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Transistoren (181)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Biebstemperatur | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ALD110800ASCL | 8.6000 |  | 436 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Rohr | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) | ALD110800 | MOSFET (Metalloxid) | 500 MW | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1014-1017 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n-kanal, passendes Paar | 10.6v | - - - | 500OHM @ 4V | 10 mV @ 1 µA | - - - | 2.5PF @ 5v | - - - |
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