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Transistoren(2)

Bild	Produktnummer	Preis (USD)	Menge	ECAD	Verfügbare Menge	Gewicht (kg)	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Technologie	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	ECCN	HTSUS	Standardpaket	FET-Typ	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)
	XR46000ESE	-	Anfrage		9006	0,00000000	MaxLinear, Inc.	-	Schüttgut	Veraltet	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-261-4, TO-261AA		MOSFET (Metalloxid)	SOT-223-3	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.29.0095	1	N-Kanal	600 V	1,5A (Tc)	10V	8 Ohm bei 750 mA, 10 V	4 V bei 250 µA	7,5 nC bei 10 V	±30V	170 pF bei 25 V	-	20W (Tc)
	XR46000ESETR	-	Anfrage		3215	0,00000000	MaxLinear, Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Veraltet	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	TO-261-4, TO-261AA	XR46000	MOSFET (Metalloxid)	SOT-223-3	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	EAR99	8541.29.0095	2.500	N-Kanal	600 V	1,5A (Tc)	10V	8 Ohm bei 750 mA, 10 V	4 V bei 250 µA	7,5 nC bei 10 V	±30V	170 pF bei 25 V	-	20W (Tc)