SIC
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Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Spannung - Bewort Biebstemperatur Anwendungen Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Technologie Kraft - Max LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Andere Namen Eccn Htsus Standardpaket FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Testedingung ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) Reverse Recovery Time (TRR) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Energie Wechseln Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Strom - Sammler Cutoff (max) Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang
D40D3 Harris Corporation D40D3 - - -
RFQ
ECAD 8028 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-202 Long Tab 1,67 w To-202ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 8541.29.0075 1 1 a 100na Npn - - - - - -
IRFP350 Harris Corporation IRFP350 3.0400
RFQ
ECAD 5008 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 MOSFET (Metalloxid) To-247ac Herunterladen Ear99 8542.39.0001 25 N-Kanal 400 V 16a (TC) 10V 300mohm @ 9.6a, 10V 4v @ 250 ähm 150 NC @ 10 V. ± 20 V 2600 PF @ 25 V. - - - 190W (TC)
HGTG2ON60C3DR Harris Corporation Hgtg2on60c3dr 3.2100
RFQ
ECAD 302 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 3 (168 Stunden) Verkäfer undefiniert Ear99 8542.39.0001 1
HGTH12N50C1D Harris Corporation HGTH12N50C1D 2.3000
RFQ
ECAD 483 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-218-3 isolierte Tab, to-218ac Standard 75 w To-218 isolier Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 - - - 100 ns - - - 500 V 12 a 17.5 a 3,2 V @ 20V, 17,5a - - - 19 NC - - -
IRFP352 Harris Corporation IRFP352 1.8200
RFQ
ECAD 436 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 MOSFET (Metalloxid) To-247 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 400 V 14a (TC) 10V 400mohm @ 8.9a, 10V 4v @ 250 ähm 130 nc @ 10 v ± 20 V 2000 PF @ 25 V. - - - 180W (TC)
IRF723 Harris Corporation IRF723 0,7800
RFQ
ECAD 79 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 350 V 2.8a (TC) 10V 2,5 Ohm @ 1,8a, 10 V 4v @ 250 ähm 20 nc @ 10 v ± 20 V 360 PF @ 25 V. - - - 50W (TC)
IRFP245 Harris Corporation IRFP245 1.5400
RFQ
ECAD 400 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 MOSFET (Metalloxid) To-247 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 250 V 14a (TC) 10V 340Mohm @ 10a, 10V 4v @ 250 ähm 59 NC @ 10 V ± 20 V 1300 PF @ 25 V. - - - 150W (TC)
RF1S530 Harris Corporation RF1S530 0,9300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1
IRF442 Harris Corporation IRF442 1.4600
RFQ
ECAD 8591 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 MOSFET (Metalloxid) To-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 4 N-Kanal 500 V 7a (TC) 10V 1,1OHM @ 4,4a, 10V 4v @ 250 ähm 63 NC @ 10 V ± 20 V 1225 PF @ 25 V. - - - 125W (TC)
RF1S540 Harris Corporation RF1S540 1.1100
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-262-3 lange leitet, i²pak, to-262aaa MOSFET (Metalloxid) I2pak (to-262) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Reichweiite Betroffen Ear99 0000.00.0000 1 N-Kanal 100 v 28a (TC) 10V 77mohm @ 17a, 10V 4v @ 250 ähm 59 NC @ 10 V ± 20 V 1450 PF @ 25 V. - - - 150W (TC)
RLD03N06CLESM Harris Corporation RLD03N06Clesm 0,7700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1
RFP30N6LER4541 Harris Corporation RFP30N6LER4541 0,4200
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv RFP30 - - - - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8542.39.0001 1 - - -
HUF75345P3 Harris Corporation HUF75345p3 - - -
RFQ
ECAD 1337 0.00000000 Harris Corporation Ultrafet ™ Rohr Veraltet -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 MOSFET (Metalloxid) To-220-3 Herunterladen Rohs Nick Konform Ear99 8541.29.0095 119 N-Kanal 55 v 75a (TC) 10V 7mohm @ 75a, 10V 4v @ 250 ähm 275 NC @ 20 V ± 20 V 4000 PF @ 25 V. - - - 325W (TC)
RLP03N06CLE Harris Corporation RLP03N06CL 0,4500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1
RF1S530SM9A Harris Corporation RF1S530SM9A 0,8800
RFQ
ECAD 800 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv Herunterladen Verkäfer undefiniert Reichweiite Betroffen 2156-RF1S530SM9A-600026 1
TIP117 Harris Corporation TIP117 - - -
RFQ
ECAD 9187 0.00000000 Harris Corporation - - - Rohr Veraltet -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 2 w To-220-3 Herunterladen Rohs Nick Konform Ear99 8541.29.0095 50 100 v 2 a 2ma PNP - Darlington 2,5 V @ 8ma, 2a 1000 @ 1a, 4V - - -
HGTD3N60B3S Harris Corporation Hgtd3n60b3s 0,5200
RFQ
ECAD 944 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-252-3, dpak (2 Leitet + Tab), SC-63 Standard 33,3 w To-252-3 (dpak) Herunterladen Rohs Nick Konform 3 (168 Stunden) Verkäfer undefiniert Ear99 0000.00.0000 1 480 V, 3,5a, 82 Ohm, 15 V. 16 ns - - - 600 V 7 a 20 a 2,1 V @ 15V, 3,5a 66 µJ (EIN), 88 um (AUS) 21 NC 18ns/105ns
RCA8766 Harris Corporation RCA8766 - - -
RFQ
ECAD 9172 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 150 w To-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 99 350 V 10 a 1ma NPN - Darlington 1,5 V @ 200 Ma, 6a 100 @ 6a, 3v - - -
HGTP20N35F3VL Harris Corporation HGTP20N35F3VL 1.9200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 3 (168 Stunden) Verkäfer undefiniert Ear99 8542.39.0001 1
D42C11X Harris Corporation D42C11x 0,4400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv - - - Nicht Anwendbar 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert 0000.00.0000 1
IRFPG42 Harris Corporation IRFPG42 2.2700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 MOSFET (Metalloxid) To-247 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 1000 v 3.9a (TC) 10V 4,2OHM @ 2,5a, 10 V. 4v @ 250 ähm 120 nc @ 10 v ± 20 V - - - 150W (TC)
2N6487 Harris Corporation 2N6487 0,9600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 2N6487 1,8 w To-220ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 314 60 v 15 a 1ma Npn 3,5 V @ 5a, 15a 20 @ 5a, 4V 5MHz
RCA1001 Harris Corporation RCA1001 1.0000
RFQ
ECAD 1599 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-204aa, to-3 90 w To-3 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 80 v 8 a 500 ähm NPN - Darlington 4v @ 40 mA, 8a 1000 @ 3a, 3v - - -
RF1S23N06LESM Harris Corporation RF1S23N06LESM 0,5900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv - - - Oberflächenhalterung To-263-3, d²pak (2 Leitete + Tab), to-263ab MOSFET (Metalloxid) To-263ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 60 v 23a - - - - - - - - - - - - - - - - - -
TIP30B Harris Corporation TIP30B 0,3200
RFQ
ECAD 9 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 2 w To-220 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 80 v 1 a 300 µA PNP 700 MV @ 125 Ma, 1a 40 @ 200 Ma, 4V 3MHz
2N6387 Harris Corporation 2N6387 1.2200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-220-3 2N6387 2 w To-220ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8542.39.0001 247 60 v 10 a 1ma NPN - Darlington 3v @ 100 mA, 10a 1000 @ 5a, 3V - - -
CA3097E Harris Corporation CA3097E 0,5700
RFQ
ECAD 2993 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv 50V - - - K. Loch 0,300 ", 7,62 mm) CA3097 16-Pdip Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.59.0080 96 100 mA, 10 mA NPN, PNP (Emitter Gekoppelt)
CA3183EX Harris Corporation CA3183EX 1.0000
RFQ
ECAD 7671 0.00000000 Harris Corporation * Schüttgut Aktiv CA3183 - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.21.0095 1
MJH13090 Harris Corporation MJH13090 - - -
RFQ
ECAD 2647 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-218-3 isolierte Tab, to-218ac 125 w To-218 isolier Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 46 400 V 15 a 3ma Npn 3v @ 3a, 15a 8 @ 10a, 3v - - -
IRFU422 Harris Corporation IRFU422 - - -
RFQ
ECAD 5221 0.00000000 Harris Corporation - - - Schüttgut Aktiv -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch TO-251-3 Kurze Leads, ipak, to-251aaa MOSFET (Metalloxid) I-Pak Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Verkäfer undefiniert Ear99 8541.29.0095 740 N-Kanal 500 V 2.2a (TC) 10V 4OHM @ 1,3a, 10V 4v @ 250 ähm 19 NC @ 10 V ± 20 V 350 PF @ 25 V. - - - 50W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus