Anfrage
Stückliste
Kontaktieren Sie uns

Tel: +86-0755-83501315

E-Mail:sales@sic-components.com

Anmelden

Deutsch

Transistoren(836)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Eingabetyp	Technologie	Leistung – max	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	Andere Namen	ECCN	HTSUS	Standardpaket	Konfiguration	FET-Typ	Testbedingung	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)	Reverse Recovery Time (trr)	IGBT-Typ	Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (Max)	Strom – Kollektor gepulst (Icm)	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	Energie wechseln	Tor-Gebühr	Td (ein/aus) bei 25 °C	Spannung - Durchschlag (V(BR)GSS)	Strom – Entleerung (Idss) @ Vds (Vgs=0)	Spannung – Abschaltung (VGS aus) @ Id	Strom – Kollektorabschaltung (max.)	Transistortyp	Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	Häufigkeit – Übergang
10N50F1D	-	Anfrage	9713	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									-						0000.00.0000	169
IRFF223	1.1600	Anfrage	1	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-205AF Metalldose			MOSFET (Metalloxid)		TO-205AF (TO-39)	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal		150 V	3A (Tc)	10V	1,2 Ohm bei 2 A, 10 V	4 V bei 250 µA	15 nC bei 10 V	±20V	450 pF bei 25 V	-	20W (Tc)
RFIS40N10LE	1.3700	Anfrage	800	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv				RFIS40		-			-	Nicht anwendbar	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8542.39.0001	1												-
IRF341	1.4400	Anfrage	3	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-204AA, TO-3			MOSFET (Metalloxid)		ZU-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal		350 V	10A (Tc)	10V	550 mOhm bei 5,2 A, 10 V	4 V bei 250 µA	63 nC bei 10 V	±20V	1250 pF bei 25 V	-	125 W (Tc)
HRF3205	1.4600	Anfrage	6230	Harris Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220-3	-	Nicht RoHS-konform				EAR99	8541.29.0095	400		N-Kanal		55 V	100A (Tc)	10V	8 mOhm bei 59 A, 10 V	4 V bei 250 µA	170 nC bei 10 V	±20V	4000 pF bei 25 V	-	175 W (Tc)
ICL7149CM44	5.4000	Anfrage	235	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									herunterladen		Anbieter nicht definiert	REACH betroffen	2156-ICL7149CM44-600026			1
BDX34B	-	Anfrage	8182	Harris Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3				70 W	TO-220	herunterladen	Nicht RoHS-konform				EAR99	8541.29.0095	200																80 V	10 A									500µA	PNP – Darlington	2,5 V bei 6 mA, 3 A	750 bei 3A, 3V	-
IRFP351	2.0300	Anfrage	323	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-247	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal		350 V	16A (Tc)	10V	300 mOhm bei 8,9 A, 10 V	4 V bei 250 µA	130 nC bei 10 V	±20V	2000 pF bei 25 V	-	180 W (Tc)
IRF541	1.5800	Anfrage	4	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal		80 V	28A (Tc)	10V	77 mOhm bei 17 A, 10 V	4 V bei 250 µA	59 nC bei 10 V	±20V	1450 pF bei 25 V	-	150 W (Tc)
HGTD3N60B3	0,5100	Anfrage	4	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA		Standard		33,3 W	I-PAK	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1			480 V, 3,5 A, 82 Ohm, 15 V											16 ns	-	600 V	7 A	20 A	2,1 V bei 15 V, 3,5 A	66µJ (ein), 88µJ (aus)	21 nC	18ns/105ns
IRFP245	1.5400	Anfrage	400	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-247	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal		250 V	14A (Tc)	10V	340 mOhm bei 10 A, 10 V	4 V bei 250 µA	59 nC bei 10 V	±20V	1300 pF bei 25 V	-	150 W (Tc)
RCA8766	-	Anfrage	9172	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-65°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-204AA, TO-3				150 W	ZU-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	99																350 V	10 A									1mA	NPN – Darlington	1,5 V bei 200 mA, 6 A	100 bei 6A, 3V	-
SK3991	6.1400	Anfrage	986	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-	Durchgangsloch	TO-206AF, TO-72-4 Metalldose	SK399		MOSFET (Metalloxid)	360 mW	TO-72	herunterladen	Nicht anwendbar	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.21.0095	1	2 N-Kanal (Dual)			25V	30mA		-	-	-		-	-
2N6500	29.4000	Anfrage	60	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-	Durchgangsloch	TO-213AA, TO-66-2				20 W	TO-66	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.30.0080	12																110 V	4 A									-	NPN	-	15 @ 3A, 2V	60 MHz
IRFR1109A	0,3600	Anfrage	2	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv				IRFR1109		-			herunterladen	Nicht anwendbar	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	0000.00.0000	2.500												-
HGTP20N35F3VL	1.9200	Anfrage	1	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									-	Nicht anwendbar	3 (168 Stunden)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8542.39.0001	1
IRFR21496	0,3200	Anfrage	993	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv				IRFR214		-			-	Nicht anwendbar	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8542.39.0001	993												-
IGT6D10	2.0700	Anfrage	8868	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-204AA		Logik		75 W	ZU-3	herunterladen	Nicht anwendbar	3 (168 Stunden)	Anbieter nicht definiert		EAR99	0000.00.0000	106			-												-	400 V	10 A	40 A	2,7 V bei 15 V, 10 A	-		-
IRFD213	0,5900	Anfrage	5	Harris Corporation	-	Rohr	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	4-DIP (0,300", 7,62 mm)			MOSFET (Metalloxid)		4-HVMDIP	herunterladen	Nicht RoHS-konform				EAR99	8541.29.0095	2.500		N-Kanal		250 V	450mA (Ta)		2 Ohm bei 270 mA, 10 V	4 V bei 250 µA	8,2 nC bei 10 V		140 pF bei 25 V	-	-
IRF821	-	Anfrage	9372	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220AB	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	390		N-Kanal		450 V	2,5 A (Tc)	10V	3 Ohm bei 1,4 A, 10 V	4 V bei 250 µA	19 nC bei 10 V	±20V	360 pF bei 25 V	-	50 W (Tc)
BD240A	-	Anfrage	3864	Harris Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3				30 W	TO-220	herunterladen	ROHS3-konform				EAR99	8541.29.0095	253																60 V	2 A									300µA	PNP	700 mV bei 200 mA, 1 A	40 bei 200 mA, 4 V	-
BUZ60BU	9.8400	Anfrage	200	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv				BUZ60		-			-	Nicht anwendbar	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert			0000.00.0000	1												-
IRF623	0,3300	Anfrage	1757	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3			MOSFET (Metalloxid)		TO-220-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	737		N-Kanal		150 V	4A (Tc)	10V	1,2 Ohm bei 2,5 A, 10 V	4 V bei 250 µA	15 nC bei 10 V	±20V	450 pF bei 25 V	-	40 W (Tc)
RFP40N10LE	1.0000	Anfrage	9740	Harris Corporation	*	Schüttgut	Aktiv									herunterladen		Anbieter nicht definiert	REACH betroffen	2156-RFP40N10LE-600026			1
RFM12P08	1.5000	Anfrage	358	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-204AA, TO-3			MOSFET (Metalloxid)		ZU-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	1		P-Kanal		80 V	12A (Tc)	10V	300 mOhm bei 6 A, 10 V	4V bei 1mA		±20V	1500 pF bei 25 V	-	100 W (Tc)
2N5362	1.1200	Anfrage	1346	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-	Durchgangsloch	TO-206AF, TO-72-4 Metalldose				300 mW	TO-72-4	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	8541.21.0095	2		N-Kanal		40 V							6pF bei 15V												40 V	4 mA bei 15 V	2 V bei 100 nA
IRFU422	-	Anfrage	5221	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-251-3 kurze Leitungen, IPak, TO-251AA			MOSFET (Metalloxid)		I-PAK	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8541.29.0095	740		N-Kanal		500 V	2,2A (Tc)	10V	4 Ohm bei 1,3 A, 10 V	4 V bei 250 µA	19 nC bei 10 V	±20V	350 pF bei 25 V	-	50 W (Tc)
IGTM10N50	1.5500	Anfrage	234	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-	Durchgangsloch	TO-204AA, TO-3		Standard			ZU-3	herunterladen	Nicht anwendbar	3 (168 Stunden)	Anbieter nicht definiert		EAR99	8542.39.0001	1			-												-	500 V	10 A		-	-		-
IRFD9110	0,3700	Anfrage	15	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	4-DIP (0,300", 7,62 mm)	IRFD9110		MOSFET (Metalloxid)		4-DIP, Hexdip, HVMDIP	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt		EAR99	0000.00.0000	807		P-Kanal		100 V	700mA (Ta)	10V	1,2 Ohm bei 420 mA, 10 V	4 V bei 250 µA	8,7 nC bei 10 V	±20V	200 pF bei 25 V	-	1,3 W (Ta)
D45C4	-	Anfrage	7680	Harris Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-220-3				30 W	TO-220	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH betroffen		EAR99	8541.29.0075	115																45 V	4 A									10 µA	PNP	500 mV bei 100 mA, 1 A	25 bei 1A, 1V	40 MHz

2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
Lager vorrätig

Transistoren(836)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²