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Transistoren(1222)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Leistung – max	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	ECCN	HTSUS	Standardpaket	Konfiguration	FET-Typ	Testbedingung	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)	Reverse Recovery Time (trr)	IGBT-Typ	Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (Max)	Strom – Kollektor gepulst (Icm)	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	Energie wechseln	Tor-Gebühr	Td (ein/aus) bei 25 °C
IRFAE32	5.7800	Anfrage	523	Internationaler Gleichrichter	*	Schüttgut	Aktiv									-	Nicht zutreffend	3 (168 Stunden)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8542.39.0001	1
IRFB61N15DPBF	-	Anfrage	4102	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	0000.00.0000	1		N-Kanal		150 V	60A (Tc)		32 mOhm bei 36 A, 10 V	5,5 V bei 250 µA	140 nC bei 10 V	±30V	3470 pF bei 25 V	-	2,4 W (Ta), 330 W (Tc)
IRFSL7430PBF	1.9800	Anfrage	4	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®, StrongIRFET™	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		D2PAK	herunterladen				EAR99	8542.39.0001	1		N-Kanal		40 V	195A (Tc)	6V, 10V	1,2 mOhm bei 100 A, 10 V	3,9 V bei 250 µA	460 nC bei 10 V	±20V	14240 pF bei 25 V	-	375 W (Tc)
IRFP4368PBF	-	Anfrage	6132	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-247AC	herunterladen				EAR99	8542.39.0001	1		N-Kanal		75 V	195A (Tc)	10V	1,85 mOhm bei 195 A, 10 V	4 V bei 250 µA	570 nC bei 10 V	±20V	19230 pF bei 50 V	-	520 W (Tc)
IRLZ44ZSPBF	-	Anfrage	7338	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		PG-TO263-3-2	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	0000.00.0000	1		N-Kanal		55 V	51A (Tc)		13,5 mOhm bei 31 A, 10 V	3 V bei 250 µA	36 nC bei 5 V	±16V	1620 pF bei 25 V	-	80 W (Tc)
IRFR13N20DPBF-IR	-	Anfrage	3841	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		TO-252AA	-	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH betroffen	EAR99	0000.00.0000	1		N-Kanal		200 V	13A (Tc)		235 mOhm bei 8 A, 10 V	5,5 V bei 250 µA	38 nC bei 10 V	±30V	830 pF bei 25 V	-	110 W (Tc)
IRF245	-	Anfrage	2316	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-	Durchgangsloch	TO-204AE			MOSFET (Metalloxid)		TO-204AE	herunterladen	Nicht RoHS-konform	3 (168 Stunden)	Anbieter nicht definiert	EAR99	0000.00.0000	143		N-Kanal		250 V	13A (Tc)		-	-		-		-	125W
AUIRFU8405	1.0300	Anfrage	510	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA			MOSFET (Metalloxid)		I-PAK	herunterladen				EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal		40 V	100A (Tc)	10V	1,98 mOhm bei 90 A, 10 V	3,9 V bei 100 µA	155 nC bei 10 V	±20V	5171 pF bei 25 V	-	163W (Tc)
IRG4BC40W-LPBF	2.0300	Anfrage	15	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA		Standard		160 W	TO-262	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1			480 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V												-	600 V	40 A	160 A	2,5 V bei 15 V, 20 A	110 µJ (ein), 230 µJ (aus)	98 nC	27ns/100ns
IRF7389PBF	1.0000	Anfrage	9724	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)	IRF738		MOSFET (Metalloxid)	2,5W	8-SO	-	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	0000.00.0000	1	N- und P-Kanal			30V	-		29 mOhm bei 5,8 A, 10 V	1 V bei 250 µA	33 nC bei 10 V		650pF bei 25V	Logikpegel-Gate
IRL3103PBF	1.0000	Anfrage	2105	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	0000.00.0000	1		N-Kanal		30 V	64A (Tc)	4,5 V, 10 V	12 mOhm bei 34 A, 10 V	1 V bei 250 µA	33 nC bei 4,5 V	±16V	1650 pF bei 25 V	-	94W (Tc)
AUIRLS3034	2.6100	Anfrage	4	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		D2PAK	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	0000.00.0000	1		N-Kanal		40 V	195A (Tc)	4,5 V, 10 V	1,7 mOhm bei 195 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	162 nC bei 4,5 V	±20V	10315 pF bei 25 V	-	375 W (Tc)
IRF1010ZPBF	0,9400	Anfrage	1	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen				EAR99	8542.39.0001	320		N-Kanal		55 V	75A (Tc)	10V	7,5 mOhm bei 75 A, 10 V	4 V bei 250 µA	95 nC bei 10 V	±20V	2840 pF bei 25 V	-	140 W (Tc)
AUIRGS4062D1	3.3900	Anfrage	450	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB	AUIRGS4062	Standard		246 W	D²PAK	herunterladen	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	0000.00.0000	1			400 V, 24 A, 10 Ohm, 15 V											102 ns	Graben	600 V	59 A	72 A	1,77 V bei 15 V, 24 A	532 µJ (ein), 311 µJ (aus)	77 nC	19ns/90ns
IRFB42N20DPBF	-	Anfrage	1785	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	0000.00.0000	1		N-Kanal		200 V	44A (Tc)	10V	55 mOhm bei 26 A, 10 V	5,5 V bei 250 µA	140 nC bei 10 V	±30V	3430 pF bei 25 V	-	2,4 W (Ta), 330 W (Tc)
IRL3714ZSPBF	1.0000	Anfrage	9621	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Rohr	Veraltet	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		D2PAK	-	ROHS3-konform			EAR99	8541.29.0095	50		N-Kanal		20 V	36A (Tc)	4,5 V, 10 V	16 mOhm bei 15 A, 10 V	2,55 V bei 250 µA	7,2 nC bei 4,5 V	±20V	550 pF bei 10 V	-	35W (Tc)
IRL7486MTRPBF	1.2100	Anfrage	4	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®, StrongIRFET™	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	DirectFET™ Isometrisches ME			MOSFET (Metalloxid)		DirectFET™ Isometrisches ME	herunterladen				EAR99	8542.39.0001	1		N-Kanal		40 V	209A (Tc)	4,5 V, 10 V	1,25 mOhm bei 123 A, 10 V	2,5 V bei 150 µA	111 nC bei 4,5 V	±20V	6904 pF bei 25 V	-	104W (Tc)
IRLL3303PBF	-	Anfrage	5319	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-261-4, TO-261AA			MOSFET (Metalloxid)		SOT-223	herunterladen	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	0000.00.0000	160		N-Kanal		30 V	4,6A (Ta)		31 mOhm bei 4,6 A, 10 V	1 V bei 250 µA	50 nC bei 10 V	±16V	840 pF bei 25 V	-	1W (Ta)
AUIRFB4410-IR	1.4500	Anfrage	1	Internationaler Gleichrichter	Automobil, AEC-Q101, HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		PG-TO220-3-904	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	0000.00.0000	1		N-Kanal		100 V	75A (Tc)	10V	10 mOhm bei 58 A, 10 V	4 V bei 1.037 mA	180 nC bei 10 V	±20V	5150 pF bei 50 V	-	200 W (Tc)
IRLR3636PBF	-	Anfrage	4351	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		D-Pak	herunterladen				EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal		60 V	50A (Tc)	4,5 V, 10 V	6,8 mOhm bei 50 A, 10 V	2,5 V bei 100 µA	49 nC bei 4,5 V	±16V	3779 pF bei 50 V	-	143W (Tc)
IRF7739L2TRPBF	1.0000	Anfrage	7657	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	DirectFET™ Isometrisches L8			MOSFET (Metalloxid)		DIRECTFET L8	herunterladen	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	0000.00.0000	246		N-Kanal		40 V	46A (Ta), 375A (Tc)	10V	1 mOhm bei 160 A, 10 V	4 V bei 250 µA	330 nC bei 10 V	±20V	11880 pF bei 25 V	-	3,8 W (Ta), 125 W (Tc)
IRF7834PBF	-	Anfrage	6385	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)			MOSFET (Metalloxid)		8-SO	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	0000.00.0000	1		N-Kanal		30 V	19A (Ta)		4,5 mOhm bei 19 A, 10 V	2,25 V bei 250 µA	44 nC bei 4,5 V	±20V	3710 pF bei 15 V	-	2,5 W (Ta)
IRG4PC50SDPBF	-	Anfrage	8710	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3		Standard		200 W	TO-247AD	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	0000.00.0000	1			480V, 41A, 5Ohm, 15V											50 ns	-	600 V	70 A	140 A	1,36 V bei 15 V, 41 A	720 µJ (ein), 8,27 mJ (aus)	280 nC	33ns/650ns
AUIRF6215	1.0000	Anfrage	5014	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen				EAR99	8541.29.0095	1		P-Kanal		150 V	13A (Tc)	10V	290 mOhm bei 6,6 A, 10 V	4 V bei 250 µA	66 nC bei 10 V	±20V	860 pF bei 25 V	-	110 W (Tc)
IRF7457PBF	0,5200	Anfrage	1338	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)			MOSFET (Metalloxid)		8-SO	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	0000.00.0000	435		N-Kanal		20 V	15A (Ta)	4,5 V, 10 V	7 mOhm bei 15 A, 10 V	3 V bei 250 µA	42 nC bei 4,5 V	±20V	3100 pF bei 10 V	-	2,5 W (Ta)
AUIRFSL8405	-	Anfrage	6271	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (Metalloxid)		TO-262	herunterladen				EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal		40 V	120A (Tc)	10V	2,3 mOhm bei 100 A, 10 V	3,9 V bei 100 µA	161 nC bei 10 V	±20V	5193 pF bei 25 V	-	163W (Tc)
AUIRFR48Z	-	Anfrage	2017	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		D-Pak	herunterladen				EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal		55 V	42A (Tc)	10V	11 mOhm bei 37 A, 10 V	4 V bei 50 µA	60 nC bei 10 V	±20V	1720 pF bei 25 V	-	91W (Tc)
AUIRLR024N	0,6000	Anfrage	11	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		D-Pak	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	0000.00.0000	1		N-Kanal		55 V	17A (Tc)	4V, 10V	65 mOhm bei 10 A, 10 V	2V bei 250µA	15 nC bei 5 V	±16V	480 pF bei 25 V	-	45W (Tc)
IRF40DM229	1.2100	Anfrage	9	Internationaler Gleichrichter	StrongIRFET™	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	DirectFET™ isometrischer MF			MOSFET (Metalloxid)		DirectFET™ isometrischer MF	herunterladen				EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal		40 V	159A (Tc)	6V, 10V	1,85 mOhm bei 97 A, 10 V	3,9 V bei 100 µA	161 nC bei 10 V	±20V	5317 pF bei 25 V	-	83W (Tc)
IRGP4062D-EPBF	-	Anfrage	6386	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3		Standard		250 W	TO-247AD	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	0000.00.0000	1			400 V, 24 A, 10 Ohm, 15 V											89 ns	Graben	600 V	48 A	72 A	1,95 V bei 15 V, 24 A	115 µJ (ein), 600 µJ (aus)	75 nC	41ns/104ns

2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Vorrätiges Lager

Transistoren(1222)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²