SIC
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Bild Produktnummer Preis (USD) Menge ECAD Verfügbare Menge Gewicht (kg) Hersteller Serie Paket Produktstatus Betriebstemperatur Montageart Paket/Koffer Basisproduktnummer Eingabetyp Technologie Leistung – max Gerätepaket des Lieferanten Datenblatt RoHS-Status Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) REACH-Status Andere Namen ECCN HTSUS Standardpaket FET-Typ Testbedingung Drain-Source-Spannung (Vdss) Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) Rds On (Max) @ Id, Vgs Vgs(th) (Max) @ Id Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs Vgs (Max) Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds FET-Funktion Verlustleistung (max.) IGBT-Typ Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.) Strom - Kollektor (Ic) (Max) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic Energie wechseln Td (ein/aus) bei 25 °C Strom – Kollektorabschaltung (max.) Transistortyp Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce Häufigkeit – Übergang
D45C1 Harris Corporation D45C1 -
Anfrage
ECAD 1238 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 30 W TO-220 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) REACH betroffen EAR99 8541.29.0075 53 30 V 4 A 10 µA PNP 500 mV bei 100 mA, 1 A 25 bei 1A, 1V 40 MHz
IRFF211 Harris Corporation IRFF211 1.1600
Anfrage
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-205AF Metalldose MOSFET (Metalloxid) TO-205AF (TO-39) herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 150 V 2,2A (Tc) 10V 1,5 Ohm bei 1,25 A, 10 V 4 V bei 250 µA 7,5 nC bei 10 V ±20V 135 pF bei 25 V - 15W (Tc)
TIP32A Harris Corporation TIP32A 0,1700
Anfrage
ECAD 8971 0,00000000 Harris Corporation - Rohr Veraltet 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 2 W TO-220-3 herunterladen ROHS3-konform EAR99 8541.29.0095 50 60 V 3 A 300µA PNP 1,2 V bei 375 mA, 3 A 25 bei 1A, 4V 3 MHz
IRF731 Harris Corporation IRF731 1.3700
Anfrage
ECAD 4 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 MOSFET (Metalloxid) TO-220AB herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 350 V 5,5 A (Tc) 10V 1 Ohm bei 3 A, 10 V 4 V bei 250 µA 35 nC bei 10 V ±20V 600 pF bei 25 V - 75 W (Tc)
HUF75333S3ST Harris Corporation HUF75333S3ST -
Anfrage
ECAD 3585 0,00000000 Harris Corporation UltraFET™ Schüttgut Veraltet -55°C ~ 175°C (TJ) Oberflächenmontage TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB MOSFET (Metalloxid) D2PAK (TO-263) - Nicht zutreffend EAR99 8541.29.0095 800 N-Kanal 55 V 66A (Tc) 10V 16 mOhm bei 66 A, 10 V 4 V bei 250 µA 85 nC bei 20 V ±20V 1300 pF bei 25 V - 150 W (Tc)
RFG75N05E Harris Corporation RFG75N05E 7.0400
Anfrage
ECAD 18 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 175°C (TJ) Durchgangsloch TO-247-3 MOSFET (Metalloxid) TO-247 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 50 V 75A (Tc) 10V 8 mOhm bei 75 A, 10 V 4 V bei 250 µA 400 nC bei 20 V ±20V - 240 W (Tc)
2N6792TX Harris Corporation 2N6792TX 7.8200
Anfrage
ECAD 335 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-205AF Metalldose MOSFET (Metalloxid) TO-205AF (TO-39) herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 400 V 2A (Tc) 10V 1,8 Ohm bei 1,25 A, 10 V 4V bei 1mA ±20V 600 pF bei 25 V - 20W (Tc)
IRFR2209A Harris Corporation IRFR2209A 0,5100
Anfrage
ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv IRFR2209 - herunterladen Nicht zutreffend 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 0000.00.0000 1 -
IRFD322 Harris Corporation IRFD322 1.5600
Anfrage
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch 4-DIP (0,300", 7,62 mm) MOSFET (Metalloxid) 4-DIP, Hexdip herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 400 V 400mA (Tc) 10V 2,5 Ohm bei 250 mA, 10 V 4 V bei 250 µA 15 nC bei 10 V ±20V 455 pF bei 25 V - 1W (Tc)
IRFU9220 Harris Corporation IRFU9220 -
Anfrage
ECAD 6149 0,00000000 Harris Corporation - Rohr Veraltet -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA MOSFET (Metalloxid) TO-251AA herunterladen Nicht RoHS-konform EAR99 8541.29.0095 65 P-Kanal 200 V 3,6A (Tc) 10V 1,5 Ohm bei 2,2 A, 10 V 4 V bei 250 µA 20 nC bei 10 V ±20V 340 pF bei 25 V - 2,5 W (Ta), 42 W (Tc)
IRF9633 Harris Corporation IRF9633 0,7600
Anfrage
ECAD 6759 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 MOSFET (Metalloxid) TO-220AB herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 275 P-Kanal 150 V 5,5 A (Tc) 10V 1,2 Ohm bei 3,5 A, 10 V 4 V bei 250 µA 45 nC bei 10 V ±20V 550 pF bei 25 V - 75 W (Tc)
IRFU110 Harris Corporation IRFU110 0,3300
Anfrage
ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA IRFU1 MOSFET (Metalloxid) TO-251AA herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 0000.00.0000 919 N-Kanal 100 V 4,3A (Tc) 10V 540 mOhm bei 900 mA, 10 V 4 V bei 250 µA 8,3 nC bei 10 V ±20V 180 pF bei 25 V - 25W (Tc)
CA3082F/3 Harris Corporation CA3082F/3 6.8500
Anfrage
ECAD 3 0,00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv CA3082 - Nicht zutreffend 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.21.0095 1
IRFR420 Harris Corporation IRFR420 0,8800
Anfrage
ECAD 779 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Oberflächenmontage TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63 IRFR420 MOSFET (Metalloxid) D-Pak herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 0000.00.0000 342 N-Kanal 500 V 2,4A (Tc) 10V 3 Ohm bei 1,4 A, 10 V 4 V bei 250 µA 19 nC bei 10 V ±20V 360 pF bei 25 V - 2,5 W (Ta), 42 W (Tc)
IRF84093 Harris Corporation IRF84093 -
Anfrage
ECAD 9731 0,00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv IRF8409 - Nicht zutreffend 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert 375
HGT1S20N60B3S Harris Corporation HGT1S20N60B3S 3.0200
Anfrage
ECAD 635 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv - Oberflächenmontage TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB Standard TO-263AB herunterladen Nicht RoHS-konform 3 (168 Stunden) REACH Unberührt EAR99 0000.00.0000 1 - - 600 V 40 A - - -
2N5634 Harris Corporation 2N5634 65.8900
Anfrage
ECAD 301 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -65°C ~ 200°C (TJ) Durchgangsloch TO-204AA, TO-3 150 W ZU-3 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 5 140 V 10 A 1mA NPN 2V bei 2A, 10A 15 @ 5A, 2V 1 MHz
IRFBC40R Harris Corporation IRFBC40R 0,8900
Anfrage
ECAD 2991 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 MOSFET (Metalloxid) TO-220 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 8 N-Kanal 600 V 6,2A (Tc) 10V 1,2 Ohm bei 3,4 A, 10 V 4 V bei 250 µA 60 nC bei 10 V ±20V 1300 pF bei 25 V - 125 W (Tc)
IRFP246 Harris Corporation IRFP246 1.4800
Anfrage
ECAD 5 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-247-3 MOSFET (Metalloxid) TO-247 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 275 V 15A (Tc) 10V 280 mOhm bei 10 A, 10 V 4 V bei 250 µA 59 nC bei 10 V ±20V 1300 pF bei 25 V - 150 W (Tc)
RCA3055 Harris Corporation RCA3055 -
Anfrage
ECAD 3222 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -65°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 75 W TO-220-3 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 60 V 15 A 700µA NPN 1,1 V bei 400 mA, 4 A 20 @ 4A, 4V
2N6491 Harris Corporation 2N6491 2.0300
Anfrage
ECAD 2 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -65°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 2N6491 1,8 W TO-220AB herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.49.7080 1 80 V 15 A 1mA PNP 3,5 V bei 5 A, 15 A 20 bei 5A, 4V 5 MHz
2N6739 Harris Corporation 2N6739 1.7300
Anfrage
ECAD 649 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -65°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 100 W TO-220AB herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) REACH betroffen EAR99 8541.29.0075 174 350 V 8 A 100 µA NPN 2V bei 4A, 8A 10 @ 5A, 3V 60 MHz
HUF76113T3ST Harris Corporation HUF76113T3ST 0,5500
Anfrage
ECAD 3 0,00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv herunterladen Anbieter nicht definiert REACH betroffen 2156-HUF76113T3ST-600026 1
RFP45N06LE Harris Corporation RFP45N06LE 0,7000
Anfrage
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 175°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 MOSFET (Metalloxid) TO-220 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 60 V 45A (Tc) 5V 28 mOhm bei 45 A, 5 V 2V bei 250µA 135 nC bei 10 V ±10V 2150 pF bei 25 V - 142W (Tc)
IRF353 Harris Corporation IRF353 4.3000
Anfrage
ECAD 460 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-204AA, TO-3 MOSFET (Metalloxid) ZU-3 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 N-Kanal 350 V 13A (Tc) 10V 400 mOhm bei 8 A, 10 V 4 V bei 250 µA 120 nC bei 10 V ±20V 2000 pF bei 25 V - 150 W (Tc)
IRF610 Harris Corporation IRF610 -
Anfrage
ECAD 1431 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 IRF610 MOSFET (Metalloxid) TO-220AB herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 0000.00.0000 1 N-Kanal 200 V 3,3A (Tc) 10V 1,5 Ohm bei 2 A, 10 V 4 V bei 250 µA 8,2 nC bei 10 V ±20V 140 pF bei 25 V - 36W (Tc)
IRFF9130 Harris Corporation IRFF9130 -
Anfrage
ECAD 3675 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-205AF Metalldose MOSFET (Metalloxid) TO-205AF (TO-39) herunterladen 0000.00.0000 1 N-Kanal 100 V 6,5 A (Tc) 10V 300 mOhm bei 3 A, 10 V 4 V bei 250 µA 45 nC bei 10 V ±20V 500 pF bei 25 V - 25W (Tc)
IRFP151 Harris Corporation IRFP151 -
Anfrage
ECAD 2591 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-247-3 MOSFET (Metalloxid) TO-247 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 102 N-Kanal 60 V 40A (Tc) 10V 55 mOhm bei 22 A, 10 V 4 V bei 250 µA 110 nC bei 10 V ±20V 2000 pF bei 25 V - 180 W (Tc)
IRF9622 Harris Corporation IRF9622 0,4400
Anfrage
ECAD 1 0,00000000 Harris Corporation - Schüttgut Aktiv -55°C ~ 150°C (TJ) Durchgangsloch TO-220-3 MOSFET (Metalloxid) TO-220 herunterladen Nicht RoHS-konform 1 (Unbegrenzt) Anbieter nicht definiert EAR99 8541.29.0095 1 P-Kanal 200 V 3A (Tc) 10V 2,4 Ohm bei 1,5 A, 10 V 4 V bei 250 µA 22 nC bei 10 V ±20V 350 pF bei 25 V - 40 W (Tc)
TIP32C119 Harris Corporation TIP32C119 -
Anfrage
ECAD 3566 0,00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv - 0000.00.0000 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lager vorrätig