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Transistoren(1315)

Produktnummer	Preis (USD)	Menge	Verfügbare Menge	Hersteller	Serie	Paket	Produktstatus	Betriebstemperatur	Montageart	Paket/Koffer	Basisproduktnummer	Technologie	Leistung – max	Eingang	Gerätepaket des Lieferanten	Datenblatt	RoHS-Status	Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)	REACH-Status	ECCN	HTSUS	Standardpaket	Konfiguration	FET-Typ	Gewinnen	Drain-Source-Spannung (Vdss)	Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	Rds On (Max) @ Id, Vgs	Vgs(th) (Max) @ Id	Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	Vgs (Max)	Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	FET-Funktion	Verlustleistung (max.)	IGBT-Typ	Spannung – Kollektor-Emitter-Ausfall (max.)	Strom - Kollektor (Ic) (Max)	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	Strom – Kollektorabschaltung (max.)	NTC-Thermistor	Eingangskapazität (Cies) bei Vce	Transistortyp	Vce-Sättigung (max.) bei Ib, Ic	Gleichstromverstärkung (hFE) (Min.) bei Ic, Vce	Häufigkeit – Übergang	Rauschzahl (dB Typ @ f)
10A015	-	Anfrage	8272	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	200°C (TJ)	Bolzenmontage	55 Fuß			6W		55 Fuß	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0075	1			9 dB ~ 9,5 dB												24V	750mA					NPN		20 bei 100 mA, 5 V	2,7 GHz	-
SD1536-08	-	Anfrage	7496	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	200°C (TJ)	Fahrgestellmontage	M105	SD1536		292W		M105	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0075	1			8,4 dB												65V	10A					NPN		5 bei 100 mA, 5 V	1,025 GHz ~ 1,15 GHz	-
2N7334	-	Anfrage	7989	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	14-DIP (0,300", 7,62 mm)	2N733	MOSFET (Metalloxid)	1,4W		MO-036AB	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1	4 N-Kanal			100V	1A		700 mOhm bei 600 mA, 10 V	4 V bei 250 µA	60 nC bei 10 V		-	-
MSC74070	-	Anfrage	5459	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet									-		1 (Unbegrenzt)		VERALTET	0000.00.0000	1
JAN2N6802	-	Anfrage	2975	Microsemi Corporation	Militär, MIL-PRF-19500/557	Schüttgut	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-205AF Metalldose		MOSFET (Metalloxid)			TO-39	-	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal		500 V	2,5 A (Tc)	10V	1,6 Ohm bei 2,5 A, 10 V	4 V bei 250 µA	33 nC bei 10 V	±20V		-	800 mW (Ta), 25 W (Tc)
APTC60DSKM45CT1G	-	Anfrage	1308	Microsemi Corporation	CoolMOS™	Schüttgut	Veraltet	-40°C ~ 150°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SP1	APTC60	MOSFET (Metalloxid)	250W		SP1	-		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	1	2 N-Kanal (Dual)			600V	49A		45 mOhm bei 24,5 A, 10 V	3,9 V bei 3 mA	150 nC bei 10 V		7200pF bei 25V	Super-Kreuzung
1517-110M	-	Anfrage	2881	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	-	Fahrgestellmontage	55AW-1			350W		55AW-1	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0075	1			7,3 dB ~ 8,6 dB												70V	9A					NPN		20 bei 1A, 5V	1,48 GHz ~ 1,65 GHz	-
MS2214	-	Anfrage	1053	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	250°C (TJ)	Fahrgestellmontage	M218			300W		M218	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	VERALTET	0000.00.0000	1			7,5 dB												55V	8A					NPN		20 bei 2A, 5V	960 MHz ~ 1.215 GHz	-
2N3811L	-	Anfrage	5128	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-78-6 Metalldose	2N3811		350 mW		TO-78-6	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.21.0095	1															60V	50mA		10µA (ICBO)			2 PNP (Dual)	250 mV bei 100 µA, 1 mA	300 bei 1 mA, 5 V	-
APTM20DAM10TG	-	Anfrage	4061	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	-40°C ~ 150°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SP4		MOSFET (Metalloxid)			SP4	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal		200 V	175A (Tc)	10V	12 mOhm bei 87,5 A, 10 V	5 V bei 5 mA	224 nC bei 10 V	±30V	13700 pF bei 25 V	-	694 W (Tc)
APT5022BNG	-	Anfrage	8230	Microsemi Corporation	POWER MOS IV®	Rohr	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3		MOSFET (Metalloxid)			TO-247AD	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	30		N-Kanal		500 V	27A (Tc)	10V	220 mOhm bei 13,5 A, 10 V	4V bei 1mA	210 nC bei 10 V	±30V	3500 pF bei 25 V	-	360 W (Tc)
APTGLQ25H120T2G	-	Anfrage	9380	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-40°C ~ 150°C (TJ)	Fahrgestellmontage	Modul	APTGLQ25		165 W	Standard	SP2	-	ROHS3-konform		REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1	Vollständige Brücke													Grabenfeldstopp	1200 V	50 A	2,42 V bei 15 V, 25 A	50 µA	Ja	1,43 nF bei 25 V
APTM50DHM35G	-	Anfrage	4534	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	-40°C ~ 150°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SP6	APTM50	MOSFET (Metalloxid)	781W		SP6	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	1	2 N-Kanal (Dual) Asymmetrisch			500V	99A		39 mOhm bei 49,5 A, 10 V	5 V bei 5 mA	280 nC bei 10 V		14000pF bei 25V	-
APT40SM120B	-	Anfrage	7432	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	-55°C ~ 175°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-247-3		SiCFET (Siliziumkarbid)			TO-247	-		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	100		N-Kanal		1200 V	41A (Tc)	20V	100 mOhm bei 20 A, 20 V	3 V bei 1 mA (typisch)	130 nC bei 20 V	+25V, -10V	2560 pF bei 1000 V	-	273W (Tc)
JANTX2N5013S	-	Anfrage	3156	Microsemi Corporation	Militär, MIL-PRF-19500/727	Schüttgut	Veraltet	-65°C ~ 200°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-205AD, TO-39-3 Metalldose			1 W		TO-39 (TO-205AD)	-	Nicht RoHS-konform	Nicht zutreffend		EAR99	8541.29.0095	1															800 V	200mA		10nA (ICBO)			NPN		30 bei 20 mA, 10 V	-
APTGF30A60T1G	-	Anfrage	2272	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	-	Fahrgestellmontage	SP1			140 W	Standard	SP1	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	1	Halbbrücke													NVV	600 V	42 A	2,45 V bei 15 V, 30 A	250 µA	Ja	1,35 nF bei 25 V
MS2575A	-	Anfrage	9629	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet									-		1 (Unbegrenzt)		VERALTET	0000.00.0000	1
MRF581G	-	Anfrage	1701	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	150°C (TJ)	Oberflächenmontage	Micro-X-Keramik (84C)	MRF581		1,25 W		Micro-X-Keramik (84C)	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0075	500			13 dB ~ 15,5 dB												18V	200mA					NPN		50 bei 50 mA, 5 V	5GHz	3 dB ~ 3,5 dB bei 500 MHz
JAN2N6790U	-	Anfrage	4404	Microsemi Corporation	Militär, MIL-PRF-19500/555	Schüttgut	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Oberflächenmontage	18-CLCC		MOSFET (Metalloxid)			18-ULCC (9,14 x 7,49)	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.21.0095	1		N-Kanal		200 V	2,8 A (Tc)	10V	850 mOhm bei 3,5 A, 10 V	4 V bei 250 µA	14,3 nC bei 10 V	±20V		-	800 mW (Tc)
APT5510JFLL	-	Anfrage	2720	Microsemi Corporation	POWER MOS 7®	Rohr	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SOT-227-4, miniBLOC		MOSFET (Metalloxid)			ISOTOP®	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	10		N-Kanal		550 V	44A (Tc)	10V	100 mOhm bei 22 A, 10 V	5 V bei 2,5 mA	124 nC bei 10 V	±30V	5823 pF bei 25 V	-	463W (Tc)
JANTXV2N7224	-	Anfrage	2605	Microsemi Corporation	Militär, MIL-PRF-19500/592	Schüttgut	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-254-3, TO-254AA (gerade Leitungen)		MOSFET (Metalloxid)			TO-254AA	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal		100 V	34A (Tc)	10V	81 mOhm bei 34 A, 10 V	4 V bei 250 µA	125 nC bei 10 V	±20V		-	4W (Ta), 150W (Tc)
APTM120SK56T1G	-	Anfrage	5832	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	-40°C ~ 150°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SP1		MOSFET (Metalloxid)			SP1	herunterladen		1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal		1200 V	18A (Tc)	10V	672 mOhm bei 14 A, 10 V	5 V bei 2,5 mA	300 nC bei 10 V	±30V	7736 pF bei 25 V	-	390 W (Tc)
APTM120DA29TG	-	Anfrage	6353	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	-40°C ~ 150°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SP4		MOSFET (Metalloxid)			SP4	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal		1200 V	34A (Tc)	10V	348 mOhm bei 17 A, 10 V	5 V bei 5 mA	374 nC bei 10 V	±30V	10300 pF bei 25 V	-	780 W (Tc)
APTGT50DSK60T3G	-	Anfrage	3355	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	-40°C ~ 175°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SP3			176 W	Standard	SP3	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1	Doppelter Buck-Chopper													Grabenfeldstopp	600 V	80 A	1,9 V bei 15 V, 50 A	250 µA	Ja	3,15 nF bei 25 V
APTGT75H60T2G	-	Anfrage	1814	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Aktiv	-40°C ~ 175°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SP2	APTGT75		250 W	Standard	SP2	herunterladen	ROHS3-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1	Vollbrückenwechselrichter													Grabenfeldstopp	600 V	100 A	1,9 V bei 15 V, 75 A	250 µA	Ja	4,62 nF bei 25 V
APTGT150SK60TG	-	Anfrage	7485	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Bei SIC eingestellt	-40°C ~ 175°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SP4			480 W	Standard	SP4	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	1	Einzeln													Grabenfeldstopp	600 V	225 A	1,9 V bei 15 V, 150 A	250 µA	Ja	9,2 nF bei 25 V
APTGF90DH60TG	-	Anfrage	3765	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Bei SIC eingestellt	-40°C ~ 150°C (TJ)	Fahrgestellmontage	SP4			416 W	Standard	SP4	herunterladen	RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)		EAR99	8541.29.0095	1	Asymmetrische Brücke													NVV	600 V	110 A	2,5 V bei 15 V, 90 A	250 µA	Ja	4,3 nF bei 25 V
2A8	-	Anfrage	6714	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	150°C (TJ)	Fahrgestellmontage	55EU			5,3 W		55EU	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0075	1			7 dB ~ 9 dB												21V	300mA					NPN		20 bei 100 mA, 5 V	2GHz	-
2N6764	-	Anfrage	3116	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	-55°C ~ 150°C (TJ)	Durchgangsloch	TO-204AE		MOSFET (Metalloxid)			ZU-3	herunterladen	Nicht RoHS-konform	1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0095	1		N-Kanal		100 V	38A (Tc)	10V	65 mOhm bei 38 A, 10 V	4 V bei 250 µA	125 nC bei 10 V	±20V		-	4W (Ta), 150W (Tc)
UTV8100B	-	Anfrage	8059	Microsemi Corporation	-	Schüttgut	Veraltet	200°C (TJ)	Fahrgestellmontage	55RT			290W		55RT	herunterladen		1 (Unbegrenzt)	REACH Unberührt	EAR99	8541.29.0075	1			8,5 dB ~ 9,5 dB												60V	15A					NPN		20 bei 1A, 5V	470 MHz ~ 860 MHz	-

2000+
Tägliches durchschnittliches RFQ-Volumen
30.000.000
Standardprodukteinheit
2800+
Weltweite Hersteller
15.000 m²
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Transistoren(1315)

2000+

30.000.000

2800+

15.000 m2

15.000 m²