SIC
close

Transistoren (1315)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) VCE (ON) (max) @ vge, IC Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
JAN2N6800U Microsemi Corporation Jan2N6800U - - -
RFQ
 ECAD 6695 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, Mil-PRF-19500/557 Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 18-cccc MOSFET (Metalloxid) 18-ulcc (9.14x7.49) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 400 V 3a (TC) 10V 1,1OHM @ 3a, 10V 4v @ 250 ähm 34,75 NC @ 10 V. ± 20 V - - - 800 MW (TA), 25W (TC)
MSC1350M Microsemi Corporation MSC1350m - - -
RFQ
 ECAD 6677 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet 200 ° C (TJ) Chassis -berg M218 720W M218 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1 7db ~ 7,1db 65 V 19,8a Npn 15 @ 1a, 5V 1.025 GHz ~ 1,15 GHz - - -
JAN2N1016B Microsemi Corporation Jan2N1016B - - -
RFQ
 ECAD 3727 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, MIL-PRF-19500/102 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 2n1016 150 w To-82 - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 100 v 7.5 a 1ma Npn 2,5 V @ 1a, 5a 20 @ 2a, 4V - - -
APT1002RBNG Microsemi Corporation APT1002RBNG - - -
RFQ
 ECAD 6456 0.00000000 Microsemi Corporation Power Mos IV® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-247-3 MOSFET (Metalloxid) To-247ad - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 30 N-Kanal 1000 v 8a (TC) 10V 1,6OHM @ 4a, 10V 4v @ 1ma 105 NC @ 10 V ± 30 v 1800 PF @ 25 V. - - - 240W (TC)
MS1030 Microsemi Corporation MS1030 - - -
RFQ
 ECAD 4963 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1
APTC90DDA12T1G Microsemi Corporation APTC90DDA12T1G - - -
RFQ
 ECAD 2767 0.00000000 Microsemi Corporation Coolmos ™ Tablett Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp1 Aptc90 MOSFET (Metalloxid) 250W Sp1 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 2 n -kanal (Doppel -Buck -hubschlaar) 900V 30a 120MOHM @ 26a, 10V 3,5 V @ 3ma 270nc @ 10v 6800PF @ 100V Super Junction
APTC60AM83BC1G Microsemi Corporation APTC60AM83BC1G - - -
RFQ
 ECAD 8492 0.00000000 Microsemi Corporation Coolmos ™ Tablett Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp1 Aptc60 MOSFET (Metalloxid) 250W Sp1 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 3 n -kanal (Phasenbein + Boost Chopper) 600V 36a 83mohm @ 24.5a, 10V 5v @ 3ma 250nc @ 10v 7200PF @ 25V Super Junction
APT50N60JCU2 Microsemi Corporation APT50N60JCU2 - - -
RFQ
 ECAD 6826 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc MOSFET (Metalloxid) SOT-227 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 600 V 52a (TC) 10V 45mohm @ 22.5a, 10V 3,9 V @ 3ma 150 NC @ 10 V. ± 20 V 7200 PF @ 25 V. - - - 290W (TC)
MRF581A Microsemi Corporation MRF581a - - -
RFQ
 ECAD 3282 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung Mikro-X-Keramik (84c) MRF581 1.25W Mikro-X-Keramik (84c) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 500 13 dB ~ 15,5 dB 15 v 200 ma Npn 90 @ 50 Ma, 5V 5GHz 3db ~ 3,5 dB @ 500MHz
23A008 Microsemi Corporation 23a008 - - -
RFQ
 ECAD 6727 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet 200 ° C (TJ) Chassis -berg 55BT 5W 55BT Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1 8,5 dB ~ 9,5 dB 22V 400 ma Npn 20 @ 100 Ma, 5V 3,7 GHz - - -
JANTX2N7236 Microsemi Corporation JantX2N7236 - - -
RFQ
 ECAD 4906 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, MIL-PRF-19500/595 Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-254-3, to-254aa (Gerade Leads) MOSFET (Metalloxid) To-254aa Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 P-Kanal 100 v 18a (TC) 10V 220mohm @ 18a, 10V 4v @ 250 ähm 60 nc @ 10 v ± 20 V - - - 4W (TA), 125W (TC)
2N7228U Microsemi Corporation 2N7228U - - -
RFQ
 ECAD 5727 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Oberflächenhalterung To-267ab MOSFET (Metalloxid) To-267ab Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 500 V 12a (TC) 10V 415Mohm @ 8a, 10V 4v @ 250 ähm 120 nc @ 10 v ± 20 V - - - 4W (TA), 150W (TC)
60168 Microsemi Corporation 60168 - - -
RFQ
 ECAD 5385 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - Nicht Anwendbar Veraltet 0000.00.0000 1
APTML50UM90R020T1AG Microsemi Corporation APTML50UM90R020T1AG - - -
RFQ
 ECAD 2205 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp1 MOSFET (Metalloxid) Sp1 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 500 V 52a (TC) 10V 108mohm @ 26a, 10V 4v @ 2,5 mA ± 30 v 7600 PF @ 25 V. - - - 568W (TC)
APTGF300SK120D3G Microsemi Corporation APTGF300SK120D3G - - -
RFQ
 ECAD 1307 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - Chassis -berg D-3-Modul 2100 w Standard D3 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 Einzel Npt 1200 V 420 a 3,7 V @ 15V, 300A 5 Ma NEIN 19 NF @ 25 V.
MSC72111H Microsemi Corporation MSC72111H - - -
RFQ
 ECAD 3110 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1
APT8024LVRG Microsemi Corporation APT8024LVRG - - -
RFQ
 ECAD 7987 0.00000000 Microsemi Corporation Power Mos V® Rohr Veraltet - - - K. Loch To-264-3, to-264aa MOSFET (Metalloxid) To-264 [l] - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 25 N-Kanal 800 V 33a (TC) 10V 240mohm @ 16.5a, 10V 4v @ 2,5 mA 425 NC @ 10 V - - - 7740 PF @ 25 V. - - - - - -
MS1001 Microsemi Corporation MS1001 - - -
RFQ
 ECAD 5447 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet 200 ° C (TJ) Chassis -berg M174 270W M174 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1 13 dB 18V 20a Npn 20 @ 5a, 5V 30 MHz - - -
APTML502UM90R020T3AG Microsemi Corporation APTML502UM90R020T3AG - - -
RFQ
 ECAD 9261 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SP3 APTML502 MOSFET (Metalloxid) 568W SP3 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 2 n-kanal (dual) 500V 52a 108mohm @ 26a, 10V 4v @ 2,5 mA - - - 7600PF @ 25V - - -
APT40M70LVFRG Microsemi Corporation APT40M70LVFRG - - -
RFQ
 ECAD 5180 0.00000000 Microsemi Corporation Power Mos V® Rohr Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-264-3, to-264aa MOSFET (Metalloxid) To-264 [l] - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 400 V 57a (TC) 10V 70 MOHM @ 500 mA, 10V 4v @ 2,5 mA 495 NC @ 10 V ± 30 v 8890 PF @ 25 V. - - - 520W (TC)
APTGF50DA120CT1G Microsemi Corporation APTGF50DA120CT1G - - -
RFQ
 ECAD 9612 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - Chassis -berg Sp1 312 w Standard Sp1 - - - 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 Einzel Npt 1200 V 75 a 3,7 V @ 15V, 50A 250 µA Ja 3.45 NF @ 25 V.
JAN2N5015 Microsemi Corporation Jan2n5015 - - -
RFQ
 ECAD 2638 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, Mil-PRF-19500/727 Schüttgut Veraltet -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 1 w To-5 - - - Rohs Nick Konform Nicht Anwendbar Ear99 8541.29.0095 1 1000 v 200 ma 10NA (ICBO) Npn 30 @ 20 Ma, 10V - - -
MS1406 Microsemi Corporation MS1406 - - -
RFQ
 ECAD 2593 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet 200 ° C (TJ) Chassis, Stollenberg M135 30W M135 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 0000.00.0000 1 8.2db 35 V 3a Npn 10 @ 200 Ma, 5V 175MHz - - -
MS2562 Microsemi Corporation MS2562 - - -
RFQ
 ECAD 2848 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1
APTM120SK68T1G Microsemi Corporation APTM120SK68T1G - - -
RFQ
 ECAD 7952 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp1 MOSFET (Metalloxid) Sp1 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 1200 V 15a (TC) 10V 816mohm @ 12a, 10V 5 V @ 2,5 mA 260 NC @ 10 V ± 30 v 6696 PF @ 25 V. - - - 357W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

RFQ -Liste (0 Elemente)
Wagenliste (0 Elemente)
WishlistWunschliste (0 Elemente)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

Menge: 1

Vergleichen Sie die Liste (0 Elemente)
Drücken Sie die Eingabetaste, um zu suchen oder ESC zu schließen