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Transistoren(1222)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Leistung – max	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	Andere Namen	ECCN	HTSUS	Standardpaket	FET-Typ	Testbedingung	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)	Reverse Recovery Time (trr)	IGBT-Typ	Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (Max)	Strom – Kollektor gepulst (Icm)	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	Energie wechseln	Tor-Gebühr	Td (ein/aus) bei 25 °C
AUIRFR3607	-	Anfrage	7019	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63	AUIRFR3607		MOSFET (Metalloxid)		D-Pak	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1	N-Kanal		75 V	56A (Tc)	10V	9 mOhm bei 46 A, 10 V	4 V bei 100 µA	84 nC bei 10 V	±20V	3070 pF bei 50 V	-	140 W (Tc)
IRF6201PBF	1.0000	Anfrage	7665	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)			MOSFET (Metalloxid)		8-SO	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1	N-Kanal		20 V	27A (Ta)	2,5 V, 4,5 V	2,45 mOhm bei 27 A, 4,5 V	1,1 V bei 100 µA	195 nC bei 4,5 V	±12V	8555 pF bei 16 V	-	2,5 W (Ta)
IRLU3103PBF	-	Anfrage	1234	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA			MOSFET (Metalloxid)		IPAK (TO-251AA)	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1	N-Kanal		30 V	55A (Tc)		19 mOhm bei 33 A, 10 V	1 V bei 250 µA	50 nC bei 4,5 V	±16V	1600 pF bei 25 V	-	107W (Tc)
AUIRFB3806-IR	-	Anfrage	6895	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	2156-AUIRFB3806-IR	EAR99	0000.00.0000	1	N-Kanal		60 V	43A (Tc)		15,8 mOhm bei 43 A, 10 V	-		-		-	71W (Tc)
IRFR3711TRLPBF	0,4900	Anfrage	1	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		D-Pak	herunterladen	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	REACH betroffen		EAR99	0000.00.0000	1	N-Kanal		20 V	100A (Tc)	4,5 V, 10 V	6,5 mOhm bei 15 A, 10 V	3 V bei 250 µA	44 nC bei 4,5 V	±20V	2980 pF bei 10 V	-	2,5 W (Ta), 120 W (Tc)
IRG4BC20KDSTRLP-IR	-	Anfrage	8822	Internationaler Gleichrichter	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB		Standard		60 W	D2PAK	herunterladen	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8542.39.0001	3		480 V, 9 A, 50 Ohm, 15 V											37 ns	-	600 V	16 A	32 A	2,8 V bei 15 V, 9 A	340µJ (ein), 300µJ (aus)	34 nC	54ns/180ns
IRLL3303PBF	-	Anfrage	5319	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-261-4, TO-261AA			MOSFET (Metalloxid)		SOT-223	herunterladen	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	160	N-Kanal		30 V	4,6A (Ta)		31 mOhm bei 4,6 A, 10 V	1 V bei 250 µA	50 nC bei 10 V	±16V	840 pF bei 25 V	-	1W (Ta)
IRLR3636PBF	-	Anfrage	4351	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		D-Pak	herunterladen					EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal		60 V	50A (Tc)	4,5 V, 10 V	6,8 mOhm bei 50 A, 10 V	2,5 V bei 100 µA	49 nC bei 4,5 V	±16V	3779 pF bei 50 V	-	143W (Tc)
IRF7739L2TRPBF	1.0000	Anfrage	7657	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	DirectFET™ Isometrisches L8			MOSFET (Metalloxid)		DIRECTFET L8	herunterladen	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	246	N-Kanal		40 V	46A (Ta), 375A (Tc)	10V	1 mOhm bei 160 A, 10 V	4 V bei 250 µA	330 nC bei 10 V	±20V	11880 pF bei 25 V	-	3,8 W (Ta), 125 W (Tc)
IRL7486MTRPBF	1.2100	Anfrage	4	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®, StrongIRFET™	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	DirectFET™ Isometrisches ME			MOSFET (Metalloxid)		DirectFET™ Isometrisches ME	herunterladen					EAR99	8542.39.0001	1	N-Kanal		40 V	209A (Tc)	4,5 V, 10 V	1,25 mOhm bei 123 A, 10 V	2,5 V bei 150 µA	111 nC bei 4,5 V	±20V	6904 pF bei 25 V	-	104W (Tc)
AUIRLS3034	2.6100	Anfrage	4	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		D2PAK	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1	N-Kanal		40 V	195A (Tc)	4,5 V, 10 V	1,7 mOhm bei 195 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	162 nC bei 4,5 V	±20V	10315 pF bei 25 V	-	375 W (Tc)
IRFB61N15DPBF	-	Anfrage	4102	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1	N-Kanal		150 V	60A (Tc)		32 mOhm bei 36 A, 10 V	5,5 V bei 250 µA	140 nC bei 10 V	±30V	3470 pF bei 25 V	-	2,4 W (Ta), 330 W (Tc)
IRF245	-	Anfrage	2316	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-	Durchgangsloch	TO-204AE			MOSFET (Metalloxid)		TO-204AE	herunterladen	Nicht RoHS-konform	3 (168 Stunden)	Anbieter nicht definiert		EAR99	0000.00.0000	143	N-Kanal		250 V	13A (Tc)		-	-		-		-	125W
IRLZ44ZSPBF	-	Anfrage	7338	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		PG-TO263-3-2	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1	N-Kanal		55 V	51A (Tc)		13,5 mOhm bei 31 A, 10 V	3 V bei 250 µA	36 nC bei 5 V	±16V	1620 pF bei 25 V	-	80 W (Tc)
IRFP4368PBF	-	Anfrage	6132	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-247AC	herunterladen					EAR99	8542.39.0001	1	N-Kanal		75 V	195A (Tc)	10V	1,85 mOhm bei 195 A, 10 V	4 V bei 250 µA	570 nC bei 10 V	±20V	19230 pF bei 50 V	-	520 W (Tc)
IRG4PC50SDPBF	-	Anfrage	8710	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3		Standard		200 W	TO-247AD	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1		480V, 41A, 5Ohm, 15V											50 ns	-	600 V	70 A	140 A	1,36 V bei 15 V, 41 A	720 µJ (ein), 8,27 mJ (aus)	280 nC	33ns/650ns
IRFSL7430PBF	1.9800	Anfrage	4	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®, StrongIRFET™	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		D2PAK	herunterladen					EAR99	8542.39.0001	1	N-Kanal		40 V	195A (Tc)	6V, 10V	1,2 mOhm bei 100 A, 10 V	3,9 V bei 250 µA	460 nC bei 10 V	±20V	14240 pF bei 25 V	-	375 W (Tc)
AUIRF6215	1.0000	Anfrage	5014	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen					EAR99	8541.29.0095	1	P-Kanal		150 V	13A (Tc)	10V	290 mOhm bei 6,6 A, 10 V	4 V bei 250 µA	66 nC bei 10 V	±20V	860 pF bei 25 V	-	110 W (Tc)
AUIRF4905STRL	1.0000	Anfrage	6171	Internationaler Gleichrichter	Automobil, AEC-Q101, HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		PG-TO263-3	herunterladen					EAR99	8541.29.0095	1	P-Kanal		55 V	42A (Tc)	10V	20 mOhm bei 42 A, 10 V	4 V bei 250 µA	180 nC bei 10 V	±20V	3500 pF bei 25 V	-	200 W (Tc)
AUIRFR3710ZTRL	-	Anfrage	8408	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		D-Pak	herunterladen	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1	N-Kanal		100 V	42A (Tc)		18 mOhm bei 33 A, 10 V	4 V bei 250 µA	100 nC bei 10 V		2930 pF bei 25 V	-	140 W (Tc)
IRF9Z34NSTRRPBF	-	Anfrage	4590	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		D2PAK	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	800	P-Kanal		55 V	19A (Tc)	10V	100 mOhm bei 10 A, 10 V	4 V bei 250 µA	35 nC bei 10 V	±20V	620 pF bei 25 V	-	3,8 W (Ta), 68 W (Tc)
IRFS3806PBF	0,3500	Anfrage	7892	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		D2PAK	herunterladen					EAR99	8542.39.0001	290	N-Kanal		60 V	43A (Tc)	10V	15,8 mOhm bei 25 A, 10 V	4 V bei 50 µA	30 nC bei 10 V	±20V	1150 pF bei 50 V	-	71W (Tc)
IRG7PH35UD1MPBF	2.9700	Anfrage	88	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3	IRG7PH35	Standard		179 W	TO-247AD	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	1		600 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V												Graben	1200 V	50 A	150 A	2,2 V bei 15 V, 20 A	620µJ (aus)	130 nC	-/160ns
IRF7805TRPBF	0,4600	Anfrage	2	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)			MOSFET (Metalloxid)		8-SO	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	4.000	N-Kanal		30 V	13A (Ta)	4,5V	11 mOhm bei 7 A, 4,5 V	3 V bei 250 µA	31 nC bei 5 V	±12V		-	2,5 W (Ta)
IRF7811AVTRPBF	-	Anfrage	2547	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)			MOSFET (Metalloxid)		8-SO	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	4.000	N-Kanal		30 V	10,8 A (Ta)	4,5V	14 mOhm bei 15 A, 4,5 V	3 V bei 250 µA	26 nC bei 5 V	±20V	1801 pF bei 10 V	-	2,5 W (Ta)
IRFP4868PBF	-	Anfrage	4090	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-247AC	herunterladen					EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal		300 V	70A (Tc)	10V	32 mOhm bei 42 A, 10 V	5 V bei 250 µA	270 nC bei 10 V	±20V	10774 pF bei 50 V	-	517W (Tc)
AUIRFN8401TR	-	Anfrage	9001	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerTDFN			MOSFET (Metalloxid)		PQFN (5x6)	herunterladen	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	4.000	N-Kanal		40 V	84A (Tc)	10V	4,6 mOhm bei 50 A, 10 V	3,9 V bei 50 µA	66 nC bei 10 V	±20V	2170 pF bei 25 V	-	4,2 W (Ta), 63 W (Tc)
IRG4PC30FPBF	1.8800	Anfrage	1	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3		Standard		100 W	TO-247AC	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1		480V, 17A, 23Ohm, 15V												-	600 V	31 A	120 A	1,8 V bei 15 V, 17 A	230 µJ (ein), 1,18 mJ (aus)	77 nC	21ns/200ns
IRGS6B60KPBF	1.0000	Anfrage	8	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB		Standard		90 W	PG-TO263-3-901	-	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1		400 V, 5 A, 100 Ohm, 15 V												-	600 V	13 A	26 A	2,2 V bei 15 V, 5 A	110 µJ (ein), 135 µJ (aus)	18,2 nC	25ns/215ns
IRGP4640PBF	1.9000	Anfrage	10	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-40°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3		Standard		250 W	TO-247AC	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1		400 V, 24 A, 10 Ohm, 15 V												-	600 V	65 A	72 A	1,9 V bei 15 V, 24 A	100 µJ (ein), 600 µJ (aus)	75 nC	40ns/105ns

2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
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Transistoren(1222)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²