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Transistoren (181)
| Bild | Produktnummer | Bestandteil (USD) | Menge | ECAD | Menge Verfügbar | Gewicht (kg) | Mfr | Serie | Paket | Produktstatus | Spannung - Bewort | Biebstemperatur | Anwendungen | Montagetyp | Paket / Herbst | Grundproduktnummer | Technologie | Kraft - Max | LEEFERANTENGERATEPAKET | Datenblatt | ROHS -STATUS | FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) | Status Erreichen | Andere Namen | Eccn | Htsus | Standardpaket | Konfiguration | Aktuelle Bewertung (Verstärker) | ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) | Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C | Rds on (max) @ id, vgs | Vgs (th) (max) @ id | Gate Ladung (qg) (max) @ vgs | Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds | FET -Fungion | Transistortyp |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ALD1101BPAL | 8.8038 |  | 6794 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | ALD1101 | MOSFET (Metalloxid) | 500 MW | 8-Pdip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N-Kanal (Dual) Matched-Paar | 10.6v | - - - | 75OHM @ 5V | 1 V @ 10 µA | - - - | - - - | - - - | ||||||
 | ALD1101Asal | 9.4700 | | 46 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | ALD1101 | MOSFET (Metalloxid) | 500 MW | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1014-1001 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N-Kanal (Dual) Matched-Paar | 10.6v | - - - | 75OHM @ 5V | 1 V @ 10 µA | - - - | - - - | - - - | |||||
| ALD1101BSAL | 6.6082 | | 5829 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | ALD1101 | MOSFET (Metalloxid) | 500 MW | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1014-1217 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N-Kanal (Dual) Matched-Paar | 10.6v | 40 ma | - - - | - - - | - - - | - - - | - - - | |||||
 | ALD1108ESCL | 5.2920 | | 7993 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Rohr | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) | ALD1108 | MOSFET (Metalloxid) | 600 MW | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n-kanal, passendes Paar | 10V | - - - | 500OHM @ 5V | 1,01 V @ 1 µA | - - - | 25pf @ 5v | - - - | ||||||
| ALD110902PAL | 5.6464 | | 9379 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Rohr | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | ALD110902 | MOSFET (Metalloxid) | 500 MW | 8-Pdip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1014-1034 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N-Kanal (Dual) Matched-Paar | 10.6v | - - - | 500OHM @ 4.2V | 220 mV @ 1 µA | - - - | 2.5PF @ 5v | - - - | |||||
| ALD910017SALI | 5.3628 | | 7115 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | SAB ™ | Rohr | Aktiv | 10.6v | Superkondensator Autoausgle | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | ALD910017 | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 80 Ma | 2 n-kanal (dual) | |||||||||||||
 | ALD810029SCLI | 5.7432 | | 1062 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | - - - | Superkondensator Autoausgle | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) | ALD810029 | 16-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1014-ALD810029SCLI | 50 | - - - | 4 N-Kanal | |||||||||||||||
| ALD910030SALI | 5.7854 | | 5473 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | - - - | Superkondensator Autoausgle | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | ALD910030 | 8-soic | Herunterladen | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1014-ALD910030SALI | 50 | - - - | 2 n-kanal (dual) | |||||||||||||||
| ALD910026SALI | 5.3812 | | 1253 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | SAB ™ | Rohr | Aktiv | 10.6v | Superkondensator Autoausgle | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | ALD910026 | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 80 Ma | 2 n-kanal (dual) | |||||||||||||
| ALD1102SAL | 6.9000 | | 54 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | ALD1102 | MOSFET (Metalloxid) | 500 MW | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1014-1007 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 p-kanal (Dual) Matched Pair | 10.6v | - - - | 270ohm @ 5v | 1,2 V @ 10 µA | - - - | 10pf @ 5v | - - - | |||||
| ALD212904PAL | 5.6826 | | 2870 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Rohr | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | ALD212904 | MOSFET (Metalloxid) | 500 MW | 8-Pdip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N-Kanal (Dual) Matched-Paar | 10.6v | 80 Ma | - - - | 20mV @ 10 µA | - - - | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| ALD910017SAL | 4.2762 | | 8051 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | SAB ™ | Rohr | Aktiv | 10.6v | Superkondensator Autoausgle | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | ALD910017 | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1014-1277-5 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 80 Ma | 2 n-kanal (dual) | ||||||||||||
| ALD212900Asal | 6.1776 | | 1333 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Rohr | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | ALD212900 | MOSFET (Metalloxid) | 500 MW | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1014-1211 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N-Kanal (Dual) Matched-Paar | 10.6v | 80 Ma | 14ohm | 10 mV @ 20 µA | - - - | 30pf @ 5v | Logikpegel -tor | |||||
| ALD114813SCL | 5.8826 | | 3801 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Rohr | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) | ALD114813 | MOSFET (Metalloxid) | 500 MW | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1014-1058 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n-kanal, passendes Paar | 10.6v | 12 Ma, 3ma | 500OHM @ 2,7 V. | 1,26 V @ 1 µA | - - - | 2.5PF @ 5v | Depletion -modus | |||||
 | ALD210808PCL | 5.8764 | | 1991 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Rohr | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | K. Loch | 0,300 ", 7,62 mm) | ALD210808 | MOSFET (Metalloxid) | 500 MW | 16-Pdip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n-kanal, passendes Paar | 10.6v | 80 Ma | - - - | 20mV @ 10 µA | - - - | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| ALD114904PAL | 5.8118 | | 4355 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Rohr | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | ALD114904 | MOSFET (Metalloxid) | 500 MW | 8-Pdip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1014-1063 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N-Kanal (Dual) Matched-Paar | 10.6v | 12 Ma, 3ma | 500OHM @ 3,6 V. | 360 mV @ 1 µA | - - - | 2.5PF @ 5v | Depletion -modus | |||||
| ALD1108EPCL | - - - | | 2223 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Rohr | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | K. Loch | 0,300 ", 7,62 mm) | ALD1108 | MOSFET (Metalloxid) | 600 MW | 16-Pdip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n-kanal, passendes Paar | 10V | - - - | 500OHM @ 5V | 1,01 V @ 1 µA | - - - | 25pf @ 5v | - - - | ||||||
| ALD110908APAL | 7.8996 | | 4117 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Rohr | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | ALD110908 | MOSFET (Metalloxid) | 500 MW | 8-Pdip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1014-1038 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N-Kanal (Dual) Matched-Paar | 10.6v | 12 Ma, 3ma | 500OHM @ 4,8 V. | 810 mV @ 1 µA | - - - | 2.5PF @ 5v | - - - | |||||
| ALD1102Asal | 9.4700 | | 4188 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | ALD1102 | MOSFET (Metalloxid) | 500 MW | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1014-1005 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 p-kanal (Dual) Matched Pair | 10.6v | - - - | 270ohm @ 5v | 1,2 V @ 10 µA | - - - | - - - | - - - | |||||
| ALD810020SCLI | 5.5750 | | 7088 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | SAB ™ | Rohr | Aktiv | 10.6v | Superkondensator Autoausgle | Oberflächenhalterung | 16-soic (0,154 ", 3,90 mm BreiTe) | ALD810020 | 16-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 80 Ma | 4 N-Kanal | |||||||||||||
 | ALD1115MAL | - - - | | 4197 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - - - | Rohr | Veraltet | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118 ", 3,00 mm Breit) | Ald1115 | MOSFET (Metalloxid) | 500 MW | 8-msop | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | N-und p-kanal-krementär | 10.6v | - - - | 1800ohm @ 5v | 1 V @ 1 µA | - - - | 3PF @ 5v | - - - | ||||||
| ALD910016SAL | 4.2762 | | 2329 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | SAB ™ | Rohr | Aktiv | 10.6v | Superkondensator Autoausgle | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | ALD910016 | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1014-1276-5 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 80 Ma | 2 n-kanal (dual) | ||||||||||||
| ALD310708APCL | 10.1814 | | 2890 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Rohr | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C. | K. Loch | 0,300 ", 7,62 mm) | ALD310708 | MOSFET (Metalloxid) | 500 MW | 16-Pdip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1014-1296 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 p-kanal, passendes paar | 8v | - - - | - - - | 780 mV @ 1 µA | - - - | 2.5PF @ 5v | - - - | |||||
| ALD1116PAL | 5.6500 | | 102 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | - - - | Rohr | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | Ald1116 | MOSFET (Metalloxid) | 500 MW | 8-Pdip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1014-1046 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N-Kanal (Dual) Matched-Paar | 10.6v | - - - | 500OHM @ 5V | 1 V @ 1 µA | - - - | 3PF @ 5v | - - - | |||||
| ALD114935PAL | 6.0054 | | 3158 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Rohr | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | ALD114935 | MOSFET (Metalloxid) | 500 MW | 8-Pdip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1014-1067 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N-Kanal (Dual) Matched-Paar | 10.6v | 12 Ma, 3ma | 540OHM @ 0V | 3,45 V @ 1 µA | - - - | 2.5PF @ 5v | Depletion -modus | |||||
| Ald1110esal | 6.8234 | | 7127 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Rohr | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | Ald1110 | MOSFET (Metalloxid) | 600 MW | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N-Kanal (Dual) Matched-Paar | 10V | - - - | 500OHM @ 5V | 1,01 V @ 1 µA | - - - | 2.5PF @ 5v | - - - | ||||||
| ALD210800APCL | 9.7600 | | 56 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Rohr | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | K. Loch | 0,300 ", 7,62 mm) | ALD210800 | MOSFET (Metalloxid) | 500 MW | 16-Pdip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1014-1216 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n-kanal, passendes Paar | 10.6v | 80 Ma | 25ohm | 10 mV @ 10 µA | - - - | 15pf @ 5v | Logikpegel -tor | |||||
| ALD212904SAL | 5.6228 | | 1634 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Rohr | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | Oberflächenhalterung | 8-Soic (0,154 ", 3,90 mm Breit) | ALD212904 | MOSFET (Metalloxid) | 500 MW | 8-soic | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N-Kanal (Dual) Matched-Paar | 10.6v | 80 Ma | - - - | 20mV @ 10 µA | - - - | - - - | Logikpegel -tor | ||||||
| ALD114913PAL | 5.4888 | | 6588 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD® | Rohr | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | ALD114913 | MOSFET (Metalloxid) | 500 MW | 8-Pdip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | 1014-1065 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N-Kanal (Dual) Matched-Paar | 10.6v | 12 Ma, 3ma | 500OHM @ 2,7 V. | 1,26 V @ 1 µA | - - - | 2.5PF @ 5v | Depletion -modus | |||||
| ALD212908APAL | 8.6100 | | 1848 | 0.00000000 | Advanced Linear Devices Inc. | EPAD®, Zero Threshold ™ | Rohr | Aktiv | 0 ° C ~ 70 ° C (TJ) | K. Loch | 8-DIP (0,300 ", 7,62 mm) | ALD212908 | MOSFET (Metalloxid) | 500 MW | 8-Pdip | Herunterladen | ROHS3 -KONFORM | 1 (unbegrenzt) | UnberÜHrt Ereichen | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2 N-Kanal (Dual) Matched-Paar | 10.6v | 80 Ma | - - - | 20mV @ 10 µA | - - - | - - - | Logikpegel -tor |
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