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Transistoren(836)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Leistung – max	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	Andere Namen	ECCN	HTSUS	Standardpaket	FET-Typ	Testbedingung	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)	Reverse Recovery Time (trr)	IGBT-Typ	Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (Max)	Strom – Kollektor gepulst (Icm)	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	Energie wechseln	Tor-Gebühr	Td (ein/aus) bei 25 °C	Spannung - Durchschlag (V(BR)GSS)	Strom – Entleerung (Idss) @ Vds (Vgs=0)	Spannung – Abschaltung (VGS aus) @ Id	Strom – Kollektorabschaltung (max.)	Transistortyp	Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	Häufigkeit – Übergang
TIP12525	-	Anfrage	8782	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									-	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.21.0095	1
RF1S25N06SM9A	0,6300	Anfrage	4	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv									herunterladen	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	800
IRF341	1.4400	Anfrage	3	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-204AA, TO-3			MOSFET (Metalloxid)		ZU-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal		350 V	10A (Tc)	10V	550 mOhm bei 5,2 A, 10 V	4 V bei 250 µA	63 nC bei 10 V	±20V	1250 pF bei 25 V	-	125 W (Tc)
RFP15N05L	0,8500	Anfrage	404	Harris Corporation	-	Rohr	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform				EAR99	8541.29.0095	400	N-Kanal		50 V	15A (Tc)	5V	140 mOhm bei 15 A, 5 V	2V bei 250µA		±10V	900 pF bei 25 V	-	60 W (Tc)
IRFP351	2.0300	Anfrage	323	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-247	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal		350 V	16A (Tc)	10V	300 mOhm bei 8,9 A, 10 V	4 V bei 250 µA	130 nC bei 10 V	±20V	2000 pF bei 25 V	-	180 W (Tc)
IRF623	0,3300	Anfrage	1757	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	737	N-Kanal		150 V	4A (Tc)	10V	1,2 Ohm bei 2,5 A, 10 V	4 V bei 250 µA	15 nC bei 10 V	±20V	450 pF bei 25 V	-	40 W (Tc)
BUZ21P2	0,7600	Anfrage	2686	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv				BUZ21		-			-	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert			0000.00.0000	289											-
IRF121-0001	0,7900	Anfrage	500	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									-	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8542.39.0001	1
RF1S640SM	2.5300	Anfrage	665	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-263-3, D²Pak (2 Leitungen + Lasche), TO-263AB			MOSFET (Metalloxid)		TO-263AB	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH betroffen		EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal		200 V	18A (Tc)		180 mOhm bei 10 A, 10 V	4 V bei 250 µA	64 nC bei 10 V	±20V	1275 pF bei 25 V	-	125 W (Tc)
IRF543	0,7700	Anfrage	965	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal		80 V	25A (Tc)	10V	100 mOhm bei 17 A, 10 V	4 V bei 250 µA	59 nC bei 10 V	±20V	1450 pF bei 25 V	-	150 W (Tc)
HGTP14N0FVLR4600	-	Anfrage	9929	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									-	Nicht zutreffend	3 (168 Stunden)	Anbieter nicht definiert				1
HGTH12N50C1D	2.3000	Anfrage	483	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-218-3 isolierte Lasche, TO-218AC		Standard		75 W	TO-218 isoliert	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1		-											100 ns	-	500 V	12 A	17,5 A	3,2 V bei 20 V, 17,5 A	-	19 nC	-
RFP15N08L	0,5700	Anfrage	49	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal		80 V	15A (Tc)	5V	140 mOhm bei 7,5 A, 5 V	2,5 V bei 1 mA	80 nC bei 10 V	±10V		-	72W (Tc)
BUZ42	0,6300	Anfrage	2698	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	380	N-Kanal		500 V	4A (Tc)	10V	2 Ohm bei 2,5 A, 10 V	4V bei 1mA		±20V	2000 pF bei 25 V	-	75 W (Tc)
RFP2N12	0,4600	Anfrage	1	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal		120 V	2A (Tc)	10V	1,75 Ohm bei 2 A, 10 V	4 V bei 250 µA		±20V	200 pF bei 25 V	-	25W (Tc)
RFH30N15	3.9100	Anfrage	1	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-218-3 isolierte Lasche, TO-218AC			MOSFET (Metalloxid)		TO-218 isoliert	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal		150 V	30A (Tc)	10V	75 mOhm bei 15 A, 10 V	4V bei 1mA		±20V	3000 pF bei 25 V	-	150 W (Tc)
2N6968	4.2100	Anfrage	748	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									-	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1
HGTG40N60B3	1.0000	Anfrage	4143	Harris Corporation	-	Rohr	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3		Standard		290 W	TO-247	herunterladen	Nicht RoHS-konform				EAR99	8541.29.0095	450		480V, 40A, 3Ohm, 15V												-	600 V	70 A	330 A	2V bei 15V, 40A	1,05 mJ (ein), 800 µJ (aus)	250 nC	47ns/170ns
2N3393	0,3200	Anfrage	1	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	2N339			625 mW	TO-92-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.21.0095	1															25 V	500mA									100nA (ICBO)	NPN	-	90 bei 2 mA, 4,5 V	-
IGTM20N50	1.0000	Anfrage	4800	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-	Durchgangsloch	TO-204AA, TO-3		Standard			ZU-3	herunterladen					EAR99	8542.39.0001	1		-												-	500 V	20 A		-	-		-
RFH75N05	4.1100	Anfrage	80	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-	Durchgangsloch	TO-218-3 isolierte Lasche, TO-218AC			MOSFET (Metalloxid)		TO-218 isoliert	herunterladen	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	80	N-Kanal		50 V	-	-	-	-		-		-	-
IRF821	-	Anfrage	9372	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	390	N-Kanal		450 V	2,5 A (Tc)	10V	3 Ohm bei 1,4 A, 10 V	4 V bei 250 µA	19 nC bei 10 V	±20V	360 pF bei 25 V	-	50 W (Tc)
CA3083R4339-HC	0,4600	Anfrage	1	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									-	Nicht zutreffend	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert			0000.00.0000	1
RFP40N10LE	1.0000	Anfrage	9740	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									herunterladen		Anbieter nicht definiert	REACH betroffen	2156-RFP40N10LE-600026			1
RFM12P08	1.5000	Anfrage	358	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-204AA, TO-3			MOSFET (Metalloxid)		ZU-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1	P-Kanal		80 V	12A (Tc)	10V	300 mOhm bei 6 A, 10 V	4V bei 1mA		±20V	1500 pF bei 25 V	-	100 W (Tc)
2N5362	1.1200	Anfrage	1346	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-	Durchgangsloch	TO-206AF, TO-72-4 Metalldose				300 mW	TO-72-4	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.21.0095	2	N-Kanal		40 V							6pF bei 15V												40 V	4 mA bei 15 V	2 V bei 100 nA
IRFU422	-	Anfrage	5221	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA			MOSFET (Metalloxid)		I-PAK	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	740	N-Kanal		500 V	2,2A (Tc)	10V	4 Ohm bei 1,3 A, 10 V	4 V bei 250 µA	19 nC bei 10 V	±20V	350 pF bei 25 V	-	50 W (Tc)
IGTM10N50	1.5500	Anfrage	234	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-	Durchgangsloch	TO-204AA, TO-3		Standard			ZU-3	herunterladen	Nicht zutreffend	3 (168 Stunden)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8542.39.0001	1		-												-	500 V	10 A		-	-		-
IRFD9110	0,3700	Anfrage	15	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	4-DIP (0,300", 7,62 mm)	IRFD9110		MOSFET (Metalloxid)		4-DIP, Hexdip, HVMDIP	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	807	P-Kanal		100 V	700mA (Ta)	10V	1,2 Ohm bei 420 mA, 10 V	4 V bei 250 µA	8,7 nC bei 10 V	±20V	200 pF bei 25 V	-	1,3 W (Ta)
D45C4	-	Anfrage	7680	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3				30 W	TO-220	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH betroffen		EAR99	8541.29.0075	115															45 V	4 A									10 µA	PNP	500 mV bei 100 mA, 1 A	25 bei 1A, 1V	40 MHz

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Standardprodukteinheit
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Transistoren(836)

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