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Transistoren(1222)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Leistung – max	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	Andere Namen	ECCN	HTSUS	Standardpaket	Konfiguration	FET-Typ	Testbedingung	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)	Reverse Recovery Time (trr)	IGBT-Typ	Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (Max)	Strom – Kollektor gepulst (Icm)	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	Energie wechseln	Tor-Gebühr	Td (ein/aus) bei 25 °C
IRGP4263DPBF	4.7500	Anfrage	250	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-40°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3		Standard		325 W	TO-247AC	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	1			400 V, 48 A, 10 Ohm, 15 V											170 ns	-	650 V	90 A	192 A	2,1 V bei 15 V, 48 A	2,9 mJ (ein), 1,4 mJ (aus)	145 nC	70ns/140ns
IRF7769L2TRPBF	2.8600	Anfrage	291	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	DirectFET™ Isometrisches L8			MOSFET (Metalloxid)		DIRECTFET L8	herunterladen					EAR99	8542.39.0001	1		N-Kanal		100 V	375A (Tc)	10V	3,5 mOhm bei 74 A, 10 V	4 V bei 250 µA	300 nC bei 10 V	±20V	11560 pF bei 25 V	-	3,3 W (Ta), 125 W (Tc)
IRG4PSC71KDPBF	-	Anfrage	3383	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-274AA		Standard		350 W	SUPER-247™ (TO-274AA)	herunterladen					EAR99	8541.29.0095	1			480V, 60A, 5Ohm, 15V											82 ns	-	600 V	85 A	200 A	2,3 V bei 15 V, 60 A	3,95 mJ (ein), 2,33 mJ (aus)	340 nC	82ns/282ns
IRF8313TRPBF	-	Anfrage	9989	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)	IRF8313		MOSFET (Metalloxid)	2W	8-SO	herunterladen						0000.00.0000	1	2 N-Kanal (Dual)			30V	9,7A		15,5 mOhm bei 9,7 A, 10 V	2,35 V bei 25 µA	9 nC bei 4,5 V		760pF bei 15V	Logikpegel-Gate
IRF8788PBF	-	Anfrage	5001	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)			MOSFET (Metalloxid)		8-SO	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal		30 V	24A (Ta)	4,5 V, 10 V	2,8 mOhm bei 24 A, 10 V	2,35 V bei 100 µA	66 nC bei 4,5 V	±20V	5720 pF bei 15 V	-	2,5 W (Ta)
IRF7749L1TRPBF	-	Anfrage	3512	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	DirectFET™ Isometrisches L8			MOSFET (Metalloxid)		DirectFET™ Isometrisches L8	herunterladen					EAR99	8542.39.0001	1		N-Kanal		60 V	33A (Ta), 200A (Tc)	10V	1,5 mOhm bei 120 A, 10 V	4 V bei 250 µA	300 nC bei 10 V	±20V	12320 pF bei 25 V	-	3,3 W (Ta), 125 W (Tc)
IRGP4640D-EPBF	3.6200	Anfrage	43	Internationaler Gleichrichter	*	Schüttgut	Aktiv									herunterladen					EAR99	8542.39.0001	83
IRFSL7734PBF	1.4900	Anfrage	280	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®, StrongIRFET™	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA	IRFSL7734		MOSFET (Metalloxid)		TO-262	herunterladen					EAR99	8542.39.0001	1		N-Kanal		75 V	183A (Tc)	6V, 10V	3,5 mOhm bei 100 A, 10 V	3,7 V bei 250 µA	270 nC bei 10 V	±20V	10150 pF bei 25 V	-	290 W (Tc)
AUIRFS4410Z	1.9000	Anfrage	5	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB	IRFS4410		MOSFET (Metalloxid)		D2PAK	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1		N-Kanal		100 V	97A (Tc)	10V	9 mOhm bei 58 A, 10 V	4 V bei 150 µA	120 nC bei 10 V	±20V	4820 pF bei 50 V	-	230 W (Tc)
IRF7805PBF	-	Anfrage	6853	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)			MOSFET (Metalloxid)		8-SO	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1		N-Kanal		30 V	13A (Ta)		11 mOhm bei 7 A, 4,5 V	3 V bei 250 µA	31 nC bei 5 V	±12V		-	2,5 W (Ta)
IRF1405ZLPBF	-	Anfrage	7408	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Veraltet	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (Metalloxid)		TO-262	-				2156-IRF1405ZLPBF			1		N-Kanal		55 V	75A (Tc)	10V	4,9 mOhm bei 75 A, 10 V	4 V bei 250 µA	180 nC bei 10 V	±20V	4780 pF bei 25 V	-	230 W (Tc)
AUIRFR2905ZTRL	-	Anfrage	6366	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		D-Pak	herunterladen					EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal		55 V	42A (Tc)	10V	14,5 mOhm bei 36 A, 10 V	4 V bei 250 µA	44 nC bei 10 V	±20V	1380 pF bei 25 V	-	110 W (Tc)
IRF7469PBF	-	Anfrage	4796	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)			MOSFET (Metalloxid)		8-SO	-	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1		N-Kanal		40 V	9A (Ta)	4,5 V, 10 V	17 mOhm bei 9 A, 10 V	3 V bei 250 µA	23 nC bei 4,5 V	±20V	2000 pF bei 20 V	-	2,5 W (Ta)
AUIRFS4115TRL	-	Anfrage	2993	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		D2PAK	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	12		N-Kanal		150 V	99A (Tc)	10V	12,1 mOhm bei 62 A, 10 V	5 V bei 250 µA	120 nC bei 10 V	±20V	5270 pF bei 50 V	-	375 W (Tc)
IRL2203NSPBF	1.0000	Anfrage	9095	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		D2PAK	herunterladen					EAR99	8542.39.0001	1		N-Kanal		30 V	116A (Tc)	4,5 V, 10 V	7 mOhm bei 60 A, 10 V	3 V bei 250 µA	60 nC bei 4,5 V	±16V	3290 pF bei 25 V	-	3,8 W (Ta), 180 W (Tc)
AUIRF3205	-	Anfrage	8020	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen		Anbieter nicht definiert	REACH Unberührt	2156-AUIRF3205-600047			1		N-Kanal		55 V	75A (Tc)	10V	8 mOhm bei 62 A, 10 V	4 V bei 250 µA	146 nC bei 10 V	±20V	3247 pF bei 25 V	-	200 W (Tc)
AUIRFS3306TRL	-	Anfrage	3904	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB	AUIRFS3306		MOSFET (Metalloxid)		D2PAK	herunterladen					EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal		60 V	120A (Tc)	10V	4,2 mOhm bei 75 A, 10 V	4 V bei 150 µA	125 nC bei 10 V	±20V	4520 pF bei 50 V	-	230 W (Tc)
IRFR7540TRLPBF	-	Anfrage	6232	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®, StrongIRFET™	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63	IRFR7540		MOSFET (Metalloxid)		D-PAK (TO-252AA)	herunterladen	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	REACH betroffen		EAR99	0000.00.0000	1		N-Kanal		60 V	90A (Tc)	6V, 10V	4,8 mOhm bei 66 A, 10 V	3,7 V bei 100 µA	130 nC bei 10 V	±20V	4360 pF bei 25 V	-	140 W (Tc)
94-2354PBF	-	Anfrage	4160	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv		Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	-		Anbieter nicht definiert	REACH Unberührt	2156-94-2354PBF-600047			1		N-Kanal		55 V	110A (Tc)		8 mOhm bei 62 A, 10 V	4 V bei 250 µA	146 nC bei 10 V		3247 pF bei 25 V	-
IRF3717TRPBF	-	Anfrage	5381	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)			MOSFET (Metalloxid)		8-SO	-	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1		N-Kanal		20 V	20A (Ta)	4,5 V, 10 V	4,4 mOhm bei 20 A, 10 V	2,45 V bei 250 µA	33 nC bei 4,5 V	±20V	2890 pF bei 10 V	-	2,5 W (Ta)
AUIRFSL8407	1.0000	Anfrage	7931	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (Metalloxid)		TO-262	herunterladen					EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal		40 V	195A (Tc)	10V	2 mOhm bei 100 A, 10 V	4 V bei 150 µA	225 nC bei 10 V	±20V	7330 pF bei 25 V	-	230 W (Tc)
IRFR6215PBF	-	Anfrage	6477	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		D-Pak	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH betroffen		EAR99	0000.00.0000	1		P-Kanal		150 V	13A (Tc)	10V	295 mOhm bei 6,6 A, 10 V	4 V bei 250 µA	66 nC bei 10 V	±20V	860 pF bei 25 V	-	110 W (Tc)
IRFH5007TRPBF	-	Anfrage	6663	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerTDFN			MOSFET (Metalloxid)		8-PQFN (5x6)	herunterladen					EAR99	8542.39.0001	1		N-Kanal		75 V	17A (Ta), 100A (Tc)	10V	5,9 mOhm bei 50 A, 10 V	4 V bei 150 µA	98 nC bei 10 V	±20V	4290 pF bei 25 V	-	3,6 W (Ta), 156 W (Tc)
AUIRLR014N	-	Anfrage	4748	Internationaler Gleichrichter	Automobil, AEC-Q101, HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		TO-252AA	herunterladen	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1		N-Kanal		55 V	10A (Tc)		140 mOhm bei 6 A, 10 V	3 V bei 250 µA	7,9 nC bei 5 V	±16V	265 pF bei 25 V	-	28W (Tc)
IRFH7936TRPBF	0,3600	Anfrage	4	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerTDFN			MOSFET (Metalloxid)		8-PQFN (5x6)	herunterladen	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1		N-Kanal		30 V	20A (Ta), 54A (Tc)	4,5 V, 10 V	4,8 mOhm bei 20 A, 10 V	2,35 V bei 50 µA	26 nC bei 4,5 V	±20V	2360 pF bei 15 V	-	3,1 W (Ta)
IRG7PSH54K10DPBF	8.7600	Anfrage	8	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-40°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3		Standard		520 W	SUPER-247™ (TO-274AA)	herunterladen	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1			600 V, 50 A, 5 Ohm, 15 V											170 ns	-	1200 V	120 A	200 A	2,4 V bei 15 V, 50 A	4,8 mJ (ein), 2,8 mJ (aus)	435 nC	110 ns/490 ns
IRFR3411PBF	0,3200	Anfrage	6205	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Rohr	Veraltet	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		TO-252AA	herunterladen	ROHS3-konform			2156-IRFR3411PBF-IR	EAR99	8541.29.0095	3.000		N-Kanal		100 V	32A (Tc)		44 mOhm bei 16 A, 10 V	4 V bei 250 µA	71 nC bei 10 V	±20V	1960 pF bei 25 V	-	130 W (Tc)
IRF6725MTRPBF	-	Anfrage	2651	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-40°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	DirectFET™ Isometrischer MX			MOSFET (Metalloxid)		DIRECTFET™ MX	herunterladen	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1		N-Kanal		30 V	28A (Ta), 170A (Tc)	4,5 V, 10 V	2,2 mOhm bei 28 A, 10 V	2,35 V bei 100 µA	54 nC bei 4,5 V	±20V	4700 pF bei 15 V	-	2,8 W (Ta), 100 W (Tc)
IRG4BC30KDSTRRP-IR	-	Anfrage	5422	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB		Standard		100 W	D2PAK	herunterladen	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert				1			480V, 16A, 23Ohm, 15V											42 ns	-	600 V	28 A	56 A	2,7 V bei 15 V, 16 A	600 µJ (ein), 580 µJ (aus)	67 nC	60ns/160ns
AUIRFR2905Z	0,7900	Anfrage	4	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		D-Pak	herunterladen					EAR99	8541.29.0095	380		N-Kanal		55 V	42A (Tc)	10V	14,5 mOhm bei 36 A, 10 V	4 V bei 250 µA	44 nC bei 10 V	±20V	1380 pF bei 25 V	-	110 W (Tc)

2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
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Transistoren(1222)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²