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Transistoren(1222)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Leistung – max	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	Andere Namen	ECCN	HTSUS	Standardpaket	Konfiguration	FET-Typ	Testbedingung	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)	Reverse Recovery Time (trr)	IGBT-Typ	Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (Max)	Strom – Kollektor gepulst (Icm)	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	Energie wechseln	Tor-Gebühr	Td (ein/aus) bei 25 °C
AUIRLS3036	-	Anfrage	1491	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		PG-TO263-3	herunterladen					EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal		60 V	195A (Tc)	4,5 V, 10 V	2,4 mOhm bei 165 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	140 nC bei 4,5 V	±16V	11210 pF bei 50 V	-	380 W (Tc)
AUIRF1405ZSTRL	1.0000	Anfrage	6259	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		D2PAK	herunterladen					EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal		55 V	150A (Tc)	10V	4,9 mOhm bei 75 A, 10 V	4 V bei 250 µA	180 nC bei 10 V	±20V	4780 pF bei 25 V	-	230 W (Tc)
IRG4PC50UPBF	1.0000	Anfrage	1578	Internationaler Gleichrichter	-	Rohr	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3		Standard		200 W	TO-247AC	herunterladen	Nicht anwendbar	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1			480V, 27A, 5Ohm, 15V												-	600 V	55 A	220 A	2V bei 15V, 27A	120µJ (ein), 540µJ (aus)	180 nC	32ns/170ns
AUIRFS8409	2.4500	Anfrage	10	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		PG-TO263-3	herunterladen					EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal		40 V	195A (Tc)	10V	1,2 mOhm bei 100 A, 10 V	3,9 V bei 250 µA	450 nC bei 10 V	±20V	14240 pF bei 25 V	-	375 W (Tc)
AUIRG4BC30U-S	-	Anfrage	5319	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB	AUIRG4	Standard		100 W	D2PAK	herunterladen	Nicht anwendbar	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1			480V, 12A, 23Ohm, 15V												-	600 V	23 A	92 A	2,1 V bei 15 V, 12 A	160 µJ (ein), 200 µJ (aus)	75 nC	17ns/78ns
IRF343	1.4200	Anfrage	5900	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-204AA, TO-3			MOSFET (Metalloxid)		ZU-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	0000.00.0000	165		N-Kanal		350 V	8A (Tc)		800 mOhm bei 5 A, 10 V	4 V bei 250 µA	60 nC bei 10 V	±20V	1600 pF bei 25 V	-	125 W (Tc)
IRLL3303TRPBF	-	Anfrage	9125	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-261-4, TO-261AA			MOSFET (Metalloxid)		SOT-223	-	Nicht anwendbar	1 (Unbegrenzt)	REACH betroffen		EAR99	0000.00.0000	1		N-Kanal		30 V	4,6A (Ta)	4,5 V, 10 V	31 mOhm bei 4,6 A, 10 V	1 V bei 250 µA	50 nC bei 10 V	±16V	840 pF bei 25 V	-	1W (Ta)
IRF7452PBF	-	Anfrage	4111	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)			MOSFET (Metalloxid)		8-SO	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1		N-Kanal		100 V	4,5A (Ta)	10V	60 mOhm bei 2,7 A, 10 V	5,5 V bei 250 µA	50 nC bei 10 V	±30V	930 pF bei 25 V	-	2,5 W (Ta)
IRFHE4250DTRPBF	1.9300	Anfrage	9	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	32-PowerVFQFN	IRFHE4250		MOSFET (Metalloxid)	156 W (Tc)	32-PQFN (6x6)	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	3.000	2 N-Kanal (Dual)			25V	86A (Tc), 303A (Tc)		2,75 mOhm bei 27 A, 10 V, 900 µOhm bei 27 A, 10 V	2,1 V bei 35 µA, 2,1 V bei 100 µA	20 nC bei 4,5 V, 53 nC bei 4,5 V		1735 pF bei 13 V, 4765 pF bei 13 V	-
IRG4BC40KPBF	2.1200	Anfrage	11	Internationaler Gleichrichter	*	Schüttgut	Aktiv									herunterladen		Anbieter nicht definiert	REACH Unberührt	2156-IRG4BC40KPBF-600047			1
IRF6898MTRPBF	1.0000	Anfrage	2752	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-40°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	DirectFET™ Isometrischer MX			MOSFET (Metalloxid)		DirectFET™ Isometrischer MX	herunterladen	Nicht anwendbar	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1.009		N-Kanal		25 V	40A (Ta), 214A (Tc)		1,1 mOhm bei 40 A, 10 V	2,1 V bei 100 µA	68 nC bei 4,5 V	±16V	5630 pF bei 13 V	Schottky-Diode (Körper)	2,8 W (Ta), 78 W (Tc)
AUIRFSL8408	1.8100	Anfrage	1	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (Metalloxid)		TO-262	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1		N-Kanal		40 V	195A (Tc)		1,6 mOhm bei 100 A, 10 V	3,9 V bei 250 µA	324 nC bei 10 V		10820 pF bei 25 V	-	294W (Tc)
IRFH4257DTRPBF	0,9800	Anfrage	2	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-PowerVDFN	IRFH4257		MOSFET (Metalloxid)	25W, 28W	Dual-PQFN (5x4)	herunterladen	Nicht anwendbar	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1	2 N-Kanal (Dual)			25V	25A		3,4 mOhm bei 25 A, 10 V	2,1 V bei 35 µA	15 nC bei 4,5 V		1321pF bei 13V	Logikpegel-Gate
IRF7807VPBF	1.0000	Anfrage	2076	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)			MOSFET (Metalloxid)		8-SO	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1		N-Kanal		30 V	8,3A (Ta)	4,5V	25 mOhm bei 7 A, 4,5 V	3 V bei 250 µA	14 nC bei 5 V	±20V		-	2,5 W (Ta)
IRL7472L1TRPBF	1.0000	Anfrage	8378	Internationaler Gleichrichter	StrongIRFET™	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	DirectFET™ Isometrisches L8			MOSFET (Metalloxid)		DirectFET™ Isometrisches L8	-					EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal		40 V	375A (Tc)	4,5 V, 10 V	0,59 mOhm bei 195 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	330 nC bei 4,5 V	±20V	20082 pF bei 25 V	-	3,8 W (Ta), 341 W (Tc)
AUIRGSL30B60K-IR	-	Anfrage	1759	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA	AUIRGSL30	Standard		370 W	TO-262	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1			400 V, 30 A, 10 Ohm, 15 V												NVV	600 V	78 A	120 A	2,35 V bei 15 V, 30 A	350 µJ (ein), 825 µJ (aus)	153 nC	46ns/185ns
IRFS4115TRL7PP	2.0900	Anfrage	25	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-7, D²Pak (6 Leitungen + Tab), TO-263CB			MOSFET (Metalloxid)		D2PAK (7-Leiter)	herunterladen					EAR99	8542.39.0001	1		N-Kanal		150 V	105A (Tc)	10V	11,8 mOhm bei 63 A, 10 V	5 V bei 250 µA	110 nC bei 10 V	±20V	5320 pF bei 50 V	-	380 W (Tc)
IRFS59N10DTRLP	-	Anfrage	4464	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		PG-TO263-3-2	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1		N-Kanal		100 V	59A (Tc)		25 mOhm bei 35,4 A, 10 V	5,5 V bei 250 µA	114 nC bei 10 V	±30V	2450 pF bei 25 V	-	3,8 W (Ta), 200 W (Tc)
IRF530NSPBF	-	Anfrage	8799	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		D2PAK	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1		N-Kanal		100 V	17A (Tc)	10V	90 mOhm bei 9 A, 10 V	4 V bei 250 µA	37 nC bei 10 V	±20V	920 pF bei 25 V	-	3,8 W (Ta), 70 W (Tc)
IRF123	0,6300	Anfrage	738	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-204AA, TO-3			MOSFET (Metalloxid)		ZU-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform	3 (168 Stunden)	Anbieter nicht definiert		EAR99	0000.00.0000	1		N-Kanal		60 V	7A (Tc)	10V	400 mOhm bei 4 A, 10 V	4 V bei 250 µA	15 nC bei 10 V	±20V	600 pF bei 25 V	-	40 W (Tc)
AUIRF7303QTR	-	Anfrage	2577	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)	AUIRF7103		MOSFET (Metalloxid)	2,4 W	8-SO	herunterladen	Nicht anwendbar	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	4.000	2 N-Kanal (Dual)			30V	5,3A		50 mOhm bei 2,7 A, 10 V	3 V bei 100 µA	21 nC bei 10 V		515 pF bei 25 V	Logikpegel-Gate
IRFL024NPBF	-	Anfrage	7709	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-261-4, TO-261AA			MOSFET (Metalloxid)		SOT-223	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH betroffen		EAR99	0000.00.0000	1		N-Kanal		55 V	2,8A (Ta)	10V	75 mOhm bei 2,8 A, 10 V	4 V bei 250 µA	18,3 nC bei 10 V	±20V	400 pF bei 25 V	-	1W (Ta)
IRGR4045DPBF	0,8100	Anfrage	1	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63	IRGR4045	Standard		77 W	D-Pak	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1			400 V, 6 A, 47 Ohm, 15 V											74 ns	Graben	600 V	12 A	18 A	2V bei 15V, 6A	56µJ (ein), 122µJ (aus)	19,5 nC	27ns/75ns
IRF120CECC	-	Anfrage	6415	Internationaler Gleichrichter	*	Schüttgut	Aktiv				IRF120		-			-	Nicht anwendbar	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1												-
IRGP35B60PDPBF	-	Anfrage	9966	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3		Standard		308 W	TO-247AC	herunterladen	Nicht anwendbar	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1			390 V, 22 A, 3,3 Ohm, 15 V											42 ns	NVV	600 V	60 A	120 A	2,55 V bei 15 V, 35 A	220 µJ (ein), 215 µJ (aus)	240 nC	26ns/110ns
AUIRF2804L-313TRL	-	Anfrage	4459	Internationaler Gleichrichter	Automobil, AEC-Q101, HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (Metalloxid)		TO-262	-				2156-AUIRF2804L-313TRL			1		N-Kanal		40 V	195A (Tc)	10V	2,3 mOhm bei 75 A, 10 V	4 V bei 250 µA	240 nC bei 10 V	±20V	6450 pF bei 25 V	-	300 W (Tc)
IRFB5620PBF	-	Anfrage	8564	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen		Anbieter nicht definiert	REACH Unberührt	2156-IRFB5620PBF-600047			1		N-Kanal		200 V	25A (Tc)	10V	72,5 mOhm bei 15 A, 10 V	5 V bei 100 µA	38 nC bei 10 V	±20V	1710 pF bei 50 V	-	144 W (Tc)
IRF7470TRPBF	0,6800	Anfrage	1	Internationaler Gleichrichter	HEXFET®	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	8-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)			MOSFET (Metalloxid)		8-SO	herunterladen					EAR99	8542.39.0001	439		N-Kanal		40 V	10A (Ta)	2,8 V, 10 V	13 mOhm bei 10 A, 10 V	2V bei 250µA	44 nC bei 4,5 V	±12V	3430 pF bei 20 V	-	2,5 W (Ta)
AUIRGP50B60PD1E	6.2300	Anfrage	70	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3	AUIRGP50	Standard		390 W	TO-247AD	herunterladen	Nicht anwendbar	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1			390 V, 33 A, 3,3 Ohm, 15 V											42 ns	NVV	600 V	75 A	150 A	2,85 V bei 15 V, 50 A	255 µJ (ein), 375 µJ (aus)	205 nC	30ns/130ns
IRGR2B60KDTRRPBF	-	Anfrage	7153	Internationaler Gleichrichter	-	Schüttgut	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63		Standard		35 W	D-Pak	herunterladen					EAR99	8542.39.0001	1			400 V, 2 A, 100 Ohm, 15 V											68 ns	NVV	600 V	6,3 A	8 A	2,25 V bei 15 V, 2 A	74 µJ (ein), 39 µJ (aus)	12 nC	11ns/150ns

2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lager vorrätig

Transistoren(1222)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²