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Transistoren(1222)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Leistung – max	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	Andere Namen	ECCN	HTSUS	Standardpaket	Konfiguration	FET-Typ	Testbedingung	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)	Reverse Recovery Time (trr)	IGBT-Typ	Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (Max)	Strom – Kollektor gepulst (Icm)	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	Energie wechseln	Tor-Gebühr	Td (ein/aus) bei 25 °C
IRF40H210	-	Anfrage	9970	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®, StrongIRFET™	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerVDFN			MOSFET (Metalloxid)		8-PQFN (5x6)	herunterladen					EAR99	8542.39.0001	1		N-Kanal		40 V	100A (Tc)	6V, 10V	1,7 mOhm bei 100 A, 10 V	3,7 V bei 150 µA	152 nC bei 10 V	±20V	5406 pF bei 25 V	-	125 W (Tc)
IRGS4B60KD1PBF	-	Anfrage	2030	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Veraltet	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB		Standard		63 W	D2PAK	-	Nicht RoHS-konform		Anbieter nicht definiert	2156-IRGS4B60KD1PBF-600047			1			400 V, 4 A, 100 Ohm, 15 V											93 ns	NVV	600 V	11 A	22 A	2,5 V bei 15 V, 4 A	73µJ (ein), 47µJ (aus)	12 nC	22ns/100ns
IRGP4078D-EPBF	2.8900	Anfrage	9	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3		Standard		278 W	TO-247AD	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1			400 V, 50 A, 10 Ohm, 15 V												Graben	600 V	74 A	150 A	2,2 V bei 15 V, 50 A	1,1 mJ (aus)	92 nC	-/116ns
IRF6662TRPBF	1.0900	Anfrage	3	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-40°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	DirectFET™ Isometrisches MZ			MOSFET (Metalloxid)		DIRECTFET™ MZ	herunterladen					EAR99	8542.39.0001	275		N-Kanal		100 V	8,3A (Ta), 47A (Tc)	10V	22 mOhm bei 8,2 A, 10 V	4,9 V bei 100 µA	31 nC bei 10 V	±20V	1360 pF bei 25 V	-	2,8 W (Ta), 89 W (Tc)
AUIRF1405ZL	1.6300	Anfrage	1	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (Metalloxid)		TO-262	herunterladen					EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal		55 V	150A (Tc)	10V	4,9 mOhm bei 75 A, 10 V	4 V bei 250 µA	180 nC bei 10 V	±20V	4780 pF bei 25 V	-	230 W (Tc)
IRFU3707ZPBF	-	Anfrage	6221	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA			MOSFET (Metalloxid)		IPAK (TO-251)	-	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1		N-Kanal		30 V	56A (Tc)	4,5 V, 10 V	9,5 mOhm bei 15 A, 10 V	2,25 V bei 25 µA	14 nC bei 4,5 V	±20V	1150 pF bei 15 V	-	50 W (Tc)
IRG7PH30K10DPBF	1.0000	Anfrage	4174	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3		Standard		180 W	TO-247AC	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1			600 V, 9 A, 22 Ohm, 15 V											140 ns	Graben	1200 V	30 A	27 A	2,35 V bei 15 V, 9 A	530µJ (ein), 380µJ (aus)	45 nC	14ns/110ns
IRG7PH42U-EP	3.4600	Anfrage	12	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3	IRG7PH42	Standard		385 W	TO-247AD	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	1			600 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V											153 ns	Graben	1200 V	90 A	90 A	2V bei 15V, 30A	2,11 mJ (ein), 1,18 mJ (aus)	157 nC	25ns/229ns
AUIRF4905	-	Anfrage	8761	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen					EAR99	8541.29.0095	1		P-Kanal		55 V	74A (Tc)	10V	20 mOhm bei 38 A, 10 V	4 V bei 250 µA	180 nC bei 10 V	±20V	3400 pF bei 25 V	-	200 W (Tc)
AUIRLR120N	1.0000	Anfrage	5093	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		D-PAK (TO-252AA)	herunterladen	Nicht anwendbar	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1		N-Kanal		100 V	10A (Tc)	4V, 10V	185 mOhm bei 6 A, 10 V	2V bei 250µA	20 nC bei 5 V	±16V	440 pF bei 25 V	-	48W (Tc)
IRF2907ZSPBF	1.0000	Anfrage	7565	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		D2PAK	-	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1		N-Kanal		75 V	160A (Tc)		4,5 mOhm bei 75 A, 10 V	4 V bei 250 µA	270 nC bei 10 V	±20V	7500 pF bei 25 V	-	300 W (Tc)
IRFS3006PBF	-	Anfrage	1153	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		D2PAK	-	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1		N-Kanal		60 V	195A (Tc)	10V	2,5 mOhm bei 170 A, 10 V	4 V bei 250 µA	300 nC bei 10 V	±20V	8970 pF bei 50 V	-	375 W (Tc)
IRG4PC40SPBF	1.0000	Anfrage	1975	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3		Standard		160 W	TO-247AC	herunterladen	ROHS3-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1			480V, 31A, 10Ohm, 15V												-	600 V	60 A	120 A	1,5 V bei 15 V, 31 A	450 µJ (ein), 6,5 mJ (aus)	100 nC	22ns/650ns
IRGP4630DPBF	1.0000	Anfrage	8266	Internationaler Gleichrichter	-	Rohr	Veraltet	-40°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3		Standard		206 W	TO-247AC	herunterladen	ROHS3-konform				EAR99	8541.29.0095	25			400V, 18A, 22Ohm, 15V											100 ns	-	600 V	47 A	54 A	1,95 V bei 15 V, 18 A	95 µJ (ein), 350 µJ (aus)	35 nC	40ns/105ns
IRLR7807ZPBF	-	Anfrage	4293	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		D-Pak	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1		N-Kanal		30 V	43A (Tc)	4,5 V, 10 V	13,8 mOhm bei 15 A, 10 V	2,25 V bei 250 µA	11 nC bei 4,5 V	±20V	780 pF bei 15 V	-	40 W (Tc)
AUIRFSL6535	1.5600	Anfrage	13	Internationaler Gleichrichter	Automobil, AEC-Q101, HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (Metalloxid)		PG-TO262-3-901	herunterladen					EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal		300 V	19A (Tc)	10V	185 mOhm bei 11 A, 10 V	5 V bei 150 µA	57 nC bei 10 V	±20V	2340 pF bei 25 V	-	210 W (Tc)
IRG4BC20UDSTRRP	1.5900	Anfrage	5	Internationaler Gleichrichter	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB		Standard		60 W	D2PAK	herunterladen	Nicht anwendbar	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8542.39.0001	1			480 V, 6,5 A, 50 Ohm, 15 V											37 ns	-	600 V	13 A	52 A	2,1 V bei 15 V, 6,5 A	160 µJ (ein), 130 µJ (aus)	27 nC	39ns/93ns
IRLU2905ZPBF	-	Anfrage	3101	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA			MOSFET (Metalloxid)		IPAK (TO-251)	herunterladen	Nicht anwendbar	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1		N-Kanal		55 V	42A (Tc)	4,5 V, 10 V	13,5 mOhm bei 36 A, 10 V	3 V bei 250 µA	35 nC bei 5 V	±16V	1570 pF bei 25 V	-	110 W (Tc)
IRG8P40N120KDEPB	4.6400	Anfrage	100	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv									herunterladen	Nicht anwendbar	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	0000.00.0000	1
AUIRFS8409TRL	-	Anfrage	3374	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		PG-TO263-3	herunterladen					EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal		40 V	195A (Tc)	10V	1,2 mOhm bei 100 A, 10 V	3,9 V bei 250 µA	450 nC bei 10 V	±20V	14240 pF bei 25 V	-	375 W (Tc)
AUIRL3705Z	0,9600	Anfrage	750	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Veraltet	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen					EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal		55 V	75A (Tc)	4,5 V, 10 V	8 mOhm bei 52 A, 10 V	3 V bei 250 µA	60 nC bei 5 V	±16V	2880 pF bei 25 V	-	130 W (Tc)
AUIRFP1405-203	2.0200	Anfrage	150	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Veraltet									herunterladen					EAR99	8541.29.0095	1					160A (Tc)
IRFH5053TRPBF	-	Anfrage	5845	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerVDFN			MOSFET (Metalloxid)		PQFN (5x6) Einzelchip	herunterladen						0000.00.0000	1		N-Kanal		100 V	9,3A (Ta), 46A (Tc)	10V	18 mOhm bei 9,3 A, 10 V	4,9 V bei 100 µA	36 nC bei 10 V	±20V	1510 pF bei 50 V	-	3,1 W (Ta), 8,3 W (Tc)
IRF8313PBF	-	Anfrage	9284	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Rohr	Veraltet	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)	IRF8313		MOSFET (Metalloxid)	2W (Ta)	8-SO	herunterladen	ROHS3-konform				EAR99	8541.29.0095	3.800	2 N-Kanal (Dual)			30V	9,7 A (Ta)		15,5 mOhm bei 9,7 A, 10 V	2,35 V bei 25 µA	9 nC bei 4,5 V		760pF bei 15V	-
AUIRLR2905TRL	-	Anfrage	3720	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		D-Pak	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	3.000		N-Kanal		55 V	42A (Tc)	4V, 10V	27 mOhm bei 25 A, 10 V	2V bei 250µA	48 nC bei 5 V	±16V	1700 pF bei 25 V	-	110 W (Tc)
IRG4PH40UPBF	-	Anfrage	5322	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3		Standard		160 W	TO-247AC	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1			960 V, 21 A, 10 Ohm, 15 V												-	1200 V	41 A	82 A	3,1 V bei 15 V, 21 A	1,04 mJ (ein), 3,4 mJ (aus)	130 nC	24ns/220ns
IRG7PH35UD1PBF	-	Anfrage	8404	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3		Standard		179 W	TO-247AC	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1			600 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V												Graben	1200 V	50 A	150 A	2,2 V bei 15 V, 20 A	620µJ (aus)	130 nC	-/160ns
IRFR3303TRPBF	-	Anfrage	7880	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		D-Pak	herunterladen	Nicht anwendbar	1 (Unbegrenzt)	REACH betroffen		EAR99	0000.00.0000	2.000		N-Kanal		30 V	33A (Tc)	10V	31 mOhm bei 18 A, 10 V	4 V bei 250 µA	29 nC bei 10 V	±20V	750 pF bei 25 V	-	57W (Tc)
AUIRLL024NTR-IR	0,6200	Anfrage	4	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-261-4, TO-261AA			MOSFET (Metalloxid)		SOT-223	herunterladen	Nicht anwendbar	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	2.500		N-Kanal		55 V	3,1A (Ta)	4V, 10V	65 mOhm bei 3,1 A, 10 V	2V bei 250µA	15,6 nC bei 5 V	±16V	510 pF bei 25 V	-	1W (Ta)
AUIRFZ34N	0,7500	Anfrage	13	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1		N-Kanal		55 V	29A (Tc)	10V	40 mOhm bei 16 A, 10 V	4 V bei 250 µA	34 nC bei 10 V	±20V	700 pF bei 25 V	-	68W (Tc)

2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lager vorrätig

Transistoren(1222)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²