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Transistoren(836)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Leistung – max	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	Andere Namen	ECCN	HTSUS	Standardpaket	FET-Typ	Testbedingung	Gewinnen	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)	Reverse Recovery Time (trr)	IGBT-Typ	Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (Max)	Strom – Kollektor gepulst (Icm)	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	Energie wechseln	Tor-Gebühr	Td (ein/aus) bei 25 °C	Strom – Kollektorabschaltung (max.)	Transistortyp	Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	Häufigkeit – Übergang	Rauschzahl (dB Typ @ f)
RCA9116E	1.4600	Anfrage	581	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-204AA, TO-3				200 W	ZU-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1																100 V	200 A						1mA	PNP	1,5 V bei 500 mA, 750 mA	10 bei 7,5 A, 2 V	2 MHz
RF1S30P06SM	-	Anfrage	8263	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		TO-263AB	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1	P-Kanal			60 V	30A	-	-	-		-		-	-
2N6134	1.1200	Anfrage	374	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1
HGT1S3N60C3DS	0,8500	Anfrage	585	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB		Standard			TO-263AB	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1		-													-	600 V	6 A		-	-		-
HGTG15N1203D	1.0000	Anfrage	6192	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									-						0000.00.0000	1
IRFP450R	1.8400	Anfrage	5018	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-247	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	3	N-Kanal			500 V	14A (Tc)	10V	400 mOhm bei 7,9 A, 10 V	4 V bei 250 µA	130 nC bei 10 V	±20V	2000 pF bei 25 V	-	180 W (Tc)
D64ES5	5.2500	Anfrage	112	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-65°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-204AA, TO-3				125 W	ZU-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1																400 V	20 A						1mA	NPN – Darlington	3,5 V bei 3 A, 30 A	100 bei 10 A, 5 V	-
IRF640R	-	Anfrage	3065	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	299	N-Kanal			200 V	18A (Tc)	10V	180 mOhm bei 10 A, 10 V	4 V bei 250 µA	64 nC bei 10 V	±20V	1275 pF bei 25 V	-	125 W (Tc)
HC3-5504B1-5	6.7600	Anfrage	411	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									herunterladen		Anbieter nicht definiert	Anbieter nicht definiert	2156-HC3-5504B1-5-600026			1
HGTG27N60C3DR	5.9600	Anfrage	68	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-40°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3		Standard		208 W	TO-247	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1		-													-	600 V	54 A	108 A	2,2 V bei 15 V, 27 A	-	212 nC	-
HFA1212IP	2.4600	Anfrage	5	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									herunterladen		Anbieter nicht definiert	REACH betroffen	2156-HFA1212IP-600026			1
RFP3N45	1.0000	Anfrage	5311	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal			450 V	3A (Tc)	10V	3 Ohm bei 1,5 A, 10 V	4V bei 1mA		±20V	750 pF bei 25 V	-	60 W (Tc)
BD240C	0,4900	Anfrage	4332	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									herunterladen					EAR99	8541.29.0095	166
RFD14N05L	1.0000	Anfrage	6552	Harris Corporation	-	Rohr	Veraltet	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA			MOSFET (Metalloxid)		I-PAK	herunterladen	Nicht RoHS-konform				EAR99	8541.29.0095	1.800	N-Kanal			50 V	14A (Tc)	5V	100 mOhm bei 14 A, 5 V	2V bei 250µA	40 nC bei 10 V	±10V	670 pF bei 25 V	-	48W (Tc)
MJE16002	1.0400	Anfrage	9	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-65°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3				80 W	TO-220AB	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1																6 V	5 A						250µA	NPN	1 V bei 200 mA, 1,5 A	5 @ 5A, 5V	-
HFA3102B	-	Anfrage	5357	Harris Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	-40°C ~ 85°C	Oberflächenmontage	14-SOIC (0,154", 3,90 mm Breite)				250 mW	14-SOIC	-	Nicht RoHS-konform		Anbieter nicht definiert	2156-HFA3102B-600026			1			17,5 dB													8V	30mA							6 NPN		40 bei 10 mA, 3 V	10 GHz	1,8 dB ~ 2,1 dB bei 500 MHz ~ 1 GHz
RFIS30P06	1.5000	Anfrage	1	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv				RFIS30		-			-	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8542.39.0001	1												-
HGTG12N60D1D	6.8500	Anfrage	606	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3		Standard		75 W	TO-247	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1		-												60 ns	-	600 V	21 A	48 A	2,5 V bei 15 V, 12 A	-	70 nC	-
RF1S4N100SM9A	3.1300	Anfrage	187	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		TO-263AB	herunterladen	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	0000.00.0000	800	N-Kanal			1000 V	4,3A (Tc)		3,5 Ohm bei 2,5 A, 10 V	4 V bei 250 µA		±20V		-	150 W (Tc)
RFD16N03LSM	1.1300	Anfrage	2	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		TO-252-3 (DPAK)	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal			30 V	16A	-	-	-		-		-	-
RFP12N06RLE	0,6000	Anfrage	13	Harris Corporation	UltraFET™	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal			60 V	18A (Tc)	4,5 V, 10 V	63 mOhm bei 18 A, 10 V	3 V bei 250 µA	15 nC bei 10 V	±16V	485 pF bei 25 V	-	49W (Tc)
IRFU221	0,4000	Anfrage	2	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA			MOSFET (Metalloxid)		I-PAK	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal			150 V	4,6A (Tc)	10V	800 mOhm bei 2,4 A, 10 V	4 V bei 250 µA	18 nC bei 10 V	±20V	330 pF bei 25 V	-	50 W (Tc)
TIP32C	0,2900	Anfrage	1	Harris Corporation	-	Rohr	Veraltet	-65°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3				2 W	TO-220-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform				EAR99	8541.29.0095	1.039																100 V	3 A						300µA	PNP	1,2 V bei 375 mA, 3 A	10 @ 3A, 4V	3 MHz
RF1S30N06LE	0,7300	Anfrage	1	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv				RF1S		-			-	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	0000.00.0000	1												-
HGTD3N60B3S9A	0,5200	Anfrage	2	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63		Standard		33,3 W	TO-252-3 (DPAK)	herunterladen	Nicht RoHS-konform	3 (168 Stunden)	Anbieter nicht definiert		EAR99	0000.00.0000	1		480 V, 3,5 A, 82 Ohm, 15 V												16 ns	-	600 V	7 A	20 A	2,1 V bei 15 V, 3,5 A	66µJ (ein), 88µJ (aus)	21 nC	18ns/105ns
D72FY4D1	-	Anfrage	6762	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA				1 W	I-PAK	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	300																80 V	4 A						20 µA (ICBO)	NPN – Darlington	1,5 V bei 6 mA, 3 A	2000 bei 1A, 2V	-
RFD8P06ESM	-	Anfrage	6983	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-	Oberflächenmontage	TO-252-3, DPak (2 Leitungen + Lasche), SC-63			MOSFET (Metalloxid)		TO-252-3 (DPAK)	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1	P-Kanal			60 V	8A	-	-	-		-		-	-
D44H11	-	Anfrage	5651	Harris Corporation	-	Rohr	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3				2 W	TO-220-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform				EAR99	8541.29.0075	50																80 V	10 A						10 µA	NPN	1 V bei 400 mA, 8 A	60 @ 2A, 1V	50 MHz
IRF630	0,8500	Anfrage	22	Harris Corporation	-	Rohr	Veraltet		Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen	Nicht RoHS-konform				EAR99	8541.29.0095	382	N-Kanal			200 V	9A (Tc)		400 mOhm bei 5,4 A, 10 V	4 V bei 250 µA	43 nC bei 10 V		800 pF bei 25 V	-
RF1K4909396	0,5700	Anfrage	2	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									herunterladen		Anbieter nicht definiert	REACH betroffen	2156-RF1K4909396-600026			1

2000+
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Transistoren(836)

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