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Transistoren (1315)

Bild Produktnummer Bestandteil (USD) Menge ECAD Menge Verfügbar Gewicht (kg) Mfr Serie Paket Produktstatus Spannung - Bewort Biebstemperatur Montagetyp Paket / Herbst Grundproduktnummer Eingabetyp Frequenz Technologie Kraft - Max Eingang LEEFERANTENGERATEPAKET Datenblatt ROHS -STATUS FeuchtigitesempfindlichKeit (MSL) Status Erreichen Eccn Htsus Standardpaket Konfiguration FET -Typ Aktuelle Bewertung (Verstärker) Testedingung Strom - Test Leistung - Ausgang Gewinnen ABTROPFEN SIE ZUR Quellspannung (VDSS) Strom - Kontinuierlicher Abfluss (ID) @ 25 ° C Antriebsspannung (Maximale RDS an, min RDS EINS) Rds on (max) @ id, vgs Vgs (th) (max) @ id Gate Ladung (qg) (max) @ vgs VGS (max) Eingangskapazität (CISS) (max) @ vds FET -Fungion Leistungsdissipation (max) RAUSCHFIGUR IGBT -Typ Spannung - Zusammenbruch des Sammlers Emitter (max) Strom - Sammler (IC) (max) Strom - Sammler Gepulst (ICM) VCE (ON) (max) @ vge, IC Torladung TD (EIN/AUS) BEI 25 ° C Spannung - Test Strom - Sammler Cutoff (max) NTC Thermistor Eingabekapazität (cies) @ vce Transistortyp VCE -Sättigung (max) @ ib, ic Geilstromverstärkung (HFE) (min) @ ic, vce Frequenz - übergang RAUSCHFIGUR (DB Typ @ f)
2N4427 Microsemi Corporation 2N4427 - - -
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 ECAD 2828 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 1W To-39 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1 10db @ 175MHz 40V 400 ma Npn 10 @ 100 mA, 5V 500 MHz - - -
JANTXV2N3251A Microsemi Corporation Jantxv2N3251a - - -
RFQ
 ECAD 1862 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, MIL-PRF-19500/323 Schüttgut Veraltet -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205ad, bis 39-3 Metall Kann 2N3251 360 MW To-39 (bis 205ad) - - - Nicht Anwendbar Ear99 8541.21.0095 1 60 v 200 ma 10 µA (ICBO) PNP 500mv @ 5ma, 50 mA 100 @ 10 Ma, 1V - - -
APTM100SK40T1G Microsemi Corporation APTM100SK40T1G - - -
RFQ
 ECAD 4066 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp1 MOSFET (Metalloxid) Sp1 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 1000 v 20A (TC) 10V 480Mohm @ 16a, 10V 5 V @ 2,5 mA 260 NC @ 10 V ± 30 v 6800 PF @ 25 V. - - - 357W (TC)
MS1701 Microsemi Corporation MS1701 - - -
RFQ
 ECAD 4345 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1
MS2091H Microsemi Corporation MS2091H - - -
RFQ
 ECAD 8389 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1
JANTX2N5013 Microsemi Corporation JantX2N5013 - - -
RFQ
 ECAD 9097 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, Mil-PRF-19500/727 Schüttgut Veraltet -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch To-205aa, bis 5-3 Metalldose 1 w To-5 - - - Rohs Nick Konform Nicht Anwendbar Ear99 8541.29.0095 1 800 V 200 ma 10NA (ICBO) Npn 30 @ 20 Ma, 10V - - -
MS2210A Microsemi Corporation MS2210A - - -
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 ECAD 4140 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1
MS2092H Microsemi Corporation MS2092H - - -
RFQ
 ECAD 3698 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1
ARF440 Microsemi Corporation ARF440 - - -
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 ECAD 6128 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Rohr Veraltet 150 v To-247-3 13,56 MHz Mosfet To-247ad Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1 N-Kanal 11a 200 ma 125W 21db - - - 50 v
MS1051 Microsemi Corporation MS1051 - - -
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 ECAD 8784 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet 200 ° C (TJ) Chassis -berg M174 290W M174 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 0000.00.0000 1 11 dB ~ 13 dB 18V 20a Npn 10 @ 5ma, 5V 30 MHz - - -
APT95GR65JDU60 Microsemi Corporation APT95GR65JDU60 - - -
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 ECAD 8121 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg SOT-227-4, MiniBloc Apt95gr65 Standard 446 w SOT-227 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 433V, 95A, 4,3OHM, 15 V. Npt 650 V 135 a 380 a 2,4 V @ 15V, 95a 420 NC 29ns/226ns
0204-125 Microsemi Corporation 0204-125 - - -
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 ECAD 8875 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet 200 ° C (TJ) Chassis -berg 55JT 270W 55JT Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1 7db ~ 8,5 dB 60 v 16a Npn 20 @ 1a, 5V 225 MHz ~ 400 MHz - - -
44010 Microsemi Corporation 44010 - - -
RFQ
 ECAD 5553 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - Nicht Anwendbar Veraltet 0000.00.0000 1
APTGT200A60TG Microsemi Corporation APTGT200A60TG - - -
RFQ
 ECAD 8698 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) Chassis -berg Sp4 625 w Standard Sp4 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 Halbbrücke TRABENFELD STOPP 600 V 290 a 1,9 V @ 15V, 200a 250 µA Ja 12.3 NF @ 25 V.
0105-50 Microsemi Corporation 0105-50 - - -
RFQ
 ECAD 5264 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet 200 ° C (TJ) Chassis -berg 55JT 140W 55JT Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Veraltet 0000.00.0000 1 8,5 dB ~ 10 dB 65 V 7a Npn 10 @ 1a, 5V 100 MHz ~ 500 MHz - - -
UTV080 Microsemi Corporation UTV080 - - -
RFQ
 ECAD 7071 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet 200 ° C (TJ) Kanal, Din Rail Mount 55JV 65W 55JV Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1 9 dB ~ 10 dB 28 v 2.5a Npn 10 @ 500 mA, 5 V 470mHz ~ 860MHz - - -
JANTXV2N6782 Microsemi Corporation Jantxv2N6782 - - -
RFQ
 ECAD 5670 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, Mil-PRF-19500/556 Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-205AF Metalldose MOSFET (Metalloxid) To-205AF (bis 39) Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 100 v 3,5a (TC) 10V 610mohm @ 3,5a, 10V 4v @ 250 ähm 8.1 NC @ 10 V ± 20 V - - - 800 MW (TA), 15W (TC)
APTGF90SK60T1G Microsemi Corporation APTGF90SK60T1G - - -
RFQ
 ECAD 8269 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - Chassis -berg Sp1 416 w Standard Sp1 Herunterladen 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 Einzel Npt 600 V 110 a 2,5 V @ 15V, 90a 250 µA Ja 4.3 NF @ 25 V
APTGF75DA60D1G Microsemi Corporation APTGF75DA60D1G - - -
RFQ
 ECAD 7632 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Abgebrochen bei Sic -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg D1 355 w Standard D1 Herunterladen ROHS -KONFORM 1 (unbegrenzt) Ear99 8541.29.0095 1 Einzel Npt 600 V 100 a 2,45 V @ 15V, 75a 500 µA NEIN 3.3 NF @ 25 V
66068B Microsemi Corporation 66068b - - -
RFQ
 ECAD 9435 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - Nicht Anwendbar Veraltet 0000.00.0000 1
APTM120DA15G Microsemi Corporation APTM120DA15G - - -
RFQ
 ECAD 7618 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Chassis -berg Sp6 MOSFET (Metalloxid) Sp6 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 1200 V 60a (TC) 10V 175mohm @ 30a, 10V 5v @ 10 mA 748 NC @ 10 V ± 30 v 20600 PF @ 25 V. - - - 1250W (TC)
JAN2N2221AUB Microsemi Corporation Jan2N2221AUB 6.7032
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 ECAD 5368 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, MIL-PRF-19500/255 Schüttgut Aktiv -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) Oberflächenhalterung 3-smd, Keine Frotung 2N2221 500 MW UB Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 50 v 800 mA 50na Npn 1v @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150 mA, 10V - - -
MS1004 Microsemi Corporation MS1004 - - -
RFQ
 ECAD 7883 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet 200 ° C (TJ) Chassis -berg M177 330W M177 Herunterladen 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 14.5db 55 v 40a Npn 15 @ 10a, 6v 30 MHz - - -
JANTXV2N3811 Microsemi Corporation Jantxv2N3811 - - -
RFQ
 ECAD 2825 0.00000000 Microsemi Corporation Militär, Mil-PRF-19500/336 Schüttgut Veraltet -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) K. Loch Bis 78-6 Metalldose 2N3811 350 MW To-78-6 Herunterladen Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.21.0095 1 60 v 50 ma 10 µA (ICBO) 2 PNP (Dual) 250 mV @ 100 µA, 1 mA 300 @ 1ma, 5v - - -
SD8268-21H Microsemi Corporation SD8268-21H - - -
RFQ
 ECAD 4953 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - 1 (unbegrenzt) Veraltet 0000.00.0000 1
60206 Microsemi Corporation 60206 - - -
RFQ
 ECAD 7497 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - Nicht Anwendbar Veraltet 0000.00.0000 1
STA8171 Microsemi Corporation STA8171 - - -
RFQ
 ECAD 8151 0.00000000 Microsemi Corporation * Schüttgut Veraltet - - - Rohs Nick Konform Nicht Anwendbar Veraltet 0000.00.0000 1
APTGT75A170D1G Microsemi Corporation APTGT75A170D1G - - -
RFQ
 ECAD 4082 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet - - - Chassis -berg D1 520 w Standard D1 - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 Halbbrücke TRABENFELD STOPP 1700 v 120 a 2,4 V @ 15V, 75A 5 Ma NEIN 6,5 NF @ 25 V.
2N6798 Microsemi Corporation 2N6798 - - -
RFQ
 ECAD 6311 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) K. Loch To-205AF Metalldose MOSFET (Metalloxid) To-39 - - - Rohs Nick Konform 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0095 1 N-Kanal 200 v 5.5a (TC) 10V 400mohm @ 3,5a, 10 V. 4v @ 250 ähm 5.29 NC @ 10 V ± 20 V - - - 800 MW (TA), 25W (TC)
TAN75A Microsemi Corporation Tan75a - - -
RFQ
 ECAD 7953 0.00000000 Microsemi Corporation - - - Schüttgut Veraltet 200 ° C (TJ) Chassis -berg 55az 290W 55az - - - 1 (unbegrenzt) UnberÜHrt Ereichen Ear99 8541.29.0075 1 8db ~ 8,5 dB 50V 9a Npn 10 @ 15ma, 5V 960 MHz ~ 1,215 GHz - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Täglich durchschnittliches RFQ -Volumen

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Standardprodukteinheit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Weltweite Hersteller

  • In-stock Warehouse

    15.000 m2

    Lagerhaus

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Expositionspad

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