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Transistoren(836)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Spannung – Nennspannung	Betriebstemperatur	Anwendungen	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Leistung – max	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	ECCN	HTSUS	Standardpaket	FET-Typ	Nennstrom (Ampere)	Testbedingung	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)	IGBT-Typ	Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (Max)	Strom – Kollektor gepulst (Icm)	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	Energie wechseln	Tor-Gebühr	Td (ein/aus) bei 25 °C	Strom – Kollektorabschaltung (max.)	Transistortyp	Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	Häufigkeit – Übergang
IRF331	2.3700	Anfrage	4	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv		-55°C ~ 150°C (TJ)		Durchgangsloch	TO-204AA, TO-3			MOSFET (Metalloxid)		ZU-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal			350 V	5,5 A (Tc)	10V	1 Ohm bei 3 A, 10 V	4 V bei 250 µA	35 nC bei 10 V	±20V	700 pF bei 25 V	-	75 W (Tc)
HGTH12N50C1	1.9100	Anfrage	8314	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv		-55°C ~ 150°C (TJ)		Durchgangsloch	TO-218-3 Isolierter Tab, TO-218AC		Standard		75 W	TO-218 isoliert	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8541.29.0095	1			-											-	500 V	12 A	17,5 A	3,2 V bei 20 V, 17,5 A	-	19 nC	-
HGTG12N60DID	3.4100	Anfrage	15	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv											-	Nicht anwendbar	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8542.39.0001	88
IRFF111	3.0000	Anfrage	176	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv		-55°C ~ 150°C (TJ)		Durchgangsloch	TO-205AF Metalldose			MOSFET (Metalloxid)		TO-205AF (TO-39)	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal			80 V	3,5 A (Tc)	10V	600 mOhm bei 1,5 A, 10 V	4 V bei 250 µA	7,5 nC bei 10 V	±20V	135 pF bei 25 V	-	15W (Tc)
IRF120	1.8400	Anfrage	357	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv		-55°C ~ 150°C (TJ)		Durchgangsloch	TO-204AA			MOSFET (Metalloxid)		ZU-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal			100 V	8A (Tc)	10V	300 mOhm bei 4 A, 10 V	4 V bei 250 µA	15 nC bei 10 V	±20V	600 pF bei 25 V	-	40 W (Tc)
2N4990	1.0000	Anfrage	7100	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv											-	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8541.30.0080	1
HGTD7N60B3S	0,7500	Anfrage	703	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv		-55°C ~ 150°C (TJ)		Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63		Standard		60 W	TO-252AA	herunterladen	Nicht RoHS-konform	3 (168 Stunden)	REACH Unberührt	EAR99	0000.00.0000	1			480 V, 7 A, 50 Ohm, 15 V											-	600 V	14 A	56 A	2,1 V bei 15 V, 7 A	72 µJ (ein), 120 µJ (aus)	37 nC	26ns/130ns
IRF532	1.2100	Anfrage	4371	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv		-55°C ~ 150°C (TJ)		Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8541.29.0095	195	N-Kanal			100 V	12A (Tc)	10V	230 mOhm bei 8,3 A, 10 V	4 V bei 250 µA	26 nC bei 10 V	±20V	600 pF bei 25 V	-	79W (Tc)
HUF75337P3	0,2500	Anfrage	2	Harris Corporation	UltraFET™	Rohr	Veraltet		-55°C ~ 175°C (TJ)		Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform			EAR99	8541.29.0095	400	N-Kanal			55 V	75A (Tc)		14 mOhm bei 75 A, 10 V	4 V bei 250 µA	109 nC bei 20 V	±20V	1775 pF bei 25 V	-	175 W (Tc)
HUF75309P3	-	Anfrage	5371	Harris Corporation	UltraFET™	Rohr	Veraltet		-55°C ~ 175°C (TJ)		Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform			EAR99	8541.29.0095	400	N-Kanal			55 V	19A (Tc)		70 mOhm bei 19 A, 10 V	4 V bei 250 µA	24 nC bei 20 V	±20V	350 pF bei 25 V	-	55 W (Tc)
RFP12N10L	1.0000	Anfrage	9637	Harris Corporation	-	Rohr	Veraltet		-55°C ~ 150°C (TJ)		Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform			EAR99	8541.29.0095	800	N-Kanal			100 V	12A (Tc)	5V	200 mOhm bei 12 A, 5 V	2V bei 250µA		±10V	900 pF bei 25 V	-	60 W (Tc)
IRF642	0,8800	Anfrage	6	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv		-55°C ~ 150°C (TJ)		Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal			200 V	16A (Tc)	10V	220 mOhm bei 10 A, 10 V	4 V bei 250 µA	64 nC bei 10 V	±20V	1275 pF bei 25 V	-	125 W (Tc)
RF1S640	1.3800	Anfrage	4950	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv		-55°C ~ 150°C (TJ)		Durchgangsloch	TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (Metalloxid)		I2PAK (TO-262)	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal			200 V	18A (Tc)	10V	180 mOhm bei 10 A, 10 V	4 V bei 250 µA	64 nC bei 10 V	±20V	1275 pF bei 25 V	-	125 W (Tc)
RF1S70N03	1.6000	Anfrage	789	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv		-55°C ~ 175°C (TJ)		Durchgangsloch	TO-262-3 lange Leitungen, I²Pak, TO-262AA			MOSFET (Metalloxid)		TO-262AA	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	0000.00.0000	1	N-Kanal			30 V	70A (Tc)		10 mOhm bei 70 A, 10 V	4 V bei 250 µA	260 nC bei 20 V	±20V	3300 pF bei 25 V	-	150 W (Tc)
IRFP152	-	Anfrage	3101	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv		-55°C ~ 150°C (TJ)		Durchgangsloch	TO-247-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-247	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8541.29.0095	27	N-Kanal			100 V	34A (Tc)	10V	80 mOhm bei 22 A, 10 V	4 V bei 250 µA	110 nC bei 10 V	±20V	2000 pF bei 25 V	-	180 W (Tc)
IRFP142R	-	Anfrage	7056	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv		-55°C ~ 175°C (TJ)		Durchgangsloch	TO-247-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-247	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8541.29.0095	6	N-Kanal			100 V	27A (Tc)	10V	99 mOhm bei 19 A, 10 V	4 V bei 250 µA	59 nC bei 10 V	±20V	1275 pF bei 25 V	-	180 W (Tc)
RF1S45N06LESM9A	0,9500	Anfrage	1	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv											herunterladen	Nicht anwendbar	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8541.29.0095	317
CA3183EX	1.0000	Anfrage	7671	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv						CA3183					-	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8541.21.0095	1
HGTD7N60B3	0,6800	Anfrage	900	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv		-55°C ~ 150°C (TJ)		Durchgangsloch	TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA		Standard		60 W	I-PAK	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8541.29.0095	1			480 V, 7 A, 50 Ohm, 15 V											-	600 V	14 A	56 A	2,1 V bei 15 V, 7 A	160 µJ (ein), 120 µJ (aus)	30 nC	26ns/130ns
D44T1	-	Anfrage	5733	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv											-	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH betroffen	EAR99	8541.29.0075	1
2N6767	4.1400	Anfrage	3274	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv		-55°C ~ 150°C (TJ)		Durchgangsloch	TO-204AA, TO-3			MOSFET (Metalloxid)		ZU-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8541.29.0095	9	N-Kanal			350 V	12A (Tc)	10V	400 mOhm bei 7,75 A, 10 V	4V bei 1mA		±20V	3000 pF bei 25 V	-	150 W (Tc)
HGTP15N40E1	1.5400	Anfrage	488	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv		-55°C ~ 150°C (TJ)		Durchgangsloch	TO-220-3		Standard		75 W	TO-220	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8541.29.0095	1			-											-	400 V	15 A	35 A	3,2 V bei 20 V, 35 A	-	33 nC	-
RFL1N12	0,8800	Anfrage	845	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv		-55°C ~ 150°C (TJ)		Durchgangsloch	TO-205AF Metalldose			MOSFET (Metalloxid)		TO-205AF (TO-39)	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal			120 V	1A (Tc)	10V	1,9 Ohm bei 1 A, 10 V	4 V bei 250 µA		±20V	200 pF bei 25 V	-	8,33 W (Tc)
IRFU1920	0,5000	Anfrage	1	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv											-	Nicht anwendbar	3 (168 Stunden)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8542.39.0001	1
IRF9630	1.4200	Anfrage	28	Harris Corporation	-	Rohr	Veraltet		-55°C ~ 150°C (TJ)		Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen	Nicht RoHS-konform			EAR99	8541.29.0095	1.000	P-Kanal			200 V	6,5 A (Tc)	10V	800 mOhm bei 3,9 A, 10 V	4 V bei 250 µA	29 nC bei 10 V	±20V	700 pF bei 25 V	-	74W (Tc)
RCA1A09	0,5600	Anfrage	1	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv											-	Nicht anwendbar	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8542.39.0001	1
RF1S15N08L	0,6500	Anfrage	800	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv		-		Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		TO-263AB	herunterladen	Nicht anwendbar	3 (168 Stunden)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8542.39.0001	1	N-Kanal			80 V	45A	-	-	-		-		-	-
BUW41B	0,8000	Anfrage	7	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv		-65°C ~ 150°C (TJ)		Durchgangsloch	TO-220-3				100 W	TO-220AB	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH betroffen	EAR99	8541.29.0075	1															400 V	8 A						100µA	NPN	2V bei 4A, 8A	10 @ 5A, 3V	60 MHz
CA3097E	0,5700	Anfrage	2993	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	50V		-	Durchgangsloch	16-DIP (0,300", 7,62 mm)	CA3097				16-PDIP	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8541.59.0080	96		100mA, 10mA																					NPN, PNP (emittergekoppelt)
IGT6E21	3.4800	Anfrage	289	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv		-		Durchgangsloch	TO-247-3		Standard			TO-247	herunterladen	Nicht anwendbar	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert	EAR99	8541.29.0095	1			-											-	500 V	32 A		-	-		-

2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lager vorrätig

Transistoren(836)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²