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Transistoren(836)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Leistung – max	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	Andere Namen	ECCN	HTSUS	Standardpaket	FET-Typ	Testbedingung	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)	IGBT-Typ	Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (Max)	Strom – Kollektor gepulst (Icm)	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	Energie wechseln	Tor-Gebühr	Td (ein/aus) bei 25 °C	Strom – Kollektorabschaltung (max.)	Transistortyp	Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	Häufigkeit – Übergang
IRFR222	0,4300	Anfrage	944	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		TO-252, (D-Pak)	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal		200 V	3,8A (Tc)	10V	1,2 Ohm bei 2,4 A, 10 V	4 V bei 250 µA	18 nC bei 10 V	±20V	330 pF bei 25 V	-	50 W (Tc)
HGT1S12N60B3S	1.4100	Anfrage	1	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB		Standard		104 W	D2PAK (TO-263)	herunterladen	Nicht RoHS-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1		480V, 12A, 25Ohm, 15V											-	600 V	27 A	110 A	2,1 V bei 15 V, 12 A	304 µJ (ein), 250 µJ (aus)	68 nC	26ns/150ns
IGTP10N40	0,7800	Anfrage	934	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-	Durchgangsloch	TO-220-3		Standard			TO-220AB	herunterladen	Nicht anwendbar	3 (168 Stunden)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8542.39.0001	1		-											-	400 V	10 A		-	-		-
HGT1S12N60B3DS	1.4100	Anfrage	1	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB		Standard		104 W	TO-263AB	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1		480V, 12A, 25Ohm, 15V											-	600 V	27 A	110 A	2,1 V bei 15 V, 12 A	304 µJ (ein), 250 µJ (aus)	78 nC	26ns/150ns
RFD8P05SM9AS2463	0,4600	Anfrage	2	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv				RFD8P05		-			-	Nicht anwendbar	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8542.39.0001	1											-
RF1S45N02LSM	0,5100	Anfrage	800	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		TO-263AB	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal		20 V	45A	-	-	-		-		-	-
RFP25N05L	-	Anfrage	2796	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal		50 V	25A (Tc)	4V, 5V	47 mOhm bei 25 A, 5 V	2V bei 250µA	80 nC bei 10 V	±10V		-	60 W (Tc)
IRF9530	1.3500	Anfrage	3	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	0000.00.0000	1	P-Kanal		100 V	12A (Tc)		300 mOhm bei 6,5 A, 10 V	4 V bei 250 µA	45 nC bei 10 V	±20V	500 pF bei 25 V	-	75 W (Tc)
HUF76132S3	1.0000	Anfrage	2738	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									-	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1
RCA9166A	2.4100	Anfrage	3	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-204AA, TO-3				250 W	ZU-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1														250 V	16 A						1mA	NPN	1 V bei 300 mA, 3 A	30 @ 3A, 4V	20 MHz
IRF9522	0,7600	Anfrage	1	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1	P-Kanal		100 V	5A (Tc)	10V	800 mOhm bei 3,5 A, 10 V	4 V bei 250 µA	22 nC bei 10 V	±20V	300 pF bei 25 V	-	40 W (Tc)
2N6751	-	Anfrage	9949	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-65°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-204AA				150 W	ZU-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0075	226														400 V	10 A						100 µA	NPN	3V bei 3A, 10A	8 @ 5A, 3V	60 MHz
IRFPC40	1.4300	Anfrage	968	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3	IRFPC40		MOSFET (Metalloxid)		TO-247-3	herunterladen	Nicht anwendbar	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8542.39.0001	210	N-Kanal		600 V	6,8A (Tc)	10V	1,2 Ohm bei 4,1 A, 10 V	4 V bei 250 µA	60 nC bei 10 V	±20V	1300 pF bei 25 V	-	150 W (Tc)
IGTM10N50A	1.6000	Anfrage	484	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-	Durchgangsloch	TO-204AA, TO-3		Standard			ZU-3	herunterladen	Nicht anwendbar	3 (168 Stunden)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8542.39.0001	1		-											-	500 V	10 A		-	-		-
HGTH20N50C1	6.2900	Anfrage	4	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-218-3 isolierte Lasche, TO-218AC		Standard		100 W	TO-218 isoliert	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1		-											-	500 V	20 A	35 A	3,2 V bei 20 V, 35 A	-	33 nC	-
BUW64A	0,6000	Anfrage	600	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-65°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3				50 W	TO-220	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH betroffen		EAR99	8541.29.0075	600														90 V	7 A						100 µA	NPN	1,5 V bei 700 mA, 7 A	30 bei 200 mA, 2 V	200 MHz
IRFP362	4.2100	Anfrage	173	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-247	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal		400 V	20A (Tc)	10V	250 mOhm bei 13 A, 10 V	4 V bei 250 µA	100 nC bei 10 V	±20V	4000 pF bei 25 V	-	250 W (Tc)
D40V3121	0,4700	Anfrage	1	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									-	Nicht anwendbar	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert				1
HC3-5504B-5	6.3000	Anfrage	2	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									herunterladen		Anbieter nicht definiert	REACH betroffen	2156-HC3-5504B-5-600026			1
IRFR2209AS2463	0,5100	Anfrage	1	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv				IRFR2209		-			-	Nicht anwendbar	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8542.39.0001	1											-
2N6542	49.8400	Anfrage	545	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-204AA, TO-3				100 W	ZU-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	7														300 V	5 A						500µA	NPN	5V bei 1A, 5A	12 bei 1,5 A, 2 V	28 MHz
BD239	-	Anfrage	4383	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									herunterladen					EAR99	8541.29.0095	800
IRF9543	0,8700	Anfrage	430	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1	P-Kanal		80 V	15A (Tc)	10V	300 mOhm bei 10 A, 10 V	4 V bei 250 µA	90 nC bei 10 V	±20V	1100 pF bei 25 V	-	150 W (Tc)
RJH6676	2.3200	Anfrage	7833	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-65°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-218-3 isolierte Lasche, TO-218AC				175 W	TO-218 isoliert	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0075	14														300 V	15 A						100 µA	NPN	1,5 V bei 3 A, 15 A	8 @ 15A, 3V	50 MHz
GES6028TPE1	0,1900	Anfrage	2	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									-	Nicht anwendbar	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert				1
2N6802TXV	-	Anfrage	2545	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									-						0000.00.0000	8
CA3127ER2489	0,9400	Anfrage	500	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									-	Nicht anwendbar	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert				1
IRF743	1.0700	Anfrage	1418	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	200	N-Kanal		350 V	8A (Tc)	10V	800 mOhm bei 5,2 A, 10 V	4 V bei 250 µA	63 nC bei 10 V	±20V	1250 pF bei 25 V	-	125 W (Tc)
HUF75639S3	1.3400	Anfrage	5	Harris Corporation	UltraFET™	Rohr	Veraltet	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (Metalloxid)		I2PAK (TO-262)	herunterladen	Nicht RoHS-konform				EAR99	8541.29.0095	224	N-Kanal		100 V	56A (Tc)	10V	25 mOhm bei 56 A, 10 V	4 V bei 250 µA	130 nC bei 20 V	±20V	2000 pF bei 25 V	-	200 W (Tc)
BD242C	1.0000	Anfrage	8609	Harris Corporation	BD242C	Schüttgut	Veraltet	150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3				40 W	TO-220	herunterladen	Nicht RoHS-konform				EAR99	8541.29.0095	200														100 V	3 A						300µA	PNP	1,2 V bei 600 mA, 3 A	25 bei 1A, 4V	-

2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
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Transistoren(836)

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