SIC
close

Transistoren (836)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration Spannung - Ausgang FET -Typ Testedingung Stromspannung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Reverse Recovery Time (TRR) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang Spannung - Offset (VT) Strom - Tor zu Anodenleckage (Igao) Strom - tal (iv) Strom - Peak
IRF632 Harris Corporation IRF632 1.4100
RFQ
 ECAD 21 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 200 v 8a (TC) 10V 600mohm @ 5a, 10V 4v @ 250 ähm 30 NC @ 10 V ± 20 V 600 PF @ 25 V. - - - 75W (TC)
HGTD6N40E1S Harris Corporation Hgtd6n40e1s - - -
RFQ
 ECAD 7291 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Standard 60 w To-252-3 (dpak) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 - - - - - - 400 V 7.5 a 2,5 V @ 10V, 3a - - - 6.9 NC - - -
TIP127 Harris Corporation TIP127 1.0000
RFQ
 ECAD 6542 0.00000000 Harris Corporation - - - Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 2 w To-220ab - - - ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 50 100 v 5 a 500 ähm PNP - Darlington 4v @ 20 mA, 5a 1000 @ 3a, 3v - - -
HGT1S20N60C3R Harris Corporation HGT1S20N60C3R 1,8000
RFQ
 ECAD 580 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa Standard 164 w I2pak (to-262) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 - - - - - - 600 V 40 a 80 a 2,2 V @ 15V, 20a - - - 116 NC - - -
HGT1S7N60B3D Harris Corporation HGT1S7N60B3D 1.1700
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa Standard 60 w I2pak (to-262) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 480 V, 7a, 50 Ohm, 15 V 21 ns - - - 600 V 14 a 56 a 2,1 V @ 15V, 7a 160 µJ (EIN), 120 µJ (AUS) 30 NC 26ns/130ns
IRF623 Harris Corporation IRF623 0,3300
RFQ
 ECAD 1757 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 737 N-Kanal 150 v 4a (TC) 10V 1,2OHM @ 2,5a, 10 V. 4v @ 250 ähm 15 NC @ 10 V ± 20 V 450 PF @ 25 V. - - - 40W (TC)
IRFD323 Harris Corporation IRFD323 1.4000
RFQ
 ECAD 982 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) MOSFET (Metalloxid) 4-Dip, Hexdip Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 350 V 400 mA (TC) 10V 2,5 Ohm @ 250 mA, 10 V 4v @ 250 ähm 15 NC @ 10 V ± 20 V 455 PF @ 25 V. - - - 1W (TC)
HGTH20N40C1D Harris Corporation HGTH20N40C1D - - -
RFQ
 ECAD 5970 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-218-3 isolierte Tab, to-218ac Standard 100 w To-218 isolier Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 74 - - - - - - 400 V 20 a 35 a 3,2 V @ 20V, 35a - - - 33 NC - - -
SK3991 Harris Corporation SK3991 6.1400
RFQ
 ECAD 986 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv - - - K. Loch To-206af, bis 72-4 Metall Kann SK399 MOSFET (Metalloxid) 360 MW To-72 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0095 1 2 n-kanal (dual) 25 v 30 ma - - - - - - - - - - - - - - -
BD240A Harris Corporation BD240A - - -
RFQ
 ECAD 3864 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 30 w To-220 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 253 60 v 2 a 300 µA PNP 700mv @ 200 Ma, 1a 40 @ 200 Ma, 4V - - -
2N1613 Harris Corporation 2N1613 20.3500
RFQ
 ECAD 91 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Veraltet -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 2n16 800 MW To-39 (bis 205ad) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0095 16 30 v 500 mA 10NA (ICBO) Npn 1,5 V @ 15ma, 150 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
RFP2N08 Harris Corporation RFP2N08 0,2700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1,110 N-Kanal 80 v 2a (TC) 10V 1,05OHM @ 2a, 5V 4v @ 250 ähm ± 20 V 200 PF @ 25 V. - - - 25W (TC)
2N6264 Harris Corporation 2N6264 - - -
RFQ
 ECAD 3078 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1
IGTM10N40A Harris Corporation IGTM10N40A 1.6100
RFQ
 ECAD 200 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv - - - K. Loch To-204aa Standard To-3 Herunterladen Nicht Anwendbar 3 (168 Stunden) Verkäfer undefiniert Ear99 8542.39.0001 200 - - - - - - 400 V 10 a - - - - - - - - -
RFP45N03L Harris Corporation RFP45N03L 0,6700
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 30 v 45a (TC) 5v 22mohm @ 45a, 5V 2v @ 250 ähm 60 nc @ 10 v ± 10 V 1650 PF @ 25 V. - - - 90W (TC)
HGT1S7N60B3 Harris Corporation HGT1S7N60B3 0,9800
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa Standard 60 w I2pak (to-262) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 480 V, 7a, 50 Ohm, 15 V - - - 600 V 14 a 56 a 2,1 V @ 15V, 7a 160 µJ (EIN), 120 µJ (AUS) 30 NC 26ns/130ns
IRF631 Harris Corporation IRF631 0,7900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 381 N-Kanal 150 v 9a (TC) 10V 400mohm @ 5a, 10V 4v @ 250 ähm 30 NC @ 10 V ± 20 V 600 PF @ 25 V. - - - 75W (TC)
GES6028 Harris Corporation GES6028 0,2200
RFQ
 ECAD 8163 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv To-226-3, bis 92-3 (to-226aa) Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8542.39.0001 1.000 6v 1,5 v 300 MW 1,6 v 10 Na 25 µA 150 na
HGTD8P50GIS Harris Corporation HGTD8P50GIS - - -
RFQ
 ECAD 6829 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv - - - 0000.00.0000 1
BFT28C Harris Corporation BFT28C - - -
RFQ
 ECAD 3340 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 5 w To-39 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 324 250 V 1 a 5 µA (ICBO) PNP 5v @ 1ma, 10 mA 20 @ 10 ma, 10V
D44D2 Harris Corporation D44D2 - - -
RFQ
 ECAD 2720 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 2.1 w To-220 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 110 40 v 6 a 10 µA NPN - Darlington 1,5 V @ 5ma, 5a 2000 @ 1a, 2v - - -
RFP15N06 Harris Corporation RFP15N06 0,4400
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 60 v 15a (TC) 10V 140 MOHM @ 7,5A, 10V 4v @ 1ma ± 20 V 850 PF @ 25 V. - - - 90W (TC)
2N6292 Harris Corporation 2N6292 0,3800
RFQ
 ECAD 850 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 40 w To-220-3 - - - 2156-2N6292 850 70 V 7 a 1ma Npn 3,5 V @ 3a, 7a 30 @ 2a, 4V 4MHz
IRFU420 Harris Corporation IRFU420 - - -
RFQ
 ECAD 8809 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MOSFET (Metalloxid) To-251aa Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 395 N-Kanal 500 V 2.4a (TC) 3OHM @ 1,4a, 10V 4v @ 250 ähm 19 NC @ 10 V ± 20 V 360 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 42 W (TC)
BFT19A Harris Corporation BFT19A - - -
RFQ
 ECAD 7831 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1 w To-205ad Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 300 V 1 a 100 µA (ICBO) PNP 2,5 V @ 3ma, 30 mA 25 @ 5ma, 10V - - -
IRFP440 Harris Corporation IRFP440 2.9700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 MOSFET (Metalloxid) To-247ac Herunterladen Rohs Nick Konform Ear99 8541.29.0095 500 N-Kanal 500 V 8.8a (TC) 10V 850MOHM @ 5.3A, 10V 4v @ 250 ähm 63 NC @ 10 V ± 20 V 1300 PF @ 25 V. - - - 150W (TC)
RFP4N05 Harris Corporation RFP4N05 0,5700
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 50 v 4a (TC) 10V 800mohm @ 4a, 10V 4v @ 250 ähm ± 20 V 200 PF @ 25 V. - - - 25W (TC)
IRF613 Harris Corporation IRF613 0,3300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 150 v 2.6a (TC) 10V 2,4OHM @ 1,6a, 10V 4v @ 250 ähm 8.2 NC @ 10 V ± 20 V 135 PF @ 25 V. - - - 43W (TC)
BUZ60BU Harris Corporation Buz60bu 9.8400
RFQ
 ECAD 200 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv Buz60 - - - - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert 0000.00.0000 1 - - -
HFA3128B Harris Corporation HFA3128B 4.9200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv Herunterladen Verkäfer undefiniert Reichweiite Betroffen 2156-HFA3128B-600026 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

RFQ -Liste (0 Elemente)
Wagenliste (0 Elemente)
WishlistWunschliste (0 Elemente)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

Menge: 1

Vergleichen Sie die Liste (0 Elemente)
Drücken Sie die Eingabetaste, um zu suchen oder ESC zu schließen