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Transistoren (27)

Produktnummer	Bestandteil (USD)	Menge	Menge Verfügbar	Mfr	Serie	Paket	Produktstatus	Biebstemperatur	Montagetyp	Paket / Herbst	Grundproduktnummer	Technologie	Kraft - Max	LEEFERANTENGERATEPAKET	Datenblatt	ROHS -STATUS	FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL)	Status Erreichen	Andere Namen	Eccn	Htsus	Standardpaket	FET -Typ	ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS)	Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C	Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS)	Rds on (max) @ id, vgs	Vgs (th) (max) @ id	Gate Ladung (qg) (max) @ vgs	VGS (max)	Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds	FET -Fungion	Leistungsdissipation (max)	Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max)	Strom - Sammler (IC) (max)	Strom - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0)	Spannung - Cutoff (VGS OFF) @ id	Strom - Sammler Cutoff (max)	Transistortyp	VCE -Sättigung (max) @ ib, ic	Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce	Frequenz - übergang	Ausflussbasis (R1)	Ausfluss - Emitterbasis (R2)	Strom Abfluss (ID) - Maximal
2SK3058-Z-E1-Az	1.7800	RFQ	1	NEC Corporation	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C.	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab		MOSFET (Metalloxid)		To-263, to-220Smd	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.29.0095	1.000	N-Kanal	60 v	55a	4 V, 10V	17mohm @ 28a, 10V	2V @ 1ma	45 nc @ 10 v	20V	2100 PF @ 10 V	- - -	1,5W
An1l3n	0,2600	RFQ	56	NEC Corporation	- - -	Schüttgut	Aktiv		K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)			250 MW	To-92	Herunterladen	Rohs Nick Konform	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.21.0095	1												50 v	100 ma			100NA (ICBO)	PNP - VoreInensmen	200 mv @ 250 ua, 5 mA	80 @ 50 Ma, 5V		4.7 Kohms	10 Kohms
2SC3731-ta	0,0900	RFQ	42	NEC Corporation	*	Schüttgut	Aktiv								- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.21.0075	1
NP82N055NUG-S18-AY	1.9800	RFQ	1	NEC Corporation	- - -	Rohr	Veraltet	175 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa		MOSFET (Metalloxid)		To-262	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50	N-Kanal	55 v	82a (TC)		6mohm @ 41a, 10V	4v @ 250 ähm	160 nc @ 10 v		9600 PF @ 25 V.	- - -	1,8W (TA), 143W (TC)
NP82N06NLG-S18-AY	2.0700	RFQ	4	NEC Corporation	- - -	Rohr	Veraltet	175 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa		MOSFET (Metalloxid)		To-262	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50	N-Kanal	60 v	82a (TC)		7.4mohm @ 41a, 10V	2,5 V @ 250 ähm	160 nc @ 10 v		8550 PF @ 25 V.	- - -	1,8W (TA), 143W (TC)
NP80N04NLG-S18-AY	1.8400	RFQ	750	NEC Corporation	- - -	Rohr	Veraltet	175 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa		MOSFET (Metalloxid)		To-262	Herunterladen	Nicht Anwendbar				Ear99	8541.29.0095	50	N-Kanal	40 v	80A (TC)		4,8 MOHM @ 40A, 10V	2,5 V @ 250 ähm	135 NC @ 10 V		6900 PF @ 25 V.	- - -	1,8W (TA), 115W (TC)
NP82N04ndg-s18-ay	2.1600	RFQ	1	NEC Corporation	Automobil, AEC-Q101	Rohr	Veraltet	175 ° C.	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa		MOSFET (Metalloxid)		3-ldpak	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50	N-Kanal	40 v	82a (TC)		4,2mohm @ 41a, 10V	2,5 V @ 250 ähm	150 NC @ 10 V.	± 20 V	9000 PF @ 25 V.	- - -	1,8W (TA), 143W (TC)
2SK3634-Z-Az	0,9100	RFQ	8	NEC Corporation	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C.	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63	2SK3634	MOSFET (Metalloxid)		To-252	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	1	N-Kanal	200 v	6a (TC)	10V	600mohm @ 3a, 10V	4,5 V @ 1ma	9 NC @ 10 V.	± 30 v	270 PF @ 10 V.	- - -	1W (TA), 20W (TC)
NP80N04ndg-S18-ay	1.8400	RFQ	1	NEC Corporation	Automobil, AEC-Q101	Rohr	Veraltet	175 ° C.	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa		MOSFET (Metalloxid)		To-262	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50	N-Kanal	40 v	80A (TC)		4,8 MOHM @ 40A, 10V	2,5 V @ 250 ähm	135 NC @ 10 V	± 20 V	6900 PF @ 25 V.	- - -	1,8W (TA), 115W (TC)
NP80N055MDG-S18-AY	1.7300	RFQ	6	NEC Corporation	- - -	Rohr	Veraltet	175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3		MOSFET (Metalloxid)		To-220	Herunterladen	Nicht Anwendbar				Ear99	8541.29.0095	50	N-Kanal	55 v	80A (TC)		6,9 MOHM @ 40A, 10V	2,5 V @ 250 ähm	135 NC @ 10 V		6900 PF @ 25 V.	- - -	1,8W (TA), 115W (TC)
NP82N055MUG-S18-AY	1.9800	RFQ	500	NEC Corporation	- - -	Rohr	Veraltet	175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3 Full Pack		MOSFET (Metalloxid)		To-220	Herunterladen	Nicht Anwendbar				Ear99	8541.29.0095	50	N-Kanal	55 v	82a (TC)		6mohm @ 41a, 10V	4v @ 250 ähm	160 nc @ 10 v		9600 PF @ 25 V.	- - -	1,8W (TA), 143W (TC)
2SA952-ta	- - -	RFQ	2823	NEC Corporation	- - -	Schüttgut	Veraltet								- - -	Rohs Nick Konform		Verkäfer undefiniert	2156-2SA952-TA-600049			1
2Sc945a-ta	1.0900	RFQ	6	NEC Corporation	*	Schüttgut	Aktiv								- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.21.0075	1
2SC1841-A	0,1200	RFQ	73	NEC Corporation	- - -	Schüttgut	Aktiv	125 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)			500 MW	To-92	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	0000.00.0000	1												120 v	50 ma			50na (ICBO)	Npn	300 mV @ 1ma, 10 mA	200 @ 1ma, 6v	110 MHz
2SK1482-T-Az	0,3800	RFQ	2	NEC Corporation	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C.	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)		MOSFET (Metalloxid)		To-92	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	8541.21.0095	1	N-Kanal	30 v	1,5a (ta)	4 V, 10V	400mohm @ 500 mA, 10 V.	2,5 V @ 1ma		± 20 V	230 PF @ 10 V.	- - -	750W (TA)
NP82N04MDG-S18-AY	2.3500	RFQ	4	NEC Corporation	- - -	Rohr	Veraltet	175 ° C (TJ)	K. Loch	To-220-3		MOSFET (Metalloxid)		To-220-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	900	N-Kanal	40 v	82a (TC)		4,2mohm @ 41a, 10V	2,5 V @ 250 ähm	150 NC @ 10 V.		9 PF @ 25 V.	- - -	1,8W (TA), 143W (TC)
NP82N04NLG-S18-AY	2.1600	RFQ	1	NEC Corporation	- - -	Rohr	Veraltet	175 ° C (TJ)	K. Loch	To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa		MOSFET (Metalloxid)		To-262	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM				Ear99	8541.29.0095	50	N-Kanal	40 v	82a (TC)		4,2mohm @ 41a, 10V	2,5 V @ 250 ähm	150 NC @ 10 V.		9 PF @ 25 V.	- - -	1,8W (TA), 143W (TC)
FS70UMJ-06F	3.0700	RFQ	288	NEC Corporation	- - -	Schüttgut	Aktiv	-55 ° C ~ 150 ° C.	K. Loch	To-220-3	FS70um	MOSFET (Metalloxid)		To-220	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	1	N-Kanal	60 v	70a (TC)	4 V, 10V	7mohm @ 36a, 10V	2V @ 1ma		± 20 V	8500 PF @ 10 V.	- - -	125W (TC)
2SK4028-T1-A	- - -	RFQ	6516	NEC Corporation	- - -	Schüttgut	Aktiv	125 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	SOT-723			100 w	3pxsof03	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.21.0095	3.000	N-Kanal	20 v							4pf @ 2v					90 µa @ 2 V	1 V @ 1 µA								10 ma
NP80N03MDE-S18-AY	2.0000	RFQ	700	NEC Corporation	- - -	Schüttgut	Aktiv	175 ° C.	K. Loch	To-220-3	NP80	MOSFET (Metalloxid)		MP-25K	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	1	N-Kanal	30 v	80A (TC)	4,5 V, 10 V.	7mohm @ 40a, 10V	2,5 V @ 250 ähm	72 NC @ 10 V	± 20 V	3900 PF @ 25 V.	- - -	1,8 W (TA), 120 W (TC)
2SA954-A	0,2400	RFQ	61	NEC Corporation	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	K. Loch	To-226-3, bis 92-3 (to-226aa)			600 MW	To-92-3	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	0000.00.0000	1												80 v	300 ma			100NA (ICBO)	PNP	600mv @ 30 mA, 300 mA	90 @ 50 Ma, 1V	100 MHz
NP32N055HLE-AZ	0,8900	RFQ	1	NEC Corporation	- - -	Schüttgut	Aktiv	175 ° C.	K. Loch	TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa	NP32	MOSFET (Metalloxid)		To-251 (MP-3)	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	1	N-Kanal	55 v	32a (ta)	4,5 V, 10 V.	24MOHM @ 16A, 10V	2,5 V @ 250 ähm	41 nc @ 10 v	± 20 V	2000 PF @ 25 V.	- - -	1,2 W (TA), 66 W (TC)
2SK4076-ZK-e1-ay	0,6100	RFQ	2	NEC Corporation	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C.	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63	2SK4076	MOSFET (Metalloxid)		TO-252 (MP-3ZK)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	2.500	N-Kanal	40 v	35a (TC)	4,5 V, 10 V.	16mohm @ 17.5a, 10V	2,5 V @ 1ma	24 nc @ 10 v	± 20 V	1200 PF @ 10 V	- - -	1W (TA), 26W (TC)
2SK4070-ZK-e2-ay	0,5500	RFQ	2	NEC Corporation	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C.	Oberflächenhalterung	To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63	2SK4070	MOSFET (Metalloxid)		TO-252 (MP-3ZK)	Herunterladen	ROHS3 -KONFORM	1 (unbegrenzt)	UnberÜHrt Ereichen		Ear99	0000.00.0000	2.500	N-Kanal	600 V	1a (TC)	10V	11OHM @ 500 mA, 10V	3,5 V @ 1ma	5 NC @ 10 V	± 30 v	110 PF @ 10 V.	- - -	1W (TA), 22W (TC)
UPA2718gr-e1-AT	- - -	RFQ	2601	NEC Corporation	*	Schüttgut	Veraltet								- - -	Rohs Nick Konform		Verkäfer undefiniert	2156-upa2718gr-e1-AT-600049			1
NP32N055SHE-E1-AZ	0,8900	RFQ	4	NEC Corporation	*	Schüttgut	Aktiv								- - -	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0075	2.500
2SJ606-ZK-e1-ay	2.8300	RFQ	800	NEC Corporation	- - -	Schüttgut	Aktiv	150 ° C (TJ)	Oberflächenhalterung	To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab		MOSFET (Metalloxid)		To-220Smd	Herunterladen	Nicht Anwendbar	1 (unbegrenzt)	Verkäfer undefiniert		Ear99	8541.29.0095	800	P-Kanal	60 v	83a	10V	15mohm @ 42a, 10V	2,5 V @ 1ma	120 nc @ 10 v	± 20 V	4800 PF @ 10 V.	- - -	120W

2000+
Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lagerhaus

Transistoren (27)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²