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Transistoren(836)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Leistung – max	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	Andere Namen	ECCN	HTSUS	Standardpaket	FET-Typ	Testbedingung	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)	IGBT-Typ	Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (Max)	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	Energie wechseln	Td (ein/aus) bei 25 °C	Strom – Kollektorabschaltung (max.)	Transistortyp	Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	Häufigkeit – Übergang
IRFR420	0,8800	Anfrage	779	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63	IRFR420		MOSFET (Metalloxid)		D-Pak	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	0000.00.0000	342	N-Kanal		500 V	2,4A (Tc)	10V	3 Ohm bei 1,4 A, 10 V	4 V bei 250 µA	19 nC bei 10 V	±20V	360 pF bei 25 V	-	2,5 W (Ta), 42 W (Tc)
IRF84093	-	Anfrage	9731	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv				IRF8409					-	Nicht anwendbar	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert				375
HGT1S20N60B3S	3.0200	Anfrage	635	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB		Standard			TO-263AB	herunterladen	Nicht RoHS-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1		-											-	600 V	40 A	-	-	-
2N5634	65.8900	Anfrage	301	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-204AA, TO-3				150 W	ZU-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	5														140 V	10 A				1mA	NPN	2V bei 2A, 10A	15 @ 5A, 2V	1 MHz
IRFBC40R	0,8900	Anfrage	2991	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	8	N-Kanal		600 V	6,2A (Tc)	10V	1,2 Ohm bei 3,4 A, 10 V	4 V bei 250 µA	60 nC bei 10 V	±20V	1300 pF bei 25 V	-	125 W (Tc)
BUZ73A	0,4300	Anfrage	19	Harris Corporation	SIPMOS®	Rohr	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		PG-TO220-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform				EAR99	8541.29.0095	500	N-Kanal		200 V	5,5 A (Tc)	10V	600 mOhm bei 4,5 A, 10 V	4V bei 1mA		±20V	530 pF bei 25 V	-	40 W (Tc)
IRFP246	1.4800	Anfrage	5	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-247	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal		275 V	15A (Tc)	10V	280 mOhm bei 10 A, 10 V	4 V bei 250 µA	59 nC bei 10 V	±20V	1300 pF bei 25 V	-	150 W (Tc)
RCA3055	-	Anfrage	3222	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-65°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3				75 W	TO-220-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1														60 V	15 A				700 µA	NPN	1,1 V bei 400 mA, 4 A	20 @ 4A, 4V
2N6491	2.0300	Anfrage	2	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-65°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3	2N6491			1,8 W	TO-220AB	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.49.7080	1														80 V	15 A				1mA	PNP	3,5 V bei 5 A, 15 A	20 bei 5A, 4V	5 MHz
2N6739	1.7300	Anfrage	649	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-65°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3				100 W	TO-220AB	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH betroffen		EAR99	8541.29.0075	174														350 V	8 A				100 µA	NPN	2V bei 4A, 8A	10 @ 5A, 3V	60 MHz
RFG40N10LE	1.2200	Anfrage	489	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									-	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1
TIPP111	0,2500	Anfrage	1	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-65°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3	TIPP111			2 W	TO-220AB	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1														80 V	2 A				2mA	NPN – Darlington	2,5 V bei 8 mA, 2 A	1000 bei 1A, 4V	-
HUF76113T3ST	0,5500	Anfrage	3	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									herunterladen		Anbieter nicht definiert	REACH betroffen	2156-HUF76113T3ST-600026			1
RFP45N06LE	0,7000	Anfrage	1	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal		60 V	45A (Tc)	5V	28 mOhm bei 45 A, 5 V	2V bei 250µA	135 nC bei 10 V	±10V	2150 pF bei 25 V	-	142W (Tc)
IRF353	4.3000	Anfrage	460	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-204AA, TO-3			MOSFET (Metalloxid)		ZU-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal		350 V	13A (Tc)	10V	400 mOhm bei 8 A, 10 V	4 V bei 250 µA	120 nC bei 10 V	±20V	2000 pF bei 25 V	-	150 W (Tc)
IRF610	-	Anfrage	1431	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3	IRF610		MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	0000.00.0000	1	N-Kanal		200 V	3,3A (Tc)	10V	1,5 Ohm bei 2 A, 10 V	4 V bei 250 µA	8,2 nC bei 10 V	±20V	140 pF bei 25 V	-	36W (Tc)
IRFF9130	-	Anfrage	3675	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-205AF Metalldose			MOSFET (Metalloxid)		TO-205AF (TO-39)	herunterladen						0000.00.0000	1	N-Kanal		100 V	6,5 A (Tc)	10V	300 mOhm bei 3 A, 10 V	4 V bei 250 µA	45 nC bei 10 V	±20V	500 pF bei 25 V	-	25W (Tc)
IRFP151	-	Anfrage	2591	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-247	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	102	N-Kanal		60 V	40A (Tc)	10V	55 mOhm bei 22 A, 10 V	4 V bei 250 µA	110 nC bei 10 V	±20V	2000 pF bei 25 V	-	180 W (Tc)
IRF9622	0,4400	Anfrage	1	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1	P-Kanal		200 V	3A (Tc)	10V	2,4 Ohm bei 1,5 A, 10 V	4 V bei 250 µA	22 nC bei 10 V	±20V	350 pF bei 25 V	-	40 W (Tc)
TIP32C119	-	Anfrage	3566	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									-						0000.00.0000	1
BUZ21	1.3600	Anfrage	43	Harris Corporation	SIPMOS®	Rohr	Veraltet		Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen	Nicht RoHS-konform				EAR99	8541.29.0095	50	N-Kanal		100 V	21A (Tc)		85 mOhm bei 13 A, 10 V	4V bei 1mA			1300 pF bei 25 V	-
IRFU320	-	Anfrage	4933	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA			MOSFET (Metalloxid)		TO-251AA	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	1	N-Kanal		400 V	3,1A (Tc)		1,8 Ohm bei 1,9 A, 10 V	4 V bei 250 µA	20 nC bei 10 V	±20V	350 pF bei 25 V	-	2,5 W (Ta), 42 W (Tc)
BD750B	2.2500	Anfrage	289	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	134
IRF841	1.0100	Anfrage	800	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal		450 V	8A (Tc)	10V	850 mOhm bei 4,4 A, 10 V	4 V bei 250 µA	63 nC bei 10 V	±20V	1225 pF bei 25 V	-	125 W (Tc)
BD244A	0,4100	Anfrage	4422	Harris Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3				65 W	TO-220-3	herunterladen	ROHS3-konform				EAR99	8541.29.0095	500														60 V	6 A				700 µA	PNP	1,5 V bei 1 A, 6 A	15 bei 3A, 4V	-
RFW2N06RLE	1.8000	Anfrage	734	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	4-DIP (0,300", 7,62 mm)			MOSFET (Metalloxid)		4-DIP, Hexdip	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal		60 V	2A (Tc)	5V	200 mOhm bei 2 A, 5 V	2V bei 250µA	30 nC bei 10 V	+10V, -5V	535 pF bei 25 V	-	1,09 W (Tc)
IRF9512	0,5500	Anfrage	4	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1	P-Kanal		100 V	2,5 A (Tc)	10V	1,6 Ohm bei 1,5 A, 10 V	4 V bei 250 µA	11 nC bei 10 V	±20V	180 pF bei 25 V	-	20W (Tc)
IRF233	-	Anfrage	8436	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-204AA, TO-3			MOSFET (Metalloxid)		ZU-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal		150 V	8A (Tc)	10V	600 mOhm bei 5 A, 10 V	4 V bei 250 µA	30 nC bei 10 V	±20V	600 pF bei 25 V	-	75 W (Tc)
HC5513BIP	3.9300	Anfrage	640	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									herunterladen		Anbieter nicht definiert	REACH betroffen	2156-HC5513BIP-600026			1
BD534	0,3300	Anfrage	1909	Harris Corporation	-	Rohr	Veraltet	150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3				50 W	TO-220AB	herunterladen	Nicht RoHS-konform				EAR99	8541.29.0095	44														45 V	8 A				100 µA	PNP	800 mV bei 600 mA, 6 A	25 @ 2A, 2V	-

2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
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Transistoren(836)

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30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²