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Transistoren(27)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Technologie	Leistung – max	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	Andere Namen	ECCN	HTSUS	Standardpaket	FET-Typ	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)	Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (Max)	Strom – Entleerung (Idss) @ Vds (Vgs=0)	Spannung – Abschaltung (VGS aus) @ Id	Strom – Kollektorabschaltung (max.)	Transistortyp	Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	Häufigkeit – Übergang	Widerstand - Basis (R1)	Widerstand – Emitterbasis (R2)	Stromaufnahme (Id) – max
NP80N04NDG-S18-AY	1.8400	Anfrage	1	NEC Corporation	Automobil, AEC-Q101	Rohr	Veraltet	175°C	Durchgangsloch	TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA		MOSFET (Metalloxid)		TO-262	herunterladen	ROHS3-konform				EAR99	8541.29.0095	50	N-Kanal	40 V	80A (Tc)		4,8 mOhm bei 40 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	135 nC bei 10 V	±20V	6900 pF bei 25 V	-	1,8 W (Ta), 115 W (Tc)
2SC3731-TA	0,0900	Anfrage	42	NEC Corporation	*	Schüttgut	Aktiv								-	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.21.0075	1
NP82N04NDG-S18-AY	2.1600	Anfrage	1	NEC Corporation	Automobil, AEC-Q101	Rohr	Veraltet	175°C	Durchgangsloch	TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA		MOSFET (Metalloxid)		3-LDPAK	herunterladen	ROHS3-konform				EAR99	8541.29.0095	50	N-Kanal	40 V	82A (Tc)		4,2 mOhm bei 41 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	150 nC bei 10 V	±20V	9000 pF bei 25 V	-	1,8 W (Ta), 143 W (Tc)
NP82N06NLG-S18-AY	2.0700	Anfrage	4	NEC Corporation	-	Rohr	Veraltet	175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA		MOSFET (Metalloxid)		TO-262	herunterladen	ROHS3-konform				EAR99	8541.29.0095	50	N-Kanal	60 V	82A (Tc)		7,4 mOhm bei 41 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	160 nC bei 10 V		8550 pF bei 25 V	-	1,8 W (Ta), 143 W (Tc)
AN1L3N	0,2600	Anfrage	56	NEC Corporation	-	Schüttgut	Aktiv		Durchgangsloch	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			250 mW	TO-92	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.21.0095	1												50 V	100mA			100nA (ICBO)	PNP – Voreingestellt	200 mV bei 250 µA, 5 mA	80 bei 50 mA, 5 V		4,7 kOhm	10 kOhm
2SK3058-Z-E1-AZ	1.7800	Anfrage	1	NEC Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55 °C ~ 150 °C	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB		MOSFET (Metalloxid)		TO-263, TO-220SMD	herunterladen	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.29.0095	1.000	N-Kanal	60 V	55A	4V, 10V	17 mOhm bei 28 A, 10 V	2V bei 1mA	45 nC bei 10 V	20V	2100 pF bei 10 V	-	1,5 W
NP80N055MDG-S18-AY	1.7300	Anfrage	6	NEC Corporation	-	Rohr	Veraltet	175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3		MOSFET (Metalloxid)		TO-220	herunterladen	Nicht zutreffend				EAR99	8541.29.0095	50	N-Kanal	55 V	80A (Tc)		6,9 mOhm bei 40 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	135 nC bei 10 V		6900 pF bei 25 V	-	1,8 W (Ta), 115 W (Tc)
2SK3634-Z-AZ	0,9100	Anfrage	8	NEC Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	150°C	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63	2SK3634	MOSFET (Metalloxid)		TO-252	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1	N-Kanal	200 V	6A (Tc)	10V	600 mOhm bei 3 A, 10 V	4,5 V bei 1 mA	9 nC bei 10 V	±30V	270 pF bei 10 V	-	1W (Ta), 20W (Tc)
NP80N04NLG-S18-AY	1.8400	Anfrage	750	NEC Corporation	-	Rohr	Veraltet	175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA		MOSFET (Metalloxid)		TO-262	herunterladen	Nicht zutreffend				EAR99	8541.29.0095	50	N-Kanal	40 V	80A (Tc)		4,8 mOhm bei 40 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	135 nC bei 10 V		6900 pF bei 25 V	-	1,8 W (Ta), 115 W (Tc)
NP82N055NUG-S18-AY	1.9800	Anfrage	1	NEC Corporation	-	Rohr	Veraltet	175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA		MOSFET (Metalloxid)		TO-262	herunterladen	ROHS3-konform				EAR99	8541.29.0095	50	N-Kanal	55 V	82A (Tc)		6 mOhm bei 41 A, 10 V	4 V bei 250 µA	160 nC bei 10 V		9600 pF bei 25 V	-	1,8 W (Ta), 143 W (Tc)
NP82N04MDG-S18-AY	2.3500	Anfrage	4	NEC Corporation	-	Rohr	Veraltet	175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3		MOSFET (Metalloxid)		TO-220-3	herunterladen	ROHS3-konform				EAR99	8541.29.0095	900	N-Kanal	40 V	82A (Tc)		4,2 mOhm bei 41 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	150 nC bei 10 V		9 pF bei 25 V	-	1,8 W (Ta), 143 W (Tc)
2SK1482-T-AZ	0,3800	Anfrage	2	NEC Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	150°C	Durchgangsloch	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)		MOSFET (Metalloxid)		TO-92	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.21.0095	1	N-Kanal	30 V	1,5A (Ta)	4V, 10V	400 mOhm bei 500 mA, 10 V	2,5 V bei 1 mA		±20V	230 pF bei 10 V	-	750 W (Ta)
NP82N055MUG-S18-AY	1.9800	Anfrage	500	NEC Corporation	-	Rohr	Veraltet	175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3 Komplettpaket		MOSFET (Metalloxid)		TO-220	herunterladen	Nicht zutreffend				EAR99	8541.29.0095	50	N-Kanal	55 V	82A (Tc)		6 mOhm bei 41 A, 10 V	4 V bei 250 µA	160 nC bei 10 V		9600 pF bei 25 V	-	1,8 W (Ta), 143 W (Tc)
NP82N04NLG-S18-AY	2.1600	Anfrage	1	NEC Corporation	-	Rohr	Veraltet	175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA		MOSFET (Metalloxid)		TO-262	herunterladen	ROHS3-konform				EAR99	8541.29.0095	50	N-Kanal	40 V	82A (Tc)		4,2 mOhm bei 41 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	150 nC bei 10 V		9 pF bei 25 V	-	1,8 W (Ta), 143 W (Tc)
2SK4028-T1-A	-	Anfrage	6516	NEC Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	125°C (TJ)	Oberflächenmontage	SOT-723			100 W	3pXSOF03	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.21.0095	3.000	N-Kanal	20 V							4pF bei 2V					90 µA bei 2 V	1 V bei 1 µA								10mA
2SC1841-A	0,1200	Anfrage	73	NEC Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	125°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			500 mW	TO-92	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	0000.00.0000	1												120 V	50mA			50nA (ICBO)	NPN	300 mV bei 1 mA, 10 mA	200 bei 1 mA, 6 V	110 MHz
2SC945A-TA	1.0900	Anfrage	6	NEC Corporation	*	Schüttgut	Aktiv								-	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.21.0075	1
FS70UMJ-06F	3.0700	Anfrage	288	NEC Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55 °C ~ 150 °C	Durchgangsloch	TO-220-3	FS70UM	MOSFET (Metalloxid)		TO-220	herunterladen	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1	N-Kanal	60 V	70A (Tc)	4V, 10V	7 mOhm bei 36 A, 10 V	2V bei 1mA		±20V	8500 pF bei 10 V	-	125 W (Tc)
2SA952-TA	-	Anfrage	2823	NEC Corporation	-	Schüttgut	Veraltet								-	Nicht RoHS-konform		Anbieter nicht definiert	2156-2SA952-TA-600049			1
2SA954-A	0,2400	Anfrage	61	NEC Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)			600 mW	TO-92-3	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	0000.00.0000	1												80 V	300mA			100nA (ICBO)	PNP	600 mV bei 30 mA, 300 mA	90 bei 50 mA, 1 V	100 MHz
NP32N055HLE-AZ	0,8900	Anfrage	1	NEC Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	175°C	Durchgangsloch	TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA	NP32	MOSFET (Metalloxid)		TO-251 (MP-3)	herunterladen	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1	N-Kanal	55 V	32A (Ta)	4,5 V, 10 V	24 mOhm bei 16 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	41 nC bei 10 V	±20V	2000 pF bei 25 V	-	1,2 W (Ta), 66 W (Tc)
2SK4076-ZK-E1-AY	0,6100	Anfrage	2	NEC Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	150°C	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63	2SK4076	MOSFET (Metalloxid)		TO-252 (MP-3ZK)	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	2.500	N-Kanal	40 V	35A (Tc)	4,5 V, 10 V	16 mOhm bei 17,5 A, 10 V	2,5 V bei 1 mA	24 nC bei 10 V	±20V	1200 pF bei 10 V	-	1W (Ta), 26W (Tc)
2SK4070-ZK-E2-AY	0,5500	Anfrage	2	NEC Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	150°C	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63	2SK4070	MOSFET (Metalloxid)		TO-252 (MP-3ZK)	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	2.500	N-Kanal	600 V	1A (Tc)	10V	11 Ohm bei 500 mA, 10 V	3,5 V bei 1 mA	5 nC bei 10 V	±30V	110 pF bei 10 V	-	1W (Ta), 22W (Tc)
NP32N055SHE-E1-AZ	0,8900	Anfrage	4	NEC Corporation	*	Schüttgut	Aktiv								-	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0075	2.500
2SJ606-ZK-E1-AY	2.8300	Anfrage	800	NEC Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB		MOSFET (Metalloxid)		TO-220SMD	herunterladen	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	800	P-Kanal	60 V	83A	10V	15 mOhm bei 42 A, 10 V	2,5 V bei 1 mA	120 nC bei 10 V	±20V	4800 pF bei 10 V	-	120W
UPA2718GR-E1-AT	-	Anfrage	2601	NEC Corporation	*	Schüttgut	Veraltet								-	Nicht RoHS-konform		Anbieter nicht definiert	2156-UPA2718GR-E1-AT-600049			1
NP80N03MDE-S18-AY	2.0000	Anfrage	700	NEC Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	175°C	Durchgangsloch	TO-220-3	NP80	MOSFET (Metalloxid)		MP-25K	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1	N-Kanal	30 V	80A (Tc)	4,5 V, 10 V	7 mOhm bei 40 A, 10 V	2,5 V bei 250 µA	72 nC bei 10 V	±20V	3900 pF bei 25 V	-	1,8 W (Ta), 120 W (Tc)

2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Vorrätiges Lager

Transistoren(27)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²