - - - 860W (TC)
IXGT30N60B IXYS Ixgt30n60b - - -
RFQ
ECAD 3916 0.00000000 Ixys Hiperfast ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixgt30 Standard 200 w To-268aa Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 480 V, 30a, 4,7ohm, 15 V. - - - 600 V 60 a 120 a 1,8 V @ 15V, 30a 1,3mj (AUS) 125 NC 25ns/130ns
IXTA4N80P IXYS Ixta4n80p 2.3722
RFQ
ECAD 4798 0.00000000 Ixys Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixta4 MOSFET (Metalloxid) To-263aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 800 V 3.6a (TC) 10V 3,4OHM @ 500 mA, 10 V. 5,5 V @ 100 µA 14.2 NC @ 10 V. ± 30 v 750 PF @ 25 V. - - - 100 W (TC)
IXXH75N60C3D1 IXYS Ixxh75n60c3d1 13.7300
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Ixys GenX3 ™, XPT ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-2 Ixxh75 Standard 750 w To-247ad Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 400 V, 60a, 5ohm, 15 V. 25 ns Pt 600 V 150 a 300 a 2,3 V @ 15V, 60a 1,6 MJ (EIN), 800 µJ (AUS) 107 NC 35ns/90ns
IXTC220N055T IXYS IXTC220N055T - - -
RFQ
ECAD 5698 0.00000000 Ixys Trenchmv ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch Isoplus220 ™ IXTC220 MOSFET (Metalloxid) Isoplus220 ™ Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 55 v 130a (TC) 10V 4.4mohm @ 25a, 10V 4v @ 250 ähm 158 NC @ 10 V ± 20 V 7200 PF @ 25 V. - - - 150W (TC)
IXTP1N120P IXYS Ixtp1n120p 3.4707
RFQ
ECAD 8079 0.00000000 Ixys Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Ixtp1 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 1200 V 1a (TC) 10V 20ohm @ 500 mA, 10V 4,5 V @ 50 µA 17.6 NC @ 10 V. ± 20 V 550 PF @ 25 V. - - - 63W (TC)
IXFA3N120-TRL IXYS Ixfa3n120-trl 6.4701
RFQ
ECAD 1236 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Band & Rollen (TR) Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixfa3 MOSFET (Metalloxid) To-263aa (ixfa) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 800 N-Kanal 1200 V 3a (TC) 10V 4,5OHM @ 1,5a, 10 V 5v @ 1,5 mA 39 NC @ 10 V. ± 20 V 1050 PF @ 25 V. - - - 200W (TC)
IXTP12N65X2M IXYS IXTP12N65X2M 2.9501
RFQ
ECAD 9231 0.00000000 Ixys Ultra x2 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte IXTP12 MOSFET (Metalloxid) To-220 Isolierte RegisterKarte Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 650 V 12a (TC) 10V 300mohm @ 6a, 10V 4,5 V @ 250 ähm 17.7 NC @ 10 V. ± 30 v 1100 PF @ 25 V. - - - 40W (TC)
IXFX180N15P IXYS Ixfx180n15p 16.4500
RFQ
ECAD 95 0.00000000 Ixys HIPERFET ™, Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Variante Ixfx180 MOSFET (Metalloxid) Plus247 ™ -3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 150 v 180a (TC) 10V 11MOHM @ 90A, 10V 5v @ 4ma 240 nc @ 10 v ± 20 V 7000 PF @ 25 V. - - - 830 W (TC)
IXFN20N120P IXYS Ixfn20n120p 48.7600
RFQ
ECAD 5311 0.00000000 Ixys HIPERFET ™, Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc Ixfn20 MOSFET (Metalloxid) SOT-227B Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 N-Kanal 1200 V 20A (TC) 10V 570MOHM @ 10a, 10V 6,5 V @ 1ma 193 NC @ 10 V. ± 30 v 11100 PF @ 25 V. - - - 595W (TC)
IXFR180N10 IXYS IXFR180N10 17.1133
RFQ
ECAD 9891 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Nicht für Designs -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfr180 MOSFET (Metalloxid) Isoplus247 ™ Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen IXFR180N10-NDR Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 100 v 165a (TC) 10V 8mohm @ 90a, 10V 4v @ 8ma 400 nc @ 10 v ± 20 V 9400 PF @ 25 V. - - - 400W (TC)
IXTP5N60P IXYS Ixtp5n60p - - -
RFQ
ECAD 9853 0.00000000 Ixys Polarhv ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 IXTP5 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 600 V 5a (TC) 10V 1,7OHM @ 2,5a, 10 V 5,5 V @ 50 µA 14.2 NC @ 10 V. ± 30 v 750 PF @ 25 V. - - - 100 W (TC)
IXFP7N60P3 IXYS Ixfp7n60p3 - - -
RFQ
ECAD 6869 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, polar3 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Ixfp7n60 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 600 V 7a (TC) 10V 1,15OHM @ 500 mA, 10V 5v @ 1ma 13.3 NC @ 10 V. ± 30 v 705 PF @ 25 V. - - - 180W (TC)
IXFQ50N50P3 IXYS IXFQ50N50p3 10.9000
RFQ
ECAD 6756 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, polar3 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 IXFQ50 MOSFET (Metalloxid) To-3p Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen -IXFQ50N50p3 Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 500 V 50a (TC) 10V 120Mohm @ 25a, 10V 5v @ 4ma 85 NC @ 10 V ± 30 v 4335 PF @ 25 V. - - - 960W (TC)
IXTT10P60 IXYS Ixtt10p60 12.9700
RFQ
ECAD 3064 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixtt10 MOSFET (Metalloxid) To-268aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen -Ixtt10p60 Ear99 8541.29.0095 30 P-Kanal 600 V 10a (TC) 10V 1ohm @ 5a, 10V 5 V @ 250 ähm 160 nc @ 10 v ± 20 V 4700 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
IXFH26N50Q IXYS IXFH26N50Q - - -
RFQ
ECAD 7832 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh26 MOSFET (Metalloxid) To-247ad (ixfh) Herunterladen Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 500 V 26a (TC) 10V 200mohm @ 13a, 10V 4,5 V @ 4ma 95 NC @ 10 V ± 20 V 3900 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
IXFH24N80P IXYS Ixfh24n80p 11.5200
RFQ
ECAD 3267 0.00000000 Ixys HIPERFET ™, Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh24 MOSFET (Metalloxid) To-247ad (ixfh) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 800 V 24a (TC) 10V 400mohm @ 12a, 10V 5v @ 4ma 105 NC @ 10 V ± 30 v 7200 PF @ 25 V. - - - 650W (TC)
GWM220-004P3-SMD SAM IXYS GWM220-004p3-SMD SAM - - -
RFQ
ECAD 6011 0.00000000 Ixys - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 17-SMD, Möwenflügel GWM220 MOSFET (Metalloxid) - - - Isoplus-Dil ™ Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 6 N-Kanal (3-Phasen-Brückke) 40V 180a - - - 4v @ 1ma 94nc @ 10v - - - - - -
IXFH4N100Q IXYS IXFH4N100Q - - -
RFQ
ECAD 3313 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, q -Klasse Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh4 MOSFET (Metalloxid) To-247ad (ixfh) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 1000 v 4a (TC) 10V 3OHM @ 2a, 10V 5v @ 1,5 mA 39 NC @ 10 V. ± 20 V 1050 PF @ 25 V. - - - 150W (TC)
IXFN110N85X IXYS Ixfn110n85x 65.6500
RFQ
ECAD 3170 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, ultra x Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc Ixfn110 MOSFET (Metalloxid) SOT-227B Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 N-Kanal 850 V 110a (TC) 10V 33mohm @ 55a, 10V 5,5 V @ 8ma 425 NC @ 10 V ± 30 v 17000 PF @ 25 V. - - - 1170W (TC)
IXTA8N50P IXYS Ixta8n50p - - -
RFQ
ECAD 7404 0.00000000 Ixys Polarhv ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixta8 MOSFET (Metalloxid) To-263aa Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 500 V 8a (TC) 10V 800mohm @ 4a, 10V 5,5 V @ 100 µA 20 nc @ 10 v ± 30 v 1050 PF @ 25 V. - - - 150W (TC)
IXFQ50N60P3 IXYS IXFQ50N60P3 10.4200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, polar3 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-3P-3, SC-65-3 IXFQ50 MOSFET (Metalloxid) To-3p Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 600 V 50a (TC) 10V 145mohm @ 500 mA, 10V 5v @ 4ma 94 NC @ 10 V ± 30 v 6300 PF @ 25 V. - - - 1040W (TC)
IXFH75N10Q IXYS Ixfh75n10q - - -
RFQ
ECAD 4374 0.00000000 Ixys Hiperfet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh75 MOSFET (Metalloxid) To-247ad (ixfh) Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 100 v 75a (TC) 10V 20mohm @ 37,5a, 10V 4v @ 4ma 180 nc @ 10 v ± 20 V 3700 PF @ 25 V. - - - 300 W (TC)
IXFH36N50P IXYS Ixfh36n50p 11.0100
RFQ
ECAD 248 0.00000000 Ixys HIPERFET ™, Polar Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh36 MOSFET (Metalloxid) To-247ad (ixfh) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 500 V 36a (TC) 10V 170 MOHM @ 500 mA, 10V 5v @ 4ma 93 NC @ 10 V ± 30 v 5500 PF @ 25 V. - - - 540W (TC)
IXTH98N20T IXYS Ixth98n20t - - -
RFQ
ECAD 1874 0.00000000 Ixys Graben Rohr Aktiv - - - K. Loch To-247-3 Ixth98 MOSFET (Metalloxid) To-247 (ixth) - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 200 v 98a (TC) - - - - - - - - - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus