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Transistoren(836)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Leistung – max	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	ECCN	HTSUS	Standardpaket	FET-Typ	Testbedingung	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)	Reverse Recovery Time (trr)	IGBT-Typ	Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (Max)	Strom – Kollektor gepulst (Icm)	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	Energie wechseln	Tor-Gebühr	Td (ein/aus) bei 25 °C	Strom – Kollektorabschaltung (max.)	Transistortyp	Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	Häufigkeit – Übergang
RCA1A18	0,6400	Anfrage	627	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									-	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert			1
HGTD3N60C3S	1.0000	Anfrage	5130	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-40°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63		Standard		33 W	TO-252, (D-Pak)	herunterladen				EAR99	8542.39.0001	1		-												-	600 V	6 A	24 A	2V bei 15V, 3A	-	13,8 nC	-
D64DV7	19.1900	Anfrage	247	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-65°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-204AE				180 W	TO-204AE	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8541.29.0095	1															500 V	50 A						1mA	NPN – Darlington	3V bei 5A, 75A	100 bei 20 A, 5 V	-
2N6490	1.6700	Anfrage	1	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-65°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3	2N6490			1,8 W	TO-220AB	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.49.7080	1															60 V	15 A						1mA	PNP	3,5 V bei 5 A, 15 A	20 bei 5A, 4V	5 MHz
RFP2N18	0,2800	Anfrage	6021	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8541.29.0095	30	N-Kanal		180 V	2A (Tc)	10V	3,5 Ohm bei 1 A, 10 V	4V bei 2mA		±20V	200 pF bei 25 V	-	25W (Tc)
2N5879	69.4600	Anfrage	1	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-204AA, TO-3				160 W	ZU-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8541.29.0095	5															60 V	15 A						500 µA (ICBO)	PNP	-	-	4 MHz
IRF542	1.4800	Anfrage	7	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal		100 V	25A (Tc)	10V	100 mOhm bei 17 A, 10 V	4 V bei 250 µA	59 nC bei 10 V	±20V	1450 pF bei 25 V	-	150 W (Tc)
2N6895	0,5500	Anfrage	8598	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-205AF Metalldose			MOSFET (Metalloxid)		TO-205AF (TO-39)	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8541.29.0095	21	P-Kanal		100 V	1,16 A (Tc)	10V	3,65 Ohm bei 740 mA, 10 V	4 V bei 250 µA		±20V	150 pF bei 25 V	-	8,33 W (Tc)
BD239	-	Anfrage	4383	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									herunterladen				EAR99	8541.29.0095	800
2N6773DR6220	-	Anfrage	1513	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-65°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3				40 W	TO-220	herunterladen	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8541.29.0075	337															650 V	1 A						100 µA	NPN	1 V bei 200 mA, 1 A	20 bei 300 mA, 3 V	50 MHz
HGTH20N50C1	6.2900	Anfrage	4	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	Isolierter TO-218-3-Tab, TO-218AC		Standard		100 W	TO-218 isoliert	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8541.29.0095	1		-												-	500 V	20 A	35 A	3,2 V bei 20 V, 35 A	-	33 nC	-
IRFP341	1.3500	Anfrage	233	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-247	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8542.39.0001	233	N-Kanal		350 V	11A (Tc)	10V	550 mOhm bei 5,5 A, 10 V	4 V bei 250 µA	63 nC bei 10 V	±20V	1250 pF bei 25 V	-	150 W (Tc)
RF1S40N10LE	1.4200	Anfrage	1	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv				RF1S		-			-	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	0000.00.0000	1											-
HUF7554S3S	1.3800	Anfrage	839	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv				HUF7554		-			-	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8542.39.0001	1											-
CA3127ER2323	2.0100	Anfrage	6	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									-	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		0000.00.0000	1
TIPP111	0,2500	Anfrage	1	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-65°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3	TIPP111			2 W	TO-220AB	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8541.29.0095	1															80 V	2 A						2mA	NPN – Darlington	2,5 V bei 8 mA, 2 A	1000 bei 1A, 4V	-
2N5871	64.1200	Anfrage	483	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-	Durchgangsloch	TO-204AA, TO-3				115 W	ZU-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8541.29.0095	5															60 V	7 A						-	PNP	-	2,5 bei 4A, 20V	4 MHz
HGT1S12N60B3S	1.4100	Anfrage	1	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB		Standard		104 W	D2PAK (TO-263)	herunterladen	Nicht RoHS-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt	EAR99	0000.00.0000	1		480V, 12A, 25Ohm, 15V												-	600 V	27 A	110 A	2,1 V bei 15 V, 12 A	304 µJ (ein), 250 µJ (aus)	68 nC	26ns/150ns
RFD16N02L	0,4600	Anfrage	1	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA			MOSFET (Metalloxid)		I-PAK	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH betroffen	EAR99	0000.00.0000	1	N-Kanal		20 V	16A (Tc)	5V	22 mOhm bei 16 A, 5 V	2V bei 250µA	60 nC bei 10 V	±10V	1300 pF bei 20 V	-	90 W (Tc)
IRF540P2	-	Anfrage	1842	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									-					0000.00.0000	1
RFIS70N06SM	1.3000	Anfrage	1	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv				RFIS70		-			-	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8542.39.0001	1											-
HGT1S12N60C3D	1.2300	Anfrage	2	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-40°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA		Standard		104 W	I2PAK (TO-262)	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8541.29.0095	1		-											40 ns	-	600 V	24 A	96 A	2,2 V bei 15 V, 15 A	-	62 nC	-
2N6757	-	Anfrage	8728	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-204AA, TO-3			MOSFET (Metalloxid)		ZU-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal		150 V	8A (Tc)	10V	600 mOhm bei 5 A, 10 V	4V bei 1mA		±20V	800 pF bei 25 V	-	75 W (Tc)
RFD14N05S2515	0,3100	Anfrage	1023	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv				RFD14		-			-	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert			900											-
BD750A	1.8000	Anfrage	864	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-204				200 W	ZU-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8541.29.0095	1															120 V	20 A						500µA	PNP	1 V bei 500 mA, 5 A	25 bei 5A, 2V
IRFP362	4.2100	Anfrage	173	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-247	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal		400 V	20A (Tc)	10V	250 mOhm bei 13 A, 10 V	4 V bei 250 µA	100 nC bei 10 V	±20V	4000 pF bei 25 V	-	250 W (Tc)
RF1S45N02LSM9A	0,4800	Anfrage	2	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv									herunterladen	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8541.29.0095	800
RFA100N05E	5.6600	Anfrage	1	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-218-5			MOSFET (Metalloxid)		TO-218-5	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal		50 V	100A (Tc)	10V	8 mOhm bei 100 A, 10 V	4 V bei 250 µA	230 nC bei 10 V	±20V		-	240 W (Tc)
RF1S30P05SM	-	Anfrage	9212	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		TO-263AB	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8541.29.0095	92	P-Kanal		50 V	30A	-	-	-		-		-	-
IRF611	-	Anfrage	1930	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8541.29.0095	405	N-Kanal		150 V	3,3A (Tc)	10V	1,5 Ohm bei 1,6 A, 10 V	4 V bei 250 µA	8,2 nC bei 10 V	±20V	135 pF bei 25 V	-	43W (Tc)

2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lager vorrätig

Transistoren(836)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²