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Transistoren (836)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
D44TD4 Harris Corporation D44TD4 - - -
RFQ
 ECAD 2565 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 50 w To-220 Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0075 400 350 V 2 a 100 µA Npn 1v @ 400 mA, 2a 8 @ 1a, 2v 50 MHz
IRF121 Harris Corporation IRF121 - - -
RFQ
 ECAD 4152 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Veraltet Chassis -berg To-204aa, to-3 MOSFET (Metalloxid) To-204aa Herunterladen Rohs Nick Konform Ear99 8541.29.0095 20 N-Kanal 60 v 8a (ta) - - - - - - - - -
D40D4 Harris Corporation D40D4 - - -
RFQ
 ECAD 7876 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-202 Long Tab 1,67 w To-202ab Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0075 100 45 V 1 a 100na Npn 500 mv @ 50 mA, 500 mA 10 @ 1a, 2v
IRF610 Harris Corporation Irf610 - - -
RFQ
 ECAD 1431 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 Irf610 MOSFET (Metalloxid) To-220ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 0000.00.0000 1 N-Kanal 200 v 3.3a ​​(TC) 10V 1,5OHM @ 2a, 10V 4v @ 250 ähm 8.2 NC @ 10 V ± 20 V 140 PF @ 25 V. - - - 36W (TC)
IRF644 Harris Corporation IRF644 1.8400
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 IRF644 MOSFET (Metalloxid) To-220ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 0000.00.0000 1 N-Kanal 250 V 14a (TC) 10V 280 MOHM @ 8.4a, 10V 4v @ 250 ähm 68 NC @ 10 V. ± 20 V 1300 PF @ 25 V. - - - 125W (TC)
HUF76113T3ST Harris Corporation HUF76113T3ST 0,5500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv Herunterladen Verkäfer undefiniert Reichweiite Betroffen 2156-HUF76113T3ST-600026 1
IRF9530 Harris Corporation IRF9530 1.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 0000.00.0000 1 P-Kanal 100 v 12a (TC) 300MOHM @ 6.5a, 10V 4v @ 250 ähm 45 nc @ 10 v ± 20 V 500 PF @ 25 V. - - - 75W (TC)
HG24N60D1D Harris Corporation HG24N60D1D 5.2100
RFQ
 ECAD 479 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 3 (168 Stunden) Verkäfer undefiniert Ear99 8542.39.0001 1
RFP10N15101 Harris Corporation RFP10N15101 1.0000
RFQ
 ECAD 4788 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv - - - 0000.00.0000 1
HC5513IPA02 Harris Corporation HC5513IPA02 3.6400
RFQ
 ECAD 192 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv Herunterladen Verkäfer undefiniert Verkäfer undefiniert 2156-HC5513IPA02-600026 1
IRFR91109A Harris Corporation IRFR91109A 0,3600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv Herunterladen Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8542.39.0001 1
RCA3055 Harris Corporation RCA3055 - - -
RFQ
 ECAD 3222 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 75 w To-220-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 60 v 15 a 700 ähm Npn 1,1 V @ 400 Ma, 4a 20 @ 4a, 4V
D42C1N Harris Corporation D42C1n 0,3300
RFQ
 ECAD 6065 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv - - - 0000.00.0000 411
IRF740S2515 Harris Corporation IRF740S2515 0,7300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv IRF740 - - - - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8542.39.0001 1 - - -
HGT1S15N120C3S Harris Corporation HGT1S15N120C3S 4.0200
RFQ
 ECAD 695 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Standard 164 w To-263ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 - - - - - - 1200 V 35 a 120 a 3,5 V @ 15V, 15a - - - 100 nc - - -
RFA100N05E Harris Corporation RFA100N05E 5.6600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-218-5 MOSFET (Metalloxid) To-218-5 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 50 v 100a (TC) 10V 8mohm @ 100a, 10V 4v @ 250 ähm 230 NC @ 10 V. ± 20 V - - - 240W (TC)
HC5513BIP Harris Corporation HC5513BIP 3.9300
RFQ
 ECAD 640 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv Herunterladen Verkäfer undefiniert Reichweiite Betroffen 2156-HC5513BIP-600026 1
SK3065 Harris Corporation SK3065 1.7900
RFQ
 ECAD 295 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv - - - K. Loch To-206af, bis 72-4 Metall Kann SK306 MOSFET (Metalloxid) 330 MW To-72 Herunterladen Nicht Anwendbar 3 (168 Stunden) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0095 1 2 n-kanal (dual) 20V 50 ma - - - - - - - - - - - - - - -
D45D6 Harris Corporation D45D6 - - -
RFQ
 ECAD 7298 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 2.1 w To-220 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 384 80 v 6 a 10 µA PNP - Darlington 2v @ 5ma, 5a 2000 @ 1a, 2v - - -
TIP42 Harris Corporation TIP42 1.0000
RFQ
 ECAD 2577 0.00000000 Harris Corporation - - - Rohr Veraltet 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 2 w To-220-3 Herunterladen ROHS3 -KONFORM Ear99 8541.29.0095 50 40 v 6 a 700 ähm PNP 1,5 V @ 600 Ma, 6a 15 @ 3a, 4V 3MHz
D45D4 Harris Corporation D45D4 0,5200
RFQ
 ECAD 6098 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 2.1 w To-220 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0095 18 60 v 6 a 10 µA PNP - Darlington 2v @ 5ma, 5a 2000 @ 1a, 2v - - -
RFP45N06LE Harris Corporation RFP45N06LE 0,7000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 60 v 45a (TC) 5v 28mohm @ 45a, 5V 2v @ 250 ähm 135 NC @ 10 V ± 10 V 2150 PF @ 25 V. - - - 142W (TC)
HGT1S12N60B3S Harris Corporation HGT1S12N60B3S 1.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab Standard 104 w D2pak (to-263) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) UnberÜHrt Ereichen Ear99 0000.00.0000 1 480 V, 12a, 25 Ohm, 15 V - - - 600 V 27 a 110 a 2,1 V @ 15V, 12a 304 µJ (EIN), 250 µJ (AUS) 68 NC 26ns/150ns
MJH16012 Harris Corporation MJH16012 5.9200
RFQ
 ECAD 171 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1
D64DV7 Harris Corporation D64DV7 19.1900
RFQ
 ECAD 247 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-204ae 180 w To-204ae Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 500 V 50 a 1ma NPN - Darlington 3v @ 5a, 75a 100 @ 20a, 5V - - -
IRFR9120 Harris Corporation IRFR9120 0,9800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation - - - Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 IRFR9120 MOSFET (Metalloxid) D-Pak Herunterladen Rohs Nick Konform Ear99 8541.29.0095 75 P-Kanal 100 v 5.6a (TC) 10V 600mohm @ 3.4a, 10 V. 4v @ 250 ähm 18 NC @ 10 V. ± 20 V 390 PF @ 25 V. - - - 2,5 W (TA), 42 W (TC)
D72F5T1 Harris Corporation D72F5T1 - - -
RFQ
 ECAD 3887 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa 1 w I-Pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 546 50 v 5 a 1 µA (ICBO) Npn 400 MV @ 150 mA, 3a 70 @ 1a, 1V - - -
GE10020 Harris Corporation GE10020 4.7600
RFQ
 ECAD 107 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-204ae 250 w To-204ae Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 300 V 60 a 250 µA NPN - Darlington 2,4 V @ 1,2a, 30a 600 @ 15a, 5V - - -
IRF230 Harris Corporation IRF230 2.7400
RFQ
 ECAD 1215 0.00000000 Harris Corporation - - - Tasche Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 MOSFET (Metalloxid) To-3 Herunterladen Rohs Nick Konform Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 200 v 9a (TC) 400mohm @ 5a, 10V 4v @ 250 ähm 30 NC @ 10 V ± 20 V 600 PF @ 25 V. - - - 75W (TC)
HUF7554S3S Harris Corporation HUF7554S3S 1.3800
RFQ
 ECAD 839 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv HUF7554 - - - - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8542.39.0001 1 - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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