- RFQ
- Bom
- Kontaktieren Sie uns
Tel: +86-0755-83501315
E-Mail:sales@sic-components.com
- chinesisch
- Englisch
- Französisch
- Deutsch
- Portugiesisch
- Spanisch
- Russisch
- japanisch
- Koreanisch
- Arabisch
- irisch
- griechisch
- Türkisch
- Italienisch
- dänisch
- rumänisch
- Indonesisch
- tschechisch
- Afrikaans
- Schwedisch
- Polieren
- baskisch
- katalanisch
- Esperanto
- Hindi
- Lao
- albanisch
- Amharisch
- Armenisch
- Aserbaidschani
- Weißrussland
- Bengali
- bosnisch
- bulgarisch
- Cebuano
- Chichewa
- Korsiker
- kroatisch
- Niederländisch
- estnisch
- Filipino
- finnisch
- Friesisch
- galizisch
- georgisch
- Gujarati
- haitianisch
- Hausa
- hawaiisch
- hebräisch
- Hmong
- ungarisch
- isländisch
- Igbo
- Javaner
- Kannada
- Kasachisch
- Khmer
- kurdisch
- Kirgisische
- lateinisch
- lettisch
- litauisch
- Luxembou ..
- mazedonisch
- Madagasy
- malaiisch
- Malayalam
- maltesisch
- Maori
- Marathi
- mongolisch
- birmanisch
- Nepali
- norwegisch
- PaShto
- persisch
- Punjabi
- serbisch
- Sesotho
- Sinhala
- slowakisch
- Slowenisch
- somali
- Samoaner
- Schotten gälisch
- Shona
- Sindhi
- Sundanese
- Swahili
- Tajik
- Tamil
- Telugu
- Thai
- ukrainisch
- Urdu
- Usbekisch
- Vietnamesisch
- Walisisch
- Xhosa
- Jiddisch
- Yoruba
- Zulu
- Kinyarwanda
- Tatar
- Oriya
- Turkmen
- Uyghur
Transistoren (3903)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | FET -Typ | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IXTP230N075T2 | 6.3900 |  | 48 | 0.00000000 | Ixys | Trencht2 ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | IXTP230 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 75 V | 230a (TC) | 10V | 4.2mohm @ 50a, 10V | 4v @ 250 ähm | 178 NC @ 10 V. | ± 20 V | 10500 PF @ 25 V. | - - - | 480W (TC) | ||||
 | Ixfn27n80q | - - - | | 6167 | 0.00000000 | Ixys | Hiperfet ™, q -Klasse | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | Ixfn27 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-227B | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | N-Kanal | 800 V | 27a (TC) | 10V | 320mohm @ 500 mA, 10V | 4,5 V @ 4ma | 170 nc @ 10 v | ± 20 V | 7600 PF @ 25 V. | - - - | 520W (TC) | ||||
 | Ixta2r4n120p | 6.9900 | | 280 | 0.00000000 | Ixys | Polar | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Ixta2 | MOSFET (Metalloxid) | To-263aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 1200 V | 2.4a (TC) | 10V | 7.5OHM @ 500 mA, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 37 NC @ 10 V. | ± 20 V | 1207 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | ||||
 | IXTX120P20T | 31.5900 | | 8366 | 0.00000000 | Ixys | Trenchp ™ | Rohr | Aktiv | - - - | K. Loch | To-247-3 Variante | IXTX120 | MOSFET (Metalloxid) | Plus247 ™ -3 | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | P-Kanal | 200 v | 120a (TC) | 30mohm @ 60a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 740 nc @ 10 v | 73000 PF @ 25 V. | - - - | - - - | ||||||
 | Ixft10n100 | - - - | | 7596 | 0.00000000 | Ixys | Hiperfet ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa | Ixft10 | MOSFET (Metalloxid) | To-268aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 1000 v | 10a (TC) | 10V | 1,2OHM @ 5a, 10V | 4,5 V @ 4ma | 155 NC @ 10 V | ± 20 V | 4000 PF @ 25 V. | - - - | 300 W (TC) | ||||
 | Ixth1n170dhv | 16.6800 | | 9876 | 0.00000000 | Ixys | Erschöpfung | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 Variante | Ixth1 | MOSFET (Metalloxid) | To-247HV | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 1700 v | 1a (TJ) | 0V | 16ohm @ 500 mA, 0V | 4,5 V @ 250 ähm | 47 NC @ 5 V. | ± 20 V | 3090 PF @ 25 V. | Depletion -modus | 290W (TC) | ||||
 | IXFK32N60 | - - - | | 2082 | 0.00000000 | Ixys | Hiperfet ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-264-3, to-264aa | Ixfk32 | MOSFET (Metalloxid) | To-264aa (ixfk) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 600 V | 32a (TC) | 10V | 250 MOHM @ 500 mA, 10V | 4,5 V @ 8ma | 325 NC @ 10 V | ± 20 V | 9000 PF @ 25 V. | - - - | 500W (TC) | ||||
| IXFN150N65X2 | 48.0800 | | 1 | 0.00000000 | Ixys | Hiperfet ™, ultra x2 | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | Ixfn150 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-227B | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | N-Kanal | 650 V | 145a (TC) | 10V | 17mohm @ 75a, 10V | 5v @ 8ma | 355 NC @ 10 V. | ± 30 v | 21000 PF @ 25 V. | - - - | 1040W (TC) | ||||
 | Ixth86n20t | 6.4897 | | 1635 | 0.00000000 | Ixys | Graben | Rohr | Aktiv | - - - | K. Loch | To-247-3 | Ixth86 | MOSFET (Metalloxid) | To-247 (ixth) | - - - | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 200 v | 86a (TC) | - - - | - - - | - - - | - - - | ||||||||
| IXFB80N50Q2 | 26.3288 | | 1432 | 0.00000000 | Ixys | Hiperfet ™, Q2 -Klasse | Rohr | Nicht für Designs | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-264-3, to-264aa | Ixfb80 | MOSFET (Metalloxid) | Plus264 ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 500 V | 80A (TC) | 10V | 60MOHM @ 500 mA, 10V | 5,5 V @ 8ma | 250 NC @ 10 V | ± 30 v | 15000 PF @ 25 V. | - - - | 960W (TC) | ||||
| IXTK200N10L2 | 38.7700 | | 240 | 0.00000000 | Ixys | Linear L2 ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-264-3, to-264aa | IXTK200 | MOSFET (Metalloxid) | To-264 (ixtk) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Q7017004 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 100 v | 200a (TC) | 10V | 11Mohm @ 100a, 10V | 4,5 V @ 3ma | 540 NC @ 10 V | ± 20 V | 23000 PF @ 25 V. | - - - | 1040W (TC) | |||
| Ixft30n50 | - - - | | 5749 | 0.00000000 | Ixys | Hiperfet ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa | Ixft30 | MOSFET (Metalloxid) | To-268aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 500 V | 30a (TC) | 10V | 160Mohm @ 15a, 10V | 4v @ 4ma | 300 NC @ 10 V. | ± 20 V | 5700 PF @ 25 V. | - - - | 360W (TC) | ||||
 | IXTC200N10T | - - - | | 5262 | 0.00000000 | Ixys | Trenchmv ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | Isoplus220 ™ | IXTC200 | MOSFET (Metalloxid) | Isoplus220 ™ | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 100 v | 101a (TC) | 10V | 6.3mohm @ 50a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 152 NC @ 10 V | ± 30 v | 9400 PF @ 25 V. | - - - | 160W (TC) | |||||
| IXTA130N065T2 | - - - | | 8533 | 0.00000000 | Ixys | Trencht2 ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Ixta130 | MOSFET (Metalloxid) | To-263aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 65 V | 130a (TC) | 10V | 6.6mohm @ 50a, 10V | 4v @ 250 ähm | 79 NC @ 10 V | ± 20 V | 4800 PF @ 25 V. | - - - | 250 W (TC) | ||||
| IXFN52N100X | 55.9400 | | 9 | 0.00000000 | Ixys | Hiperfet ™, ultra x | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Chassis -berg | SOT-227-4, MiniBloc | Ixfn52 | MOSFET (Metalloxid) | SOT-227B | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 10 | N-Kanal | 1000 v | 44a (TC) | 10V | 125mohm @ 26a, 10V | 6v @ 4ma | 245 NC @ 10 V | ± 30 v | 6725 PF @ 25 V. | - - - | 830 W (TC) | ||||
| IXTA26P10T | 3.1814 | | 3031 | 0.00000000 | Ixys | Trenchp ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Ixta26 | MOSFET (Metalloxid) | To-263aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 100 v | 26a (TC) | 10V | 90 MOHM @ 13A, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 52 NC @ 10 V | ± 15 V | 3820 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | ||||
| IXTT02N450HV | 33.1900 | | 1 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa | Ixtt02 | MOSFET (Metalloxid) | To-268aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 3 (168 Stunden) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 4500 v | 200 Ma (TC) | 10V | 750OHM @ 10ma, 10V | 6,5 V @ 250 ähm | 10.4 NC @ 10 V | ± 20 V | 256 PF @ 25 V | - - - | 113W (TC) | ||||
 | IXFH340N075T2 | 11.1000 | | 1 | 0.00000000 | Ixys | HiPerfet ™, Tranz2 ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Ixfh340 | MOSFET (Metalloxid) | To-247ad (ixfh) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 75 V | 340a (TC) | 10V | 3,2 MOHM @ 100A, 10 V | 4V @ 3ma | 300 NC @ 10 V. | ± 20 V | 19000 PF @ 25 V. | - - - | 935W (TC) | ||||
| IXFB100N50Q3 | 43.4700 | | 25 | 0.00000000 | Ixys | Hiperfet ™, Q3 -Klasse | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-264-3, to-264aa | IXFB100 | MOSFET (Metalloxid) | Plus264 ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | -IXFB100N50Q3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | N-Kanal | 500 V | 100a (TC) | 10V | 49mohm @ 50a, 10V | 6,5 V @ 8ma | 255 NC @ 10 V | ± 30 v | 13800 PF @ 25 V. | - - - | 1560W (TC) | |||
 | Ixty1r4n60p | - - - | | 2695 | 0.00000000 | Ixys | Polarhv ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | Ixty1 | MOSFET (Metalloxid) | To-252aa | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | Ear99 | 8541.29.0095 | 70 | N-Kanal | 600 V | 1.4a (TC) | 10V | 9OHM @ 700 mA, 10V | 5,5 V @ 25 ähm | 5.2 NC @ 10 V | ± 30 v | 140 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | ||||||
 | GWM100-0085x1-SMD | - - - | | 2029 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 17-SMD, Möwenflügel | GWM100 | MOSFET (Metalloxid) | - - - | Isoplus-Dil ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 36 | 6 N-Kanal (3-Phasen-Brückke) | 85 V | 103a | 6,2 MOHM @ 75A, 10V | 4v @ 250 ähm | 114nc @ 10v | - - - | - - - | ||||||
| Ixth4n150 | 8.5733 | | 6483 | 0.00000000 | Ixys | - - - | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Ixth4 | MOSFET (Metalloxid) | To-247 (ixth) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 1500 V | 4a (TC) | 10V | 6ohm @ 2a, 10V | 5 V @ 250 ähm | 44,5 NC @ 10 V. | ± 30 v | 1576 PF @ 25 V. | - - - | 280W (TC) | ||||
 | Ixfr58n20 | - - - | | 3669 | 0.00000000 | Ixys | Hiperfet ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-247-3 | Ixfr58 | MOSFET (Metalloxid) | Isoplus247 ™ | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 200 v | 50a (TC) | 10V | 40mohm @ 29a, 10V | 4v @ 4ma | 140 nc @ 10 v | ± 20 V | 3600 PF @ 25 V. | - - - | 300 W (TC) | ||||
| Ixtk32p60p | 21.6300 | | 25 | 0.00000000 | Ixys | Polarp ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-264-3, to-264aa | Ixtk32 | MOSFET (Metalloxid) | To-264 (ixtk) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | -Ixtk32p60p | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | P-Kanal | 600 V | 32a (TC) | 10V | 350Mohm @ 16a, 10V | 4v @ 1ma | 196 NC @ 10 V | ± 20 V | 11100 PF @ 25 V. | - - - | 890W (TC) | |||
| Ixfa7n60p3 | - - - | | 4256 | 0.00000000 | Ixys | Hiperfet ™, polar3 ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Ixfa7n60 | MOSFET (Metalloxid) | To-263aa (ixfa) | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | -IXFA7N60P3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 7a (TC) | 10V | 1,15OHM @ 3,5a, 10 V. | 5v @ 1ma | 13.3 NC @ 10 V. | ± 30 v | 705 PF @ 25 V. | - - - | 180W (TC) | |||
| Ixfp12n50p | 4.1800 | | 7539 | 0.00000000 | Ixys | HIPERFET ™, Polar | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Ixfp12 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | -IXFP12N50P | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 500 V | 12a (TC) | 10V | 500mohm @ 6a, 10V | 5,5 V @ 1ma | 29 NC @ 10 V | ± 30 v | 1830 PF @ 25 V. | - - - | 200W (TC) | |||
 | IXFQ60N60X | 13.6513 | | 5181 | 0.00000000 | Ixys | Hiperfet ™, ultra x | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | TO-3P-3, SC-65-3 | Ixfq60 | MOSFET (Metalloxid) | To-3p | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 600 V | 60a (TC) | 10V | 55mohm @ 30a, 10V | 4,5 V @ 8ma | 143 NC @ 10 V | ± 30 v | 5800 PF @ 25 V. | - - - | 890W (TC) | ||||
| IXFV30N60PS | - - - | | 8631 | 0.00000000 | Ixys | Hiperfet ™, polarht ™ | Rohr | Veraltet | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | Plus-220Smd | Ixfv30 | MOSFET (Metalloxid) | Plus-220Smd | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 30a (TC) | 10V | 240mohm @ 15a, 10V | 5v @ 4ma | 82 NC @ 10 V | ± 30 v | 4000 PF @ 25 V. | - - - | 500W (TC) | |||||
| Ixta48p05t | 4.5600 | | 3 | 0.00000000 | Ixys | Trenchp ™ | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | Ixta48 | MOSFET (Metalloxid) | To-263aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | P-Kanal | 50 v | 48a (TC) | 10V | 30mohm @ 24a, 10V | 4,5 V @ 250 ähm | 53 NC @ 10 V | ± 15 V | 3660 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | ||||
| Ixft30n60p | - - - | | 4972 | 0.00000000 | Ixys | HIPERFET ™, Polar | Rohr | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | To-268-3, d Bediente (2 Leitet + Tab), to-268aaa | Ixft30 | MOSFET (Metalloxid) | To-268aa | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | N-Kanal | 600 V | 30a (TC) | 10V | 240mohm @ 15a, 10V | 5v @ 4ma | 82 NC @ 10 V | ± 30 v | 4000 PF @ 25 V. | - - - | 500W (TC) |
2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m2
Lagerhaus
Wunschliste (0 Elemente)