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Transistoren (836)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Eingabetyp | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | FET -Typ | Testedingung | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | VGS (max) | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Leistungsdissipation (max) | IGBT -Typ | Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) | Strom - Sammler (IC) (max) | Strom - Sammler Gepulst (ICM) | VCE (ON) (max) @ vge, IC | Energie Wechseln | Torladung | TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C | Strom - Sammler Cutoff (max) | Transistortyp | VCE -Sättigung (max) @ ib, ic | Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce | Frequenz - übergang |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF540RP2 | - - - |  | 6471 | 0.00000000 | Harris Corporation | * | Schüttgut | Aktiv | IRF540 | - - - | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 1 | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RFD16N03LSM | 1.1300 | | 2 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 | MOSFET (Metalloxid) | To-252-3 (dpak) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 30 v | 16a | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||
| D42C4n | 0,3400 | | 956 | 0.00000000 | Harris Corporation | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 956 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RFP3N45 | 1.0000 | | 5311 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 450 V | 3a (TC) | 10V | 3OHM @ 1,5a, 10V | 4v @ 1ma | ± 20 V | 750 PF @ 25 V. | - - - | 60 W (TC) | ||||||||||||||||||||
| Irff111 | 3.0000 | | 176 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-205AF Metalldose | MOSFET (Metalloxid) | To-205AF (bis 39) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 80 v | 3,5a (TC) | 10V | 600 MOHM @ 1,5A, 10V | 4v @ 250 ähm | 7,5 NC @ 10 V | ± 20 V | 135 PF @ 25 V. | - - - | 15W (TC) | |||||||||||||||||||
 | Irf620 | 0,2700 | | 4481 | 0.00000000 | Harris Corporation | PowerMesh ™ II | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Irf6 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 0000.00.0000 | 1.018 | N-Kanal | 200 v | 6a (TC) | 10V | 800mohm @ 3a, 10V | 4v @ 250 ähm | 27 NC @ 10 V | ± 20 V | 350 PF @ 25 V. | - - - | 70W (TC) | ||||||||||||||||||
 | RFL4N15 | 1.1000 | | 1 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-205AF Metalldose | MOSFET (Metalloxid) | To-205AF (bis 39) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 150 v | 4a (TC) | 10V | 400mohm @ 2a, 10V | 4v @ 1ma | ± 20 V | 850 PF @ 25 V. | - - - | 8.33W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | HFA1212IP | 2.4600 | | 5 | 0.00000000 | Harris Corporation | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | Reichweiite Betroffen | 2156-HFA1212IP-600026 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | Buz41a | 1.3600 | | 7 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 500 V | 4,5a (TC) | 10V | 1,5OHM @ 2,5a, 10 V. | 4v @ 1ma | ± 20 V | 2000 PF @ 25 V. | - - - | 75W (TC) | ||||||||||||||||||||
| RFD8P06E | 0,2900 | | 2 | 0.00000000 | Harris Corporation | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RFD7N10LE | 0,5000 | | 5 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 100 v | 7a (TC) | 5v | 300MOHM @ 7A, 5V | 2v @ 250 ähm | 150 NC @ 10 V. | +10 V, -8v | 360 PF @ 25 V. | - - - | 47W (TC) | |||||||||||||||||||
| RFH30N12 | 3.4600 | | 268 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-218-3 isolierte Tab, to-218ac | MOSFET (Metalloxid) | To-218 isolier | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 120 v | 30a (TC) | 10V | 75mohm @ 15a, 10V | 4v @ 1ma | ± 20 V | 3000 PF @ 25 V. | - - - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||||
| IRF822 | 0,4600 | | 20 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 500 V | 2.2a (TC) | 10V | 4OHM @ 1,4a, 10V | 4v @ 250 ähm | 19 NC @ 10 V | ± 20 V | 360 PF @ 25 V. | - - - | 50W (TC) | |||||||||||||||||||
| IRF610S2497 | 0,1800 | | 2 | 0.00000000 | Harris Corporation | * | Schüttgut | Aktiv | Irf610 | - - - | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 1 | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RF1S30P06SM | - - - | | 8263 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | - - - | Oberflächenhalterung | To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab | MOSFET (Metalloxid) | To-263ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | P-Kanal | 60 v | 30a | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||||||||||||||||||
| RF1S45N02L | 0,5200 | | 999 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa | MOSFET (Metalloxid) | I2pak (to-262) | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Reichweiite Betroffen | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-Kanal | 20 v | 45a (TC) | 5v | 22mohm @ 45a, 5V | 2v @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 10 V | 1300 PF @ 15 V | - - - | 90W (TC) | |||||||||||||||||||
| HGTP15N50E1 | 1.6600 | | 1 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | Standard | 75 w | To-220 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - - - | - - - | 500 V | 15 a | 35 a | 3,2 V @ 20V, 35a | - - - | 33 NC | - - - | ||||||||||||||||||||
 | RCA9116E | 1.4600 | | 581 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | 200 w | To-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 200 a | 1ma | PNP | 1,5 V @ 500 mA, 750 mA | 10 @ 7,5a, 2v | 2MHz | |||||||||||||||||||||||
| IRFBC42R | - - - | | 3949 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | N-Kanal | 600 V | 5.4a (TC) | 10V | 1,6OHM @ 3,4a, 10 V | 4v @ 250 ähm | 60 nc @ 10 v | ± 20 V | 1300 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||
| RFM12P10 | - - - | | 1009 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-204aa, to-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | P-Kanal | 100 v | 12a (TC) | 10V | 300mohm @ 6a, 10V | 4v @ 1ma | ± 20 V | 1500 PF @ 25 V. | - - - | 100 W (TC) | ||||||||||||||||||||
| RCA1A09 | 0,5600 | | 1 | 0.00000000 | Harris Corporation | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF642 | 0,8800 | | 6 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | N-Kanal | 200 v | 16a (TC) | 10V | 220mohm @ 10a, 10V | 4v @ 250 ähm | 64 NC @ 10 V | ± 20 V | 1275 PF @ 25 V. | - - - | 125W (TC) | |||||||||||||||||||
| D44VH1116 | - - - | | 5824 | 0.00000000 | Harris Corporation | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | 0000.00.0000 | 240 | Npn | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BD240C | 0,4900 | | 4332 | 0.00000000 | Harris Corporation | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Ear99 | 8541.29.0095 | 166 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TIP102-HC | - - - | | 2564 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-3 | 2 w | To-220-3 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | 100 v | 8 a | 50 µA | NPN - Darlington | 2,5 V @ 80 Ma, 8a | 1000 @ 3a, 4V | - - - | |||||||||||||||||||||||
 | HC3-5504B1-5 | 6.7600 | | 411 | 0.00000000 | Harris Corporation | * | Schüttgut | Aktiv | Herunterladen | Verkäfer undefiniert | Verkäfer undefiniert | 2156-HC3-5504B1-5-600026 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRF512S2532 | 0,2400 | | 7159 | 0.00000000 | Harris Corporation | * | Schüttgut | Aktiv | IRF512 | - - - | - - - | Nicht Anwendbar | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 1.200 | - - - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N612340 | - - - | | 2376 | 0.00000000 | Harris Corporation | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RFB18N10CS | 2.4900 | | 950 | 0.00000000 | Harris Corporation | - - - | Schüttgut | Aktiv | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | K. Loch | To-220-5 | MOSFET (Metalloxid) | To-220ab-5 | Herunterladen | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | Ear99 | 0000.00.0000 | 1 | N-Kanal | 100 v | 18a (TC) | 100mohm @ 9a, 10V | 4v @ 250 ähm | 20 nc @ 10 v | ± 20 V | Stromerkennung | 79W (TC) | |||||||||||||||||||||
| RCA1C13 | - - - | | 8341 | 0.00000000 | Harris Corporation | * | Schüttgut | Aktiv | - - - | Rohs Nick Konform | 1 (unbegrenzt) | Verkäfer undefiniert | 1 |
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