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Transistoren (3903)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket FET -Typ Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Reverse Recovery Time (TRR) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C
IXGT6N170AHV IXYS Ixgt6n170ahv 14.5227
RFQ
 ECAD 4663 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixgt6n170 Standard 75 w To-268HV (ixgt) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 850 V, 6a, 33OHM, 15 V. - - - 1700 v 6 a 14 a 7v @ 15V, 3a 590 µj (EIN), 180 µJ (AUS) 18,5 NC 46ns/220ns
IXTA80N075L2 IXYS IXTA80N075L2 13.9200
RFQ
 ECAD 327 0.00000000 Ixys Linear L2 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixta80 MOSFET (Metalloxid) To-263aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen -IXTA80N075L2 Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 75 V 80A (TC) 10V 24MOHM @ 40A, 10V 4,5 V @ 250 ähm 103 NC @ 10 V ± 20 V 3600 PF @ 25 V. - - - 357W (TC)
IXTP80N075L2 IXYS IXTP80N075L2 7.7400
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Ixys Linear L2 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Ixtp80 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen -Iistp80N075L2 Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 75 V 80A (TC) 10V 24MOHM @ 40A, 10V 4,5 V @ 250 ähm 103 NC @ 10 V ± 20 V 3600 PF @ 25 V. - - - 357W (TC)
IXXH150N60C3 IXYS Ixxh150n60c3 12.4200
RFQ
 ECAD 3343 0.00000000 Ixys GenX3 ™, XPT ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-2 Ixxh150 Standard 1360 w To-247ad Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 400 V, 75A, 2OHM, 15 V. Pt 600 V 300 a 150 a 2,5 V @ 15V, 150a 3,4mj (EINS), 1,8MJ (AUS) 200 NC 34ns/120ns
IXXH30N60B3 IXYS Ixxh30n60b3 5.0815
RFQ
 ECAD 8055 0.00000000 Ixys GenX3 ™, XPT ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixxh30 Standard 270 w To-247ad (ixxh) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 400 V, 24a, 10ohm, 15 V. Pt 600 V 60 a 115 a 1,85 V @ 15V, 24a 550 µJ (EIN), 500 µJ (AUS) 39 NC 23ns/97ns
IXYH40N65C3D1 IXYS Ixyh40n65c3d1 - - -
RFQ
 ECAD 2949 0.00000000 Ixys GenX3 ™, XPT ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixyh40 Standard 300 w To-247 (ixth) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 400 V, 30a, 10ohm, 15 V. 120 ns Pt 650 V 80 a 180 a 2,35 V @ 15V, 40a 830 µJ (EIN), 360 µJ (AUS) 66 NC 23ns/110ns
IXYP20N65C3D1 IXYS Ixyp20N65C3D1 3.8400
RFQ
 ECAD 1413 0.00000000 Ixys GenX3 ™, XPT ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Ixyp20 Standard 200 w To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 400 V, 20a, 20ohm, 15 V. 135 ns Pt 650 V 50 a 105 a 2,5 V @ 15V, 20a 430 µJ (EIN), 350 µJ (AUS) 30 NC 19ns/80ns
VMM90-09P IXYS VMM90-09p - - -
RFQ
 ECAD 9080 0.00000000 Ixys * Kasten Aktiv Vmm90 - - - - - - ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 2 - - -
IXFT40N85XHV IXYS Ixft40N85XHV 11.9465
RFQ
 ECAD 1796 0.00000000 Ixys Hiperfet ™, ultra x Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixft40 MOSFET (Metalloxid) To-268HV (ixft) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 850 V 40a (TC) 10V 145mohm @ 500 mA, 10V 5,5 V @ 4MA 98 NC @ 10 V. ± 30 v 3700 PF @ 25 V. - - - 860W (TC)
IXYN30N170CV1 IXYS Ixyn30N170CV1 44.2500
RFQ
 ECAD 442 0.00000000 Ixys XPT ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc Ixyn30 Standard 680 w SOT-227B Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 10 850 V, 30a, 2,7 Ohm, 15 V. 160 ns - - - 1700 v 88 a 275 a 3,7 V @ 15V, 30a 5,9mj (Ein), 3,3mj (AUS) 140 nc 28ns/150ns
IXFH220N06T3 IXYS IXFH220N06T3 6.3100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Ixys HiPerfet ™, Tranz3 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixfh220 MOSFET (Metalloxid) To-247 Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 60 v 220a (TC) 10V 4mohm @ 100a, 10V 4v @ 250 ähm 136 NC @ 10 V ± 20 V 8500 PF @ 25 V. - - - 440W (TC)
IXTH04N300P3HV IXYS Ixth04N300P3HV 25.3500
RFQ
 ECAD 9155 0.00000000 Ixys Polar P3 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Variante Ixth04 MOSFET (Metalloxid) To-247HV Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen -ISSIXTH04N300P3HV Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 3000 v 400 mA (TC) 10V 190OHM @ 200 Ma, 10V 4v @ 250 ähm 13 NC @ 10 V ± 20 V 283 PF @ 25 V. - - - 104W (TC)
IXTT2N300P3HV IXYS IXTT2N300P3HV 52.2600
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Ixys Polar P3 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixtt2 MOSFET (Metalloxid) To-268HV (ixtt) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen -Ixtt2N300P3HV Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 3000 v 2a (TC) 10V 21ohm @ 1a, 10V 5 V @ 250 ähm 73 NC @ 10 V ± 20 V 1890 PF @ 25 V. - - - 520W (TC)
IXTT3N200P3HV IXYS IXTT3N200P3HV 52.2600
RFQ
 ECAD 7755 0.00000000 Ixys Polar P3 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixtt3 MOSFET (Metalloxid) To-268HV (ixtt) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen -Ixtt3n200p3HV Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 2000 v 3a (TC) 10V 8OHM @ 1,5a, 10V 5 V @ 250 ähm 70 nc @ 10 v ± 20 V 1860 PF @ 25 V. - - - 520W (TC)
IXTX6N200P3HV IXYS IXTX6N200P3HV 69.9500
RFQ
 ECAD 5005 0.00000000 Ixys Polar P3 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Variante Ixtx6 MOSFET (Metalloxid) To-247plus-hv Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen -Ixtx6n200p3HV Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 2000 v 6a (TC) 10V 4ohm @ 3a, 10V 5 V @ 250 ähm 143 NC @ 10 V ± 20 V 3700 PF @ 25 V. - - - 960W (TC)
IXTD2N60P-1J IXYS IXTD2N60P-1J - - -
RFQ
 ECAD 9532 0.00000000 Ixys Polarhv ™ Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Sterben Ixtd2n MOSFET (Metalloxid) Sterben - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 600 V 2a (TC) 10V 5.1OHM @ 1a, 10V 5 V @ 250 ähm 7 NC @ 10 V ± 30 v 240 PF @ 25 V. - - - 56W (TC)
IXTD3N50P-2J IXYS IXTD3N50P-2J - - -
RFQ
 ECAD 9183 0.00000000 Ixys Polarhv ™ Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Sterben Ixtd3n MOSFET (Metalloxid) Sterben - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 500 V 3a (TC) 10V 2OHM @ 1,5a, 10V 5,5 V @ 50 µA 9.3 NC @ 10 V ± 30 v 409 PF @ 25 V. - - - 70W (TC)
IXTD4N80P-3J IXYS Ixtd4n80p-3j - - -
RFQ
 ECAD 2688 0.00000000 Ixys Polarhv ™ Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Sterben Ixtd4n MOSFET (Metalloxid) Sterben - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 800 V 3.6a (TC) 10V 3,4OHM @ 1,8a, 10 V. 5,5 V @ 100 µA 14.2 NC @ 10 V. ± 30 v 750 PF @ 25 V. - - - 100 W (TC)
IXBA16N170AHV IXYS IXBA16N170AHV 29.4300
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 Ixys Bimosfet ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab IXBA16 Standard 150 w To-263HV Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen -IXBA16N170AHV Ear99 8541.29.0095 50 1360 V, 10a, 10ohm, 15 V. 25 ns - - - 1700 v 16 a 40 a 6v @ 15V, 10a 2,5 MJ (AUS) 65 NC 15ns/250ns
IXBT16N170AHV IXYS IXBT16N170AHV 16.6173
RFQ
 ECAD 9900 0.00000000 Ixys Bimosfet ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa Ixbt16 Standard 150 w To-268HV (IXBT) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 1360 V, 10a, 10ohm, 15 V. 25 ns - - - 1700 v 16 a 40 a 6v @ 15V, 10a 2,5 MJ (AUS) 65 NC 15ns/250ns
IXFN50N120SIC IXYS IXFN50N120SIC 82.8500
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Ixys - - - Rohr Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc IXFN50 Sicfet (Silziumkarbid) SOT-227B Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 1200 V 47a (TC) 20V 50mohm @ 40a, 20V 2,2 V @ 2MA 100 nc @ 20 V +20V, -5 V. 1900 PF @ 1000 V. - - - - - -
IXGA36N60A3 IXYS Ixga36n60a3 - - -
RFQ
 ECAD 8739 0.00000000 Ixys Genx3 ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixga36 Standard 220 w To-263aa Herunterladen UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 400 V, 30a, 5ohm, 15 V. 23 ns Pt 600 V 200 a 1,4 V @ 15V, 30a 740 µj (EIN), 3MJ (AUS) 80 nc 18ns/330ns
IXGP36N60A3 IXYS Ixgp36n60a3 5.0272
RFQ
 ECAD 9736 0.00000000 Ixys Genx3 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Ixgp36 Standard 220 w To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 400 V, 30a, 5ohm, 15 V. 23 ns Pt 600 V 200 a 1,4 V @ 15V, 30a 740 µj (EIN), 3MJ (AUS) 80 nc 18ns/330ns
IXTA230N04T4 IXYS IXTA230N04T4 3.5176
RFQ
 ECAD 4167 0.00000000 Ixys Graben Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab IXTA230 MOSFET (Metalloxid) To-263aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 40 v 230a (TC) 10V 2,9 MOHM @ 115A, 10V 4v @ 250 ähm 140 nc @ 10 v ± 15 V 7400 PF @ 25 V. - - - 340W (TC)
IXTA34N65X2 IXYS IXTA34N65X2 6.0894
RFQ
 ECAD 5021 0.00000000 Ixys Ultra x2 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixta34 MOSFET (Metalloxid) To-263aa Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 650 V 34a (TC) 10V 96mohm @ 17a, 10V 5 V @ 250 ähm 54 NC @ 10 V ± 30 v 3000 PF @ 25 V. - - - 540W (TC)
IXTH24N65X2 IXYS Ixth24n65x2 6.4000
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 Ixys Ultra x2 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixth24 MOSFET (Metalloxid) To-247 (ixth) Herunterladen ROHS3 -KONFORM 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 650 V 24a (TC) 10V 145mohm @ 12a, 10V 5 V @ 250 ähm 36 NC @ 10 V ± 30 v 2060 PF @ 25 V. - - - 390W (TC)
IXTP230N04T4 IXYS IXTP230N04T4 3.3066
RFQ
 ECAD 4496 0.00000000 Ixys Graben Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 IXTP230 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 40 v 230a (TC) 10V 2,9 MOHM @ 115A, 10V 4v @ 250 ähm 140 nc @ 10 v ± 15 V 7400 PF @ 25 V. - - - 340W (TC)
IXTP4N70X2M IXYS Ixtp4n70x2m 3.3100
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Ixys Ultra x2 Rohr Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Full Pack, Isolierte RegisterKarte Ixtp4 MOSFET (Metalloxid) To-220 Isolierte RegisterKarte Herunterladen ROHS3 -KONFORM Nicht Anwendbar UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 700 V 4a (TC) 10V 850MOHM @ 2a, 10V 4,5 V @ 250 ähm 11.8 NC @ 10 V. ± 30 v 386 PF @ 25 V. - - - 30W (TC)
IXXA30N65C3HV IXYS Ixxa30n65c3hv 5.6612
RFQ
 ECAD 9253 0.00000000 Ixys XPT ™, GenX3 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Ixxa30 Standard 230 w To-263HV - - - ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 50 400 V, 24a, 10ohm, 15 V. 33 ns - - - 650 V 52 a 113 a 2,2 V @ 15V, 24a 500 µJ (EIN), 450 µJ (AUS) 37 NC 33ns/125ns
IXXH30N65C4D1 IXYS Ixxh30n65c4d1 - - -
RFQ
 ECAD 8797 0.00000000 Ixys XPT ™, GenX4 ™ Rohr Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Ixxh30 Standard 230 w To-247ad (ixxh) Herunterladen ROHS3 -KONFORM UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 30 400 V, 30a, 15ohm, 15 V. 72 ns - - - 650 V 62 a 136 a 2,5 V @ 15V, 30a 1,1MJ (EIN), 400 µJ (AUS) 47 NC 20ns/140ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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