SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket FET -Typ Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
RF1S23N06LE Harris Corporation RF1S23N06LE 0,7100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) I2pak (to-262) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 0000.00.0000 1 N-Kanal 60 v 23a (TC) 5v 65mohm @ 23a, 5V 2v @ 250 ähm 48 nc @ 10 v ± 10 V 850 PF @ 25 V. - - - 75W (TC)
IRFU421 Harris Corporation IRFU421 0,4000
RFQ
ECAD 900 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 450 V 2,5a (TC) 10V 3OHM @ 1,3a, 10V 4v @ 250 ähm 19 NC @ 10 V ± 20 V 350 PF @ 25 V. - - - 50W (TC)
RFP4N40 Harris Corporation RFP4N40 0,5500
RFQ
ECAD 546 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 546 N-Kanal 400 V 4a (TC) 10V 2OHM @ 2a, 10V 4v @ 1ma ± 20 V 750 PF @ 25 V. - - - 60 W (TC)
IRF640S2497 Harris Corporation IRF640S2497 - - -
RFQ
ECAD 2298 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv IRF640 - - - - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert 1 - - -
RFP50N06R4034 Harris Corporation RFP50N06R4034 0,6100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv RFP50 - - - - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8542.39.0001 1 - - -
2N6500 Harris Corporation 2N6500 29.4000
RFQ
ECAD 60 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv - - - K. Loch To-213aa, to-66-2 20 w To-66 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.30.0080 12 110 v 4 a - - - Npn - - - 15 @ 3a, 2v 60 MHz
CA3096CM96 Harris Corporation CA3096CM96 0,9000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv CA3096 Herunterladen Verkäfer undefiniert Reichweiite Betroffen 2156-CA3096CM96-600026 1
GSI510 Harris Corporation GSI510 - - -
RFQ
ECAD 5045 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv - - - 0000.00.0000 100
RFP2N12 Harris Corporation RFP2N12 0,4600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 120 v 2a (TC) 10V 1,75OHM @ 2a, 10V 4v @ 250 ähm ± 20 V 200 PF @ 25 V. - - - 25W (TC)
IRFU220S2497 Harris Corporation IRFU220S2497 0,4400
RFQ
ECAD 900 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv IRFU220 - - - - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8542.39.0001 1 - - -
IRFD210 Harris Corporation IRFD210 0,9100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch 4-DIP (0,300 ", 7,62 mm) IRFD210 MOSFET (Metalloxid) 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 1 N-Kanal 200 v 600 mA (TA) 10V 1,5OHM @ 360 mA, 10 V. 4v @ 250 ähm 8.2 NC @ 10 V ± 20 V 140 PF @ 25 V. - - - 1W (TA)
RFM10N45 Harris Corporation RFM10N45 - - -
RFQ
ECAD 2712 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 MOSFET (Metalloxid) To-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 50 N-Kanal 450 V 10a (TC) 10V 600mohm @ 5a, 10V 4v @ 1ma ± 20 V 3000 PF @ 25 V. - - - 150W (TC)
IRF341 Harris Corporation IRF341 1.4400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 MOSFET (Metalloxid) To-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 350 V 10a (TC) 10V 550MOHM @ 5.2a, 10V 4v @ 250 ähm 63 NC @ 10 V ± 20 V 1250 PF @ 25 V. - - - 125W (TC)
IRFR421 Harris Corporation IRFR421 0,4100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 450 V 2,5a (TC) 10V 3OHM @ 1,3a, 10V 4v @ 250 ähm 19 NC @ 10 V ± 20 V 350 PF @ 25 V. - - - 50W (TC)
IRF9620 Harris Corporation IRF9620 - - -
RFQ
ECAD 6432 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 IRF9620 MOSFET (Metalloxid) To-220ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 0000.00.0000 1 P-Kanal 200 v 3,5a (TC) 10V 1,5OHM @ 1,5A, 10 V. 4v @ 250 ähm 22 NC @ 10 V. ± 20 V 350 PF @ 25 V. - - - 40W (TC)
HGT1S15N120C3 Harris Corporation HGT1S15N120C3 3.7100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa Standard 164 w I2pak (to-262) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 - - - - - - 1200 V 35 a 120 a 3,5 V @ 15V, 15a - - - 100 nc - - -
2N1482 Harris Corporation 2N1482 - - -
RFQ
ECAD 5206 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Veraltet -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 1 w To-5aa Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 55 v 1,5 a 5 µA (ICBO) Npn 750 MV @ 10ma, 200 mA 35 @ 200 Ma, 4V
RFP12N18 Harris Corporation RFP12N18 1.0600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 180 v 12a (TC) 10V 250 Mohm @ 12a, 10V 4v @ 250 ähm ± 20 V 1700 PF @ 25 V. - - - 75W (TC)
HUF75307D3 Harris Corporation HUF75307D3 0,4700
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Harris Corporation Ultrafet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen Rohs Nick Konform Ear99 8541.29.0095 1.800 N-Kanal 55 v 15a (TC) 10V 90 MOHM @ 15a, 10V 4v @ 250 ähm 20 NC @ 20 V ± 20 V 250 PF @ 25 V. - - - 45W (TC)
IRF351 Harris Corporation IRF351 2.0000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 MOSFET (Metalloxid) To-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 350 V 15a (TC) 10V 300mohm @ 8a, 10V 4v @ 250 ähm 120 nc @ 10 v ± 20 V 2000 PF @ 25 V. - - - 150W (TC)
HGTG20N60B3 Harris Corporation HGTG20N60B3 3.3100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Harris Corporation - - - Rohr Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 Standard 165 w To-247 Herunterladen Rohs Nick Konform Ear99 8541.29.0095 450 480 V, 20a, 10ohm, 15 V. - - - 600 V 40 a 160 a 2v @ 15V, 20a 475 µj (EIN), 1.05mj (AUS) 80 nc - - -
2N1893 Harris Corporation 2n1893 28.1500
RFQ
ECAD 836 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 2n18 800 MW To-5 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0095 12 80 v 500 mA 10NA (ICBO) Npn 5v @ 15a, 150a - - - - - -
IRF223 Harris Corporation IRF223 1.0000
RFQ
ECAD 6012 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 MOSFET (Metalloxid) To-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 150 v 4a (TC) 10V 1,2OHM @ 2,5a, 10 V. 4v @ 250 ähm 15 NC @ 10 V ± 20 V 450 PF @ 25 V. - - - 40W (TC)
IRF831 Harris Corporation IRF831 1.3000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 450 V 4,5a (TC) 10V 1,5OHM @ 2,5a, 10 V. 4v @ 250 ähm 32 NC @ 10 V ± 20 V 600 PF @ 25 V. - - - 75W (TC)
RFP15N08L Harris Corporation RFP15N08L 0,5700
RFQ
ECAD 49 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 80 v 15a (TC) 5v 140 MOHM @ 7,5A, 5V 2,5 V @ 1ma 80 nc @ 10 v ± 10 V - - - 72W (TC)
D44VM10 Harris Corporation D44VM10 0,8200
RFQ
ECAD 750 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 50 w To-220ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0075 1 80 v 8 a 10 µA Npn 600mv @ 300 mA, 6a 40 @ 4a, 1V 50 MHz
D45D5 Harris Corporation D45D5 - - -
RFQ
ECAD 3022 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 2.1 w To-220 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 37 80 v 6 a 10 µA PNP - Darlington 1,5 V @ 3ma, 3a 2000 @ 1a, 2v - - -
IRFR221 Harris Corporation IRFR221 0,4400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 MOSFET (Metalloxid) To-252, (d-pak) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 150 v 4.6a (TC) 10V 800mohm @ 2.4a, 10V 4v @ 250 ähm 18 NC @ 10 V. ± 20 V 330 PF @ 25 V. - - - 50W (TC)
IRFF9132 Harris Corporation Irff9132 0,9900
RFQ
ECAD 1666 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-205AF Metalldose MOSFET (Metalloxid) To-205AF (bis 39) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 19 P-Kanal 100 v 5.5a (TC) 10V 400mohm @ 3a, 10V 4v @ 250 ähm 45 nc @ 10 v ± 20 V 500 PF @ 25 V. - - - 25W (TC)
HGTD10N50F1 Harris Corporation HGTD10N50F1 1.6700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa Standard 75 w I-Pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 - - - - - - 500 V 12 a 2,5 V @ 10V, 5a - - - 13.4 NC - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus