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Transistoren (3903)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | Eingang | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min rds an) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | NTC Thermistor | Eingabekapazität (cies) @ vce |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GWM100-01X1-SSAM | - - - |  | 8881 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 17-SMD, Flache Leitungen | GWM100 | MOSFET (Metalloxid) | - - - | Isoplus-Dil ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 N-Kanal (3-Phasen-Brückke) | 100V | 90a | 8.5MOHM @ 80A, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 90nc @ 10v | - - - | - - - | ||||||||||||||||||||
 | Ixth48n20 | - - - | | 8106 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Ixth48 | MOSFET (Metalloxid) | To-247 (ixth) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 200 v | 48a (TC) | 10V | 50mohm @ 15a, 10V | 4v @ 250 ähm | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 3000 PF @ 25 V. | - - - | 275W (TC) | ||||||||||||||||||
 | IXTT12N150HV | 56.2300 | | 1321 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa | Ixtt12 | MOSFET (Metalloxid) | To-268aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | -Ixtt12N150HV | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 1500 V | 12a (TC) | 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 106 NC @ 10 V | ± 30 v | 3720 PF @ 25 V. | - - - | 890W (TC) | ||||||||||||||||||
| MWI451-17E9 | - - - | | 1021 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Tablett | Veraltet | -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Chassis -berg | - - - | MWI451 | - - - | - - - | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - - - | - - - | - - - | NEIN | ||||||||||||||||||||||||||
 | Ixfv52n30p | - - - | | 3164 | 0.00000000 | Ixys | Polarht ™ Hiperfet ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3, Kurze RegisterKarte | Ixfv52 | MOSFET (Metalloxid) | Plus220 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 300 V | 52a (TC) | 10V | 66mohm @ 500 mA, 10V | 5v @ 4ma | 110 nc @ 10 v | ± 20 V | 3490 PF @ 25 V. | - - - | 400W (TC) | |||||||||||||||||||
| Ixft140n10p | 11.2400 | | 34 | 0.00000000 | Ixys | HIPERFET ™, Polar | Kasten | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa | Ixft140 | MOSFET (Metalloxid) | To-268aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 100 v | 140a (TC) | 10V | 11Mohm @ 70a, 10V | 5v @ 4ma | 155 NC @ 10 V | ± 20 V | 4700 PF @ 25 V. | - - - | 600W (TC) | ||||||||||||||||||
| Ixtt10p60 | 12.9700 | | 3064 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa | Ixtt10 | MOSFET (Metalloxid) | To-268aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | -Ixtt10p60 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | P-Kanal | 600 V | 10a (TC) | 10V | 1ohm @ 5a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 160 nc @ 10 v | ± 20 V | 4700 PF @ 25 V. | - - - | 300 W (TC) | |||||||||||||||||
| VII25-06P1 | - - - | | 2705 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Kasten | Veraltet | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Öko-PAC2 | Vii | 82 w | Standard | Öko-PAC2 | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | Halbbrücke | Npt | 600 V | 24,5 a | 2,9 V @ 15V, 25a | 600 µA | Ja | 8 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||
 | IXTP44N10T | 1.9800 | | 3 | 0.00000000 | Ixys | Graben | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Ixtp44 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 44a (TC) | 10V | 30mohm @ 22a, 10V | 4,5 V @ 25 ähm | 33 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1262 PF @ 25 V. | - - - | 130W (TC) | ||||||||||||||||||
| Ixfm35n30 | - - - | | 6466 | 0.00000000 | Ixys | Hiperfet ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-204ae | Ixfm35 | MOSFET (Metalloxid) | To-204ae | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | N-Kanal | 300 V | 35a (TC) | 10V | 100mohm @ 17.5a, 10V | 4v @ 4ma | 200 nc @ 10 v | ± 20 V | 4800 PF @ 25 V. | - - - | 300 W (TC) | ||||||||||||||||||
 | Ixth130n15x4 | 13.0200 | | 25 | 0.00000000 | Ixys | Ultra X4 | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Ixth130 | MOSFET (Metalloxid) | To-247 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 150 v | 130a (TC) | 10V | 8.5Mohm @ 70a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 87 NC @ 10 V | ± 20 V | 4770 PF @ 25 V. | - - - | 400W (TC) | ||||||||||||||||||
| Ixfh12n120p | 17.4700 | | 3799 | 0.00000000 | Ixys | HIPERFET ™, Polar | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Ixfh12 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ad (ixfh) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | -IXFH12N120p | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 1200 V | 12a (TC) | 10V | 1,35OHM @ 500 mA, 10V | 6,5 V @ 1ma | 103 NC @ 10 V | ± 30 v | 5400 PF @ 25 V. | - - - | 543W (TC) | |||||||||||||||||
| Ixgp15n120b | - - - | | 2903 | 0.00000000 | Ixys | Hiperfast ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Ixgp15 | Standard | 150 w | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 960 V, 15a, 10ohm, 15 V. | Pt | 1200 V | 30 a | 60 a | 3,2 V @ 15V, 15a | 1,75 MJ (AUS) | 69 NC | 25ns/180ns | |||||||||||||||||||
 | IXTA220N075T | - - - | | 7694 | 0.00000000 | Ixys | Trenchmv ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | IXTA220 | MOSFET (Metalloxid) | To-263aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 75 V | 220a (TC) | 10V | 4,5 MOHM @ 25a, 10V | 4v @ 250 ähm | 165 NC @ 10 V. | ± 20 V | 7700 PF @ 25 V. | - - - | 480W (TC) | |||||||||||||||||||
 | Ixfn27n80 | 30.3770 | | 5080 | 0.00000000 | Ixys | Hiperfet ™ | Rohr | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | Ixfn27 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-227B | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | Nicht Anwendbar | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | N-Kanal | 800 V | 27a (TC) | 10V, 15 V | 300MOHM @ 13.5A, 10V | 4,5 V @ 8ma | 400 nc @ 10 v | ± 20 V | 9740 PF @ 25 V. | - - - | 520W (TC) | ||||||||||||||||||
| GWM120-0075X1-SMDSAM | - - - | | 5091 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 17-SMD, Möwenflügel | GWM120 | MOSFET (Metalloxid) | - - - | Isoplus-Dil ™ | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 N-Kanal (3-Phasen-Brückke) | 75 V | 110a | 4,9 MOHM @ 60A, 10V | 4v @ 1ma | 115nc @ 10v | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||
| Ixkf40n60Scd1 | - - - | | 5498 | 0.00000000 | Ixys | Coolmos ™ | Rohr | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | I4 -PAC ™ -5 (3 Leads) | Ixkf40 | MOSFET (Metalloxid) | Isoplus i4-pac ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 600 V | 41a (TC) | 10V | 70 Mohm @ 25a, 10V | 3,9 V @ 3ma | 250 NC @ 10 V | ± 20 V | - - - | - - - | |||||||||||||||||||
| Ixbn75n170a | - - - | | 1233 | 0.00000000 | Ixys | Bimosfet ™ | Rohr | Abgebrochen bei Sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | Ixbn75 | 625 w | Standard | SOT-227B | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | Einzel | - - - | 1700 v | 75 a | 6v @ 15V, 42a | 50 µA | NEIN | 7.4 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||
| IXFA20N85XHV-trl | 5.6463 | | 5400 | 0.00000000 | Ixys | Hiperfet ™, ultra x | Band & Rollen (TR) | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Ixfa20 | MOSFET (Metalloxid) | To-263HV | - - - | ROHS3 -KONFORM | UnberÜHrt Ereichen | 238-IXFA20N85XHV-Trltr | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | N-Kanal | 850 V | 20A (TC) | 10V | 330mohm @ 10a, 10V | 5,5 V @ 2,5 mA | 63 NC @ 10 V | ± 30 v | 1660 PF @ 25 V. | - - - | 540W (TC) | ||||||||||||||||||
| Ixfn44n80p | 34.5800 | | 10 | 0.00000000 | Ixys | HIPERFET ™, Polar | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | Ixfn44 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-227B | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | N-Kanal | 800 V | 39a (TC) | 10V | 190MOHM @ 500 mA, 10V | 5v @ 8ma | 200 nc @ 10 v | ± 30 v | 12000 PF @ 25 V. | - - - | 694W (TC) | ||||||||||||||||||
| Ixgh35n120b | - - - | | 4160 | 0.00000000 | Ixys | Hiperfast ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Ixgh35 | Standard | 300 w | To-247ad | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | 960 V, 35A, 5OHM, 15 V. | Pt | 1200 V | 70 a | 140 a | 3,3 V @ 15V, 35a | 3,8 MJ (AUS) | 170 nc | 50ns/180ns | ||||||||||||||||||||
| IXTP32N65XM | 5.9612 | | 8455 | 0.00000000 | Ixys | Ultra x | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IxtP32 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 650 V | 14a (TC) | 10V | 135mohm @ 16a, 10V | 5,5 V @ 250 ähm | 54 NC @ 10 V | ± 30 v | 2206 PF @ 25 V. | - - - | 78W (TC) | ||||||||||||||||||
| VKI50-06P1 | - - - | | 9988 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Kasten | Aktiv | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | Öko-PAC2 | VKI50 | 130 w | Standard | Öko-PAC2 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | Vollbrückke Wechselrichter | Npt | 600 V | 42,5 a | 2,9 V @ 15V, 50a | 600 µA | Ja | 16 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||
| IXTA1R6N100D2 | 3.2300 | | 221 | 0.00000000 | Ixys | Erschöpfung | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Ixta1 | MOSFET (Metalloxid) | To-263aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 1000 v | 1,6a (TC) | 10V | 10ohm @ 800 mA, 0V | - - - | 27 NC @ 5 V | ± 20 V | 645 PF @ 25 V. | Depletion -modus | 100 W (TC) | ||||||||||||||||||
| Ixfn40n90p | 42,8000 | | 1 | 0.00000000 | Ixys | HIPERFET ™, Polar | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | Ixfn40 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-227B | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | N-Kanal | 900 V | 33a (TC) | 10V | 210MOHM @ 20A, 10V | 6,5 V @ 1ma | 230 NC @ 10 V. | ± 30 v | 14000 PF @ 25 V. | - - - | 695W (TC) | ||||||||||||||||||
| Ixft17n80q | - - - | | 3709 | 0.00000000 | Ixys | Hiperfet ™ | Kasten | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa | Ixft17 | MOSFET (Metalloxid) | To-268aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 800 V | 17a (TC) | 10V | 600mohm @ 500 mA, 10 V | 4,5 V @ 4ma | 95 NC @ 10 V | ± 20 V | 3600 PF @ 25 V. | - - - | 400W (TC) | |||||||||||||||||||
| IXTP300N04T2 | 6.3300 | | 126 | 0.00000000 | Ixys | Trencht2 ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Ixtp300 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | -Ixtp300N04T2 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 40 v | 300A (TC) | 10V | 2,5 MOHM @ 500 mA, 10 V | 4v @ 250 ähm | 145 NC @ 10 V. | ± 20 V | 10700 PF @ 25 V. | - - - | 480W (TC) | |||||||||||||||||
| IXFN150N65X2 | 48.0800 | | 1 | 0.00000000 | Ixys | Hiperfet ™, ultra x2 | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | Ixfn150 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-227B | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | N-Kanal | 650 V | 145a (TC) | 10V | 17mohm @ 75a, 10V | 5v @ 8ma | 355 NC @ 10 V. | ± 30 v | 21000 PF @ 25 V. | - - - | 1040W (TC) | ||||||||||||||||||
 | IXTV230N085TS | - - - | | 2204 | 0.00000000 | Ixys | Trenchmv ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Plus-220Smd | IXTV230 | MOSFET (Metalloxid) | Plus-220Smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 85 V | 230a (TC) | 10V | 4.4mohm @ 50a, 10V | 4v @ 250 ähm | 187 NC @ 10 V. | ± 20 V | 9900 PF @ 25 V. | - - - | 550W (TC) | |||||||||||||||||||
| GMM3X160-0055x2-SMD | - - - | | 8483 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 24-SMD, Möwenflügel | Gmm3x160 | MOSFET (Metalloxid) | - - - | 24-smd | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 6 N-Kanal (3-Phasen-Brückke) | 55 v | 150a | - - - | 4v @ 1ma | 110nc @ 10v | - - - | - - - |
2000+
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